Как известно из технических характеристик BU508AF – это кремниевый транзистор с n-p-n структурой. При его производстве применяется технология диффузионного коллектора в планарной технологии с использованием новой и улучшенной высоковольтной структуры. Благодаря этому он отличается хорошей стабильностью при изменении температуры. Чаще всего он используется в импульсных источниках питания и системах строчной развёртки телевизоров с электронно-лучевой трубкой.
Цоколевка
Изготавливают и продают BU508AF в корпусе ТО-3Р. Чтобы выяснить, какой вывод за что отвечает нужно взять с транзистор в руку так, чтобы маркировка была расположена лицевой стороной к вам, а выводы смотрели вниз. Тогда первой слева будет база, второй коллектор, а третьей эмиттер. На рисунке ниже представлены: внешний вид, распиновка и основные параметры.
Технические характеристики
Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. Их превышение в процессе работы недопустимо, так как в этом случае BU508AF может выйти из строя. Тестировались данные параметры при температуре +25°С.
Для BU508AF эти характеристики равны:
- напряжение К-Б (VBE = 0 B) VCES = 1500 В;
- напряжение К-Э (IB = 0 A) VCЕO = 700 В;
- напряжение Э-Б (IC = 0 A) VЕВO = 9 В;
- коллекторный ток IC = 8 А;
- коллекторный импульсный ток (tp < 5 мс) ICM max = 15 А;
- базовый ток IC = 4 А;
- базовый импульсный ток (tp < 5 мс) IC = 4 А;
- мощность (при температуре воздуха Та = 25°С, то есть без радиатора) PТОТ = 34 Вт;
- мощность (при температуре кристалла ТС = 25°С, то есть с радиатором) PТОТ = 60 Вт;
- разность потенциалов между выводами и внешним радиатором, которое может выдержать изоляция Vins = 2500 В;
- температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150°С;
- максимальная температура полупроводника Tj = 150°С.
Теперь обратим внимание на электрические параметры. Их измерения велись при температуре +25°С. Остальные важные параметры можно найти в таблице, в отдельной колонке.
|
Электрические параметры транзистора BU508AF (при Т = +25 оC) |
||||||
|
Параметры |
Режимы измерения |
Обозн. |
min |
typ |
max |
Ед. изм |
|
Напряжение (проб.) К — Э |
IC = 100 мA, IB = 0 A, L = 25 мГн |
VCEО(SUS) |
700 |
|
|
В |
|
Напряжение (проб.) Э-Б |
IE= 10 мA, Ic=0 |
V(BR)EBO |
7,5 |
13,5 |
|
В |
|
Напряжение (нас.) К-Э |
IC= 4,5 A, IB = 2 A |
V CE(sat) |
|
|
5 |
В |
|
Напряжение (нас.) Б-Э |
IC= 4,5 A, IB = 2 A |
V ВE(sat) |
|
|
1,3 |
В |
|
Ток отсечки К |
VCE=1500V; VBE=0 |
ICES |
|
|
1,0 |
мА |
|
TC=125°C |
|
|
2,0 |
мА |
||
|
Ток отсечки Э |
VEB = 6 В, IC= 0 A |
IEBO |
|
|
10 |
мА |
|
К-т усиления по току при использовании схемы ОЭ |
|
hFE |
6 |
|
30 |
|
|
Предельная частота к-та передачи тока |
Ic= 0,1 A, VCE = 5 В |
fT |
|
7 |
|
МГц |
|
Выходная ёмкость |
VCB = 10В, IЕ= 0 A, f = 0,1 МГц |
Cob |
|
125 |
|
пФ |
|
Длительность хранения |
IC = 4,5 A, VCC = 140 В, Lc=0,9мГн,LB =3мкГн |
ts |
|
7 |
|
мкс |
|
Длительность закрытия |
tf |
|
0,5 |
|
мкс |
|
В конце рассмотрим термические значения BU508AF. Они важны для транзисторов средней и большой мощности, у которых есть риск перегреться при работе. Этот параметр показывает скорость отвода тепла от кристалла транзистора.
| Параметр | Обозначение | typ | max | Ед. изм. |
| Термосопротивление кремний — радиатор | Rth j-hs | 3,7 | °С/Вт | |
| Термосопротивление кремний — воздух | Rth j-a | 35 | °С/Вт |
Аналоги
Имеется единственный полный аналог рассматриваемого транзистора, это – BU508AFI.
Производители и Datasheet
Перечислим основных производителей транзистора BU508AF и приложим Datasheet:
- Savantic;
- New Jersey Semconductor Products;
- Continental Device India Limited;
- Wing Shing Computer Components;
- Fairchild Semconductor;
- TRANSYS Electronics.
Эти устройства можно найти в отечественных магазинах:
