Если посмотреть на характеристики диода 1N5408, можно сделать вывод, что он хорошо подходит для использования в блоках питания. Устройство имеет низкий ток утечки и маленькое падение напряжения в открытом режиме. Имеет свойство выдерживать большие импульсы тока. Кроме этого данный полупроводник меняет емкость при изменении обратного напряжения, что даёт возможность использовать его для временной замены варикапа. Зачастую в интернете можно встретить название «in5408», но правильным является «1N5408».
Цоколевка
На рисунке ниже представлена цоколевка (расположение выводов) диода 1N5408, а так же его габаритные размеры. Нельзя сказать, что диоды отличаются наличием большого кол-ва ножек, их как правило две, однако очень важно при монтаже на плату не перепутать анод с катодом. Маркировка в виде цветного кольца поможет правильно определить назначение контактов: она наносится ближе к катоду. Изготавливают 1N5408 в корпусе DO-201AD с гибкими выводами.
Технические характеристики
Предельно допустимые значения параметров считаются приоритетными и чаще всего производители приводят их в начале своих технических характеристик. Для долговечной работы они должны быть меньше реальных рабочих. Максимальные характеристики 1N5408, измеренные при температуре +25°С:
- Наибольшее допустимое кратковременное обратное напряжение VRRM = 1000 В;
- Предельно допустимый средний ток (измеренный при температуре 75ОС) IF(AV) = 3 А;
- Максимальный импульсный ток IFSM = 200 А;
- Максимальная рассеиваемая мощность PD = 6,25 Вт;
- Диапазон рабочих температур диода TJ = -55 … +150ОС;
- Диапазон температур хранения диода TSTG = -55 … +150ОС;
После максимально допустимых параметров производители указывают электрические характеристики транзистора. Тестирование проводится при той же температуре окружающей среды, что и при измерении максимальных значений. Остальные параметры, при которых проводилось тестирование, представлены в отдельной колонке, которая называется «Режимы измерения»
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | Значение | Ед. изм |
| Прямое напряжение | IF = 3 А | VF | 1,2 | В |
| Обратный ток | TJ = 25°C | IR | 5 | мкА |
| TJ = 100°C | 500 | мкА | ||
| Максимальный обратный ток при полной нагрузке | TА = 105°C | Irr | 0.5 | мА |
| Ёмкость перехода | VR= 4.0 В, f = 1.0мГц | CJ | 30 | пФ |
Термическое сопротивление между кристаллом диода и окружающей средой RθJA = 20 ОС/Вт.
Интересно также посмотреть, как изменяется максимальная величина выпрямленного прямого тока от температуры окружающей среды. На рисунке ниже представлена кривая снижения номинального прямого тока в зависимости от температуры. Как мы видим из графика, до 55ОС его величина постоянна и равна 3 А. После этого, начинает снижаться и при 150 ОС становиться равной 0 А.
Аналоги
1N5408 можно без проблем заменить на аналоги: 1N5400, 1SR34, 30S10, BY226, BY251, BY254, BY255, CPR3-100, ECG156, ECG156, ECG5809, FR305, GP30J, GP30M, GP30K, MR-1, MR510, CR3-100GPP, P300M. Существуют диоды, у которых расположение выводов такое же, но электрические параметры могут немного не совпадать: BYM56D, RL257, G3M, CL510. Есть ещё приборы которые не полностью совместимы с рассматриваемым по своим характеристикам. При необходимости замены нужно изучить их технические характеристики, и только после этого принимать решение о возможности установки. Вот эти изделия: 2A1000, HR1000, P300M, RM4C, 1N2533, 1N2534, 1N255, 1N2556, 1N5407K, PG5408, P207. Близких по техническим параметрам устройств отечественная промышленность не производит.
Производители
Производством диода 1N5408 занимается достаточно много зарубежных компаний. Перечислим некоторые из них: Diotec Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Dc Components, ON Semiconductor, Semtech Corporation, Motorola, Comchip Technology, Diodes Incorporated, Vishay Siliconix, Pan Jit International. На отечественный рынок свою продукцию поставляют следующие фирмы: Diotec Semiconductor, Vishay Siliconix, Dc Components, ON Semiconductor, Comchip Technology, Pan Jit International. Скачать Datasheet на 1N5408 можно кликнув на строчку с названием производителя.
