Биполярный, кремниевый n-p-n транзистор 13001, согласно сведениям, приведённым в технических характеристиках, предназначен для работы в высоковольтных и скоростных коммутационных схемах. Кроме этого его часто устанавливают в импульсных блоках питания и зарядных устройствах мобильных телефонов и планшетов. Он изготавливается на юго-востоке Азии и в Индии.
Распиновка
Цоколевка 13001 приводится в корпусе ТО-92, сделанном из пластика и имеющем гибкие выводы. Большинство производителей располагают ножки в таком порядке: эмиттер, коллектор, база. Но некоторые компании, например, Tiger Electronic и Micro Commercial Components, меняют порядок их следования на такой: база, коллектор, эмиттер. Поэтому перед установкой транзистора нужно быть осторожным и проверять назначение тестером.
Характеристики транзистора 13001
Описание технических характеристик 13001 начнём с предельно допустимых, как наиболее важных. Они показывают предельные возможности транзистора. Их измеряют при температуре +25°С. Вот они:
- разность потенциалов между коллектором и базой VCBO (Uкб max) = 600 В;
- разность потенциалов между коллектором и эмиттером VCЕO (Uкэ max) = 400 В;
- разность потенциалов между эмиттером и базой VЕВO (Uэб max) = 7 В;
- коллекторный ток IC (Iк max) = 200 мА;
- мощность PD (Рк max) = 750 мВт;
- предельная температура кристалла Tj = +150°С;
- температура при которой он может работать Tstg = -55 … +150°С.
Теперь перейдём к рассмотрению его электрических х-к. Они измерялись при температуре окружающего воздуха +25°С, если не указана другая. Остальные параметры, важные при измерении, можно найти во соответствующей колонке таблицы.
| Электрические х-ки 13001 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К-Б | IC = -100 мкA, IE=0 | V(BR)CВO | 600 | В | ||
| Пробивное напряжение К-Э | IC=1 мA, IB=0 | V(BR)CEО | 400 | В | ||
| Пробивное напряжение Э-Б | IE= 10 мкA, IC=0 | V(BR)EBO | 7 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВ = 600 В, IE=0 | ICВO | 100 | мкА | ||
| Обратный ток К-Э | VCE= 400 В, IB=0 | ICEО | 200 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 7 В, IC=0 | IEBO | 100 | мкА | ||
| Напряжение насыщения К-Э | IC= 50 мA, IB = 10 мA | V CE(sat) | 0,5 | В | ||
| Напряжение насыщения Б-Э | IC= 50 мA, IB = 10 мA | V ВE(sat) | 1,2 | В | ||
| Напряжение Б-Э | IE=100 мА | VBE | 1,1 | В | ||
| Выходная ёмкость на коллекторе | VCB =-10В,IE =0, f=1 МГц | Cob | 8 | пФ | ||
| К-т усиления тока | VCE = 20 В, Ic=20 мA | hFE(1) | 10 | 70 | ||
| VCE = 10 В, Ic=0,25 мA | hFE(2) | 5 | ||||
| Граничная частота к-та передачи тока | VCE=20 В, IC= 20 мA,
f=1 МГц |
fT | 8 | МГц | ||
| Время закрытия транзистора | IC=50 мA, IB1 = -IB2 = 5 мА,
Vcc = 45 В |
tF | 0,3 | мкс | ||
| Время рассасывания. | tS | 1,5 | мкс | |||
Кроме этого производители делят транзисторы на 12 грумм в зависимости от hFE (к-та усиления по току):
- A: hFE от 10 до 15;
- В: hFE от 15 до 20;
- C: hFE от 20 до 25;
- D: hFE от 25 до 30;
- E: hFE от 30 до 35;
- F: hFE от 35 до 40;
- G: hFE от 40 до 45;
- H: hFE от 45 до 50;
- I: hFE от 50 до 55;
- J: hFE от 55 до 60;
- K: hFE от 60 до 65;
- L: hFE от 65 до 70.
Аналоги
Полностью аналогичных транзисторов нет. Для замены обычно используют более мощные устройства: MJE13002, 13002, MJE13003, 13003, MJE13005, 13005, MJE13007, 13007, MJE13009, 13009. Однако они имеют более габаритный корпус и могут иметь другое расположение выводов. Среди российских аналогов 13001, можно назвать следующие: КТ538А и КТ8270А. Обязательно перепроверьте все параметры, так как все равно что то будет отличаться.
Производители
Перечислим основных производителей транзистора 13001:
В магазинах встречается продукция следующих компаний:
