50N06, согласно техническим характеристикам, является n-канальным, кремниевым полевым транзистором, имеющим изолированный затвор, а также обратный диод. Он отличается высокой скоростью переключения, может пропускать высокие токи (до 50 А) и напряжением пробоя (60 В). Это устройство разрабатывалось для использования в таких приложениях, как импульсные стабилизаторы, преобразователи, схемы управления двигателей и реле. Они могут получать управляющие сигналы непосредственно от интегральных схем.
Цоколевка
Изготавливают 50N06 в двух вариантах, в корпусе ТО-220АВ и ТО-263, в них и будет рассмотрена распиновка. В любом случае, если установить транзистор так, чтобы маркировка была прямо перед вами, выводы будут расположены в таком порядке: 1 — затвор (gate), 2 — сток(drain), и 3 — сток(source). С внешним видом и главными характеристиками устройства можно ознакомиться по рисунку.
Технические характеристики
Вначале, как и большая часть производителей, рассмотрим максимально допустимые технические характеристики. Они требуются при подборе замены вышедшего из строя устройства и проектировании новых устройств, так как если во время работы их значения будут выше, даже на протяжении короткого времени, транзистор выйдет из строя.
Для 50N06 эти характеристики равны:
- разность потенциалов сток-исток VDSS = 60 В;
- разность потенциалов затвор-исток: VGSS = ±25 В;
- ток через стока:
- при Тс= +25°С ID = 50 А;
- при Тс= +100°С ID = 35,4 А;
- импульсный ток через стока IDM = 200 А;
- мощность PD = 120 Вт;
- к-т уменьшения мощности при повышении т-ры выше +25°С – 0,8 Вт/°С;
- лавинный предельный ток IAR = 50 А;
- одиночный импульс энергии ЕАR = 12 мДж;
- скорость восстановления диода dv/dt = 7 В/нс;
- термосопротивление, переход – корпус 1,24 °С/Вт;
- термосопротивление, переход – воздух 62,5 °С/Вт;
- рабочая т-ра: от -55°С до +175°С.
Электрические х-к также влияют на возможности 50N06. Они были протестированы при температуре +25°С. Другие параметры, способные повлиять на результаты, можно посмотреть в отдельной, специальной колонке таблицы.
|
Электрические х-ки транзистора 50N06 (при Т = +25 оC) |
||||||
|
Наименование |
Режимы тестирования |
Обознач. |
мин |
TYP |
макс |
Ед. изм |
|
Разность потенциалов пробоя С-И |
VGS= 0 В,ID= 250 мА |
V(BR)DSS |
60 |
|
|
В |
|
Температурный к-т изменения разности потенциалов С-И |
ID = 250 мА |
∆V(BR)DSS/∆TJ |
|
0,06 |
|
В/°С |
|
Ток через стока при нулевой разности потенциалов на затворе |
VDS=60 В, VGS= 0 V |
IDSS |
|
|
1 |
мкА |
|
VDS=48 В, TJ= 150°C |
10 |
мкА |
||||
|
Ток утечки через затвор |
VGS= ± 25 В |
IGSS |
|
|
±100 |
нА |
|
Пороговая разность потенциалов между З-И |
VDS= VGS, ID=250 мкА |
VGS(th) |
2 |
|
4 |
В |
|
Сопротивление С-И при открытом транзисторе |
VGS= 10 В, ID= 25 A |
RDS(on) |
|
0,018 |
0,022 |
мОм |
|
Крутизна |
VDS= 25 В, ID=25 А |
gfs |
|
22 |
|
|
|
Ёмкость на входе |
VGS= 0 В, VDS= 25 В, f = 1,0 МГц |
Ciss |
|
1180 |
1540 |
пФ |
|
Ёмкость на выходе |
Coss |
|
440 |
580 |
пФ |
|
|
Ёмкость между З-И |
Crss |
|
65 |
90 |
пФ |
|
|
Время открытия устройства |
VDD=30 В, ID=25 A, Rg=25 Ом |
td(on) |
|
15 |
40 |
нс |
|
Время нарастания |
tr |
|
105 |
220 |
нс |
|
|
Время закрытия |
td(off) |
|
60 |
130 |
нс |
|
|
Время спада |
tf |
|
65 |
140 |
нс |
|
|
Заряд на затворе требуемый для открытия транзистора |
VGS= 10 В, ID= 50 A, VDS= 48 В |
Qg |
|
31 |
41 |
нКл |
|
Заряд между З-И |
Qgs |
|
8 |
|
нКл |
|
|
Заряд между З-С |
Qgd |
|
13 |
|
нКл |
|
|
Непрерывный длительный ток через истоковый диод |
|
IS |
|
|
50 |
А |
|
Кратковременный ток через диод |
|
ISM |
|
|
200 |
А |
|
Падение разности потенциалов на диоде |
IS= 50 A, VGS= 0 В |
VSD |
|
|
1,5 |
В |
|
Время обратного восстановления |
IS= 50 A, VGS= 0 В, dI/dt = 100 A/мкс |
trr |
|
115 |
170 |
нс |
|
Заряд необходимый для восстановления |
Qrr |
|
505 |
760 |
нКл |
|
Аналоги
Наиболее полным аналогом 50N06, имеющий идентичные параметры является транзистор IRFZ44ES. Также, при необходимости, можно попробовать заменить его на IRLZ34NS, IRFZ44, IRLZ34S, IRLZ34, IRLZ44NS, IRLR2905. В любом случае перед принятием решения нужно ознакомиться с характеристиками всех используемых устройств.
Производители и Datasheet
Основные производители 50N06 и их Datasheet:
- Unisonic Technologies;
- VBsemi Electroncs;
- Jiangsu Donghai Semiconductor Technology;
- Chongqing Pingwei Enterprise;
- KIA Semiconductor Technology;
- Inchange Semconductor Company Limted;
- Nell Semconductor.
В магазинах можно приобрести транзисторы следующих компаний:
