Согласно техническим характеристикам IRF730 – это мощный N-канальный MOSFET транзистор с кремниевым затвором и диодом. Обычно он устанавливается в импульсных БП, преобразователях, схемах управления электродвигателями и сильноточных высокоскоростных коммутационных цепей. Он может получать управляющие сигналы напрямую от микросхем.
Цоколевка
На IRF730 производители устанавливают корпус ТО-220. Очерёдность расположения ножек следующая: 1. затвор, 2. сток, 3. исток. Наглядная информация о IRF730 представлена на рисунке.
Технические характеристики
В первую очередь рассмотрим максимальные х-ки. Их превышение в процессе эксплуатации не допускается. Все они были измерены при температуре +25°С. Для IRF730 их значения равны следующим величинам:
- напряжение наибольшее между С-И VDS = 400 В;
- напряжение максимальное между С-З (при RGS = 20 кОм) VDS = 400 В;
- отпирающее напряжение З-И VGS = ±30 В;
- ток идущий через сток:
- — при +25ОС ID = 5,5 А;
- — при +100ОС ID = 3,5 А;
- ток идущий через С небольшой промежуток времени IDМ = 22 А;
- мощность PD = 74 Вт;
- зависимость мощности от т-ры 0,6 Вт/ ОС;
- пиковая крутизна напряжения восстановления диода dv/dt = 4,6 В/нс;
- диапазон рабочих температур Tstg = -65 ОC … +150ОC;
- предельная температура кристалла Tj = +150ОC;
- термосопротивление кремний корпус Rthj-case =1,25ОC/Вт;
- термосопротивление кремний воздух Rthj-amb =1,25ОC/Вт;
- термосопротивление корпус радиатор Rthj-case =1,25ОC/Вт;
Также следует знать электрические х-ки. Они проверялись при т-ре +25°С. Другие условия тестирования расположены в специальной колонке таблицы.
|
Электрические х-ки IRF730 (при Т = +25ОC) |
||||||
|
Название |
Условия |
Обозначение |
|
|
|
Ед |
|
Напряжение между С-И требуемое для пробоя |
ID = 250 мкА |
V(BR)DSS |
400 |
|
|
В |
|
Зависимость напряжения пробоя от нагрева |
ID=1 мА |
ΔV(BR)DSS/TJ |
|
0,5 |
|
В/ОС |
|
Пороговое напряжение между З-И |
ID = 250 мкА |
VGS(th) |
2 |
|
4,5 |
В |
|
Утечка от З тр-ра к И |
VGS = ± 30 В |
IGSS |
|
|
±100 |
нА |
|
Величина утечки при разности потенциалов на затворе тр-ра равной 0 |
VDS = 400 В |
IDSS |
|
|
25 |
мкА |
|
VDS = 320 В, TJ = 125ОC |
|
|
250 |
|||
|
Электрическое сопротивление между С-И когда IRF730 открыт |
VGS = 10 В, ID = 3,3 A |
RDS(on) |
|
|
1 |
Ом |
|
Прямая крутизна |
VDS = 50 В , ID = 3,3 А |
gfs |
3,1 |
|
|
|
|
Ёмкость (вых.) |
VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1,0 МГц |
Ciss |
|
600 |
|
пФ |
|
Выходная ёмкость I |
Coss |
|
103 |
|
||
|
Обратная ёмкость |
Crss |
|
4 |
|
||
|
Общий заряд на З |
VGS = 10 В, ID = 3,5 А, VDS = 320 В |
Qg |
|
|
22 |
нКл |
|
Заряд между З-И тр-ра |
Qgs |
|
|
5,8 |
||
|
Заряд между З-С тр-ра |
Qgd |
|
|
9,3 |
||
|
Время откр. |
VDD = 200 В, ID = 3,5 А, RG = 12 Ом, RD = 57 Ом |
td(on) |
|
10 |
|
нс |
|
Время увеличения импульса открытия |
tr |
|
22 |
|
||
|
Время закр. |
td(off) |
|
20 |
|
||
|
Время уменьшения импульса |
tf |
|
16 |
|
||
|
Ёмкость (вых.) |
VGS = 0 В, VDS = 1 В, f = 1,0 МГц |
Coss |
|
890 |
|
пФ |
|
VGS = 0 В, VDS = 320 В, f = 1,0 МГц |
|
30 |
|
|||
|
Эффективная ёмкость (вых.) |
VGS = 0 В, VDS = от 0 до 320 В |
Coss eff |
|
45 |
|
|
|
Ток И-С |
|
IS |
|
|
5,5 |
А |
|
Ток И-С (текущий маленький промежуток времени) |
|
ISM |
|
|
22 |
А |
|
Разность потенциалов на диоде |
TJ=25 ОC, IS =5,5A, VGS = 0 В |
VSD |
|
|
1,6 |
В |
|
Время нужное для восстановления |
TJ = 25ОC, IF = 3,5 A, dI/dt = 100 A/мкс |
trr |
|
370 |
550 |
нс |
|
Заряд требуемый для восстановления |
Qrr |
|
1,6 |
2,4 |
мкФ |
|
|
Энергия лавины одиночного импульса |
|
EAS |
|
|
290 |
мДж |
|
Лавинный ток |
|
IAR |
|
|
5,5 |
А |
|
Циклическая энергия лавины |
|
EAR |
|
|
7,4 |
мДж |
Аналоги
Для замены IRF730 рекомендуется использовать следующие аналоги, так как они наиболее близки к рассматриваемому: IRF720, STP7NK40Z, Si9933, HAT1024R, STS3DPF20V, HAT3004, STP7NK40Z. Также можно попробовать установить следующие устройства: STS5DNF20V, FDS9936A, HAT2016R. Имеются также отечественные аналоги, это: КП730 и КП752А.
Datasheet
Ниже приведены основные производители IRF730 и их datasheet:
- First Components International;
- Fairchild Semiconductor;
- First Silicon;
- NXP Semiconductors;
- Dc Components;
- Intersil Corporation;
- New Jersey Semi-Conductor Products;
- Suntac Electronic;
- STMicroelectronics;
- Advanced Power Electronics.
В магазинах можно найти продукцию следующих компаний:
