Транзисторы серии КТ829, согласно своим техническим характеристикам, предназначены для использования в усилительных устройствах, работающих на звуковой частоте. Это составные, кремниевые устройства, изготовленные по схеме Дарлингтона. При их изготовлении была применена мезапланарная технология. Структура n-p-n. Может устанавливаться в усилителях НЧ и переключательных схемах.
Цоколевка
Изготавливают КТ829 в пластиковом корпусе для дырочного монтажа КТ-28, который считается аналогом иностранной упаковки TO-220. Его масса не должна превышать 2 грамма. Выводы размещены в таком порядке (слева направо, если расположить транзистор так, чтобы ножки смотрели вниз, а маркировка была обращена к вам): первый – база, второй – коллектор и третий – эмиттер. Более детально ознакомиться с цоколёвкой КТ829, внешним видом, геометрическими размерами можно познакомиться по рисунку, который расположен ниже.
Технические характеристики
Начнём рассмотрение х-к КТ829 с их предельно возможных значений, так как они имеют важное значение для функционирования прибора и могут привести к выходу его из строя при превышении. Кроме того, необходимо быть осторожным при продолжительной работе при значениях, приближающимся к наибольшим допустимым, так как это может сократить время эксплуатации устройства. Замеры параметров были выполнены при стандартной комнатной т-ре +25°C.
Максимальные характеристики КТ829:
- разность потенциалов между коллектором и эмиттером (RБЭ ≤ 1 кОм), а также коллектором и базой транзистора КТ829: А – 100 В; Б – 80 В; В – 60 В; Г – 45 В.
- Разность потенциалов база – эмиттер – 5 В;
- ток, идущий через коллектор 8 А;
- кратковременный ток, идущий через коллектор (продолжительность импульса до 500 мкс) – 12 А;
- ток, протекающий по базе базы 0,2 А;
- мощность (при т-ре от -40°С до +25°С) – 60 Вт;
- сопротивление кристалл – корпус (тепловое) – 2,08 °С/Вт;
- максимальная т-ра кристалла +150°С;
- т-ра окружающего воздуха от -40°С до +85°С.
Теперь займёмся изучением электрических параметров КТ829, они играют важную роль в определении потенциальных возможностей и области применения данного транзистора. Все измерения проведены при комнатной температуре +25°С. Дополнительные параметры, использованные при тестировании, можно обнаружить в столбце «Условия измерения».
| Название | Условия измерения | Маркировка | мин | мах | Ед. изм |
| К-т усиления тока | UКЭ = 3 В, IК = 3 А, ТК от +25 до +85°С ТК -25°С | А-Г | 750 100 | ||
| К-т передачи тока на ВЧ | UКЭ = 3 В, IК = 3 А, f = 10 МГц | А-Г | 0,4 | ||
| Граничная разность птенциалов | IК = 100 мА | А Б В Г | 100 80 60 45 | В | |
| Напряжение насыщения К-Э | IК = 3,5 А, IБ=14 мА | А-Г | 2 | В | |
| Разность потенциалов насыщения Б-Э | IК = 3,5 А, IБ=14 мА | А-Г | 2,5 | В | |
| Ток К-Э, текущий в обратном направлении | UКЭ R= UКЭ R макс, RБЭ ≤ 1 кОм ТК от +25 до -40°С ТК +85°С | А-Г | 1,5 3 | мА | |
| Ток эмиттера, протекающий в обратном направлении | UБЭ = 5 В | А-Г | 2 | мА | |
| Ёмкость на коллекторном переходе | UКБ= UКБ макс | А-Г | 120 | пФ |
Также в технической документации предусмотрены условия для безопасного монтажа транзистора. Так допускается пайка выводов на расстоянии 5 мм и выше. При этом корпус не должен нагреваться более чем до +85°С.
Аналоги
К качестве аналоги КТ829 можно рассмотреть следующие:
- BD681;
- TIP122;
- BD267A;
- BD647;
- BDх53C;
- BD267B.
Среди отечественных транзисторов можно порекомендовать на замену КТ827. Комплементарная пара для рассматриваемого устройства – КТ853.
Datasheet на КТ829
Сегодня эти транзисторы изготавливаются двумя российскими компаниями: акционерное общество «Группа кремний ЭЛ» и АО «Элиз», расположенным в городе Фрязино скачать их можно по ссылкам ниже:
