Характеристики транзистора D882 (2SD882)

В этой статье рассмотрим транзистор D882, его характеристики, а так же узнаем, есть ли у него российские аналоги. В datasheet указано то, что это биполярный полупроводниковый прибор, который можно назвать достаточно мощным, он отличается высоким значением и линейностью статического коэффициента передачи тока и низким напряжением насыщения. Имеет n-p-n структуру.

Данный транзистор имеет полное наименование 2SD882, а маркируется как D882. Наиболее часто его можно встретить в усилителях низкой частоты, импульсных устройствах и преобразователях. Максимальный коллекторный ток триода равен 3 амперам, что позволяет использовать его в схемах управления реле, светодиодами, электродвигателями, лампами.

Распиновка

Цоколевку транзистора 2SD882 разберём в двух вариантах корпусов. Первый — это пластмассовый корпус ТО-126

Распиновка D882

 

Как видно из рисунка первая ножка – это Э, вторая – К, третья – Б.

Также рассматриваемое изделие имеет вариант корпуса стандарта SOT-89, монтаж которого производится на плату иным (поверхностным) способом . Расположение выводов представлено ниже.

 

D882 корпус SOT

Здесь первая ножка – это Б, вторая – К, третья –Э.

Технические характеристики

Характеристики D882, приведённые в технической документации, могут встречаться с небольшими отличиями, в зависимости от того, у какого производителя взята информация. Поэтому далее приводим значения от компании Shenzhen Electronics, так как транзистор этой фирмы часто можно встретить в отечественных магазинах. Предельно допустимые значения, измеренные при температуре окружающего воздуха +25ОС:

  • напряжение коллектор-база предельно допустимое VCBO (Uкб max) = 40 В;
  • напряжение коллектор-эмиттер максимальное VCEO (Uкэ max) = 30 В;
  • напряжение эмиттер-база предельно возможное VEBO (Uэб max) = 6 В;
  • наибольший постоянный ток через коллектор IC (Iк max) = 3 А;
  • предельная мощность, рассеиваемая на коллекторе РСк max) = 1,25 Вт;
  • Диапазон температур хранения Tstg = -55 … 150 оС;
  • Максимальная температура кристалла TJ = 150 оС;

Далее производитель Shenzhen Electronics приводит электрические характеристики.

Электрические характеристики D882

Транзисторы D882 могут иметь различные коэффициенты передачи тока и по этому свойству классифицируются следующим образом: меньше всего коэффициент у приборов с буквой R – от 60 до 120, с буквой – О чуть больше (100 — 200),  если в наименовании Y, то значение 160 — 320 и устройства с обозначением GR  имеют усиление от 200 до 400.

Приведём график зависимости Pt (рассеиваемая мощность) от T (окружающая температура). Для проведения тестирования использовался радиатор из алюминия толщиной 10 мм. По горизонтальной оси здесь отложена мощность, а по вертикальной температура.

 

График P от T D882

Из графика видно, что когда температура становится выше +25ОС, мощность  уменьшается и при +150ОС становиться равной 0. Кроме этого из рисунка понятно, что чем больше площадь радиатора, тем большую мощность можно рассеять.

При тепловых расчётах может также понадобиться зависимость температурного сопротивления от длительности импульса. Измерение проводилось при таких условиях: напряжении коллектор-эмиттер 10 вольт, ток коллектора 1 ампер. При этом погрешность не более 0,001. Горизонтальная шкала, на которую нанесена длительность импульса, представлена в логарифмическом масштабе.

График R от PW D882

Аналоги

Данный транзистор можно заменить на полностью подходящие по своим параметрам и расположению ножек: 2SC1368, 2SB772.

Также имеются неполные аналоги 2sd882: MJE244BD437, HSD882S, BD131, BD185, BD187, BDX35, BDX36, BDX37,BD189, KSD882, MJE222, KSH882, MJE225, MJE242,KTD882 .

Полного отечественного аналога данного прибора на данный момент нет.

Рекомендуемая комплементарная пара транзистор 2SB772, структура которого p-n-p противоположна рассматриваемому.

Производители

Транзисторы D882 изготавливаются следующими зарубежными фирмами:  SeCoS Halbleitertechnologie, Shenzhen Jingdao Electronic, SHIKE Electronics, Jiangsu Changjiang Electronics Technology, Daya Electric Group, Diode Semiconductor Korea,  SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS, Shenzhen Jin Yu Semiconductor, STMicroelectronics, SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY, Shenzhen Electronics, GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, Stanson Technology, WILLAS ELECTRONIC CORP,  Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited, Nanjing International Group.

На Российском рынке чаще всего встречаются устройство произведённое компаниями Shenzhen Electronics, STMicroelectronics.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector