Характеристики транзистора J3Y идентичны с S8050, так как это одно и тоже устройство только в разных корпусах. Он может использоваться в выходном каскаде двухтактного усилителя. Кроме этого его часто используют в схемах разработанных на основе Arduino, системах управления источниками освещения, работающих на светодиодах и других устройствах. Он имеет n-p-n структуру.
Цоколевка
Транзистор J3Y выполнен в SMD корпусе, предназначенном для навесного монтажа. С одной стороны, у него расположены выводы базы и эмиттера, а с другой, коллектор. Внешний вид, размеры и главные технические характеристики приведены на следующем рисунке.
Технические характеристики
Как и все производители, в первую очередь рассмотрим максимально допустимые технические параметры. Именно они являются наиболее важные при выборе устройства для замены вышедшего из строя, а также при конструировании новых электронных устройств. Их превышение приведёт к выходу J3Y из строя. Также нежелательна эксплуатация этого транзистора в течении длительного времени при значениях близких к предельных. Тестирование данных характеристик происходит при стандартной температуре, равной +25ОС. В нашем случае они равны:
- напряжение между К-Б VCBO (Uкб max) — 40 В;
- напряжение между К-Э VCEO (Uкэ max) — 25 В;
- напряжение между Э-Б VEBO (Uэб max) — 5 В;
- ток через коллектор IC (Iк max) — 500 мА;
- мощность, рассеиваемая на коллекторном переходе – 300 мВт;
- температура кристалла от -55 до +150 ОС.
Кроме предельных следует рассмотреть и электрические величины. Их также следует учитывать, так как от них зависят возможности J3Y и сфера его применения. Они измеряются при той же температуре +25ОС. Другие важные для измерения параметры приведены в отдельной колонке следующей таблицы.
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Разность потенциалов при пробое К-Б | IC = 100мкA, IЕ = 0В | V(BR)CВO | 40 | В | ||
| Разность потенциалов при пробое К-Э | IC=10мA, IВ= 0 В | V(BR)CEО | 25 | В | ||
| Разность потенциалов при пробое Э-Б | IВ= 0 В, IC= 0 В | V(BR)EBO | 5 | В | ||
| Ток через К-Б (текущий в обратном направлении) | VCВ= 40В, IЕ = 0 | ICВO | 0,1 | мкА | ||
| Ток через К-Э (текущий в обратном направлении) | VCE= 20В, IВ= 0 | ICEХ | 0,1 | мкА | ||
| Ток через эмиттер (текущий в обратном направлении) | VEB = 6В, IC = 0 | IEBO | 0,1 | мкА | ||
| Статический к-т усиления | VCE=1 В,IC= 50 мA VCE=1 В, IC=500 мA | hFE1 hFE2 | 120 50 | 350 | ||
| Разность потенциалов К-Э (насыщения) | IC= 500мA, IB = 50мA | V CE(sat) | 0,6 | В | ||
| Разность потенциалов Б-Э (насыщения) | IC= 500мA, IB = 50мA | V ВE(sat) | 1,2 | В | ||
| Граничная частота к-та усиления | VCE=6 В, IC= 20 мA, f=30 МГц | fT | 150 | МГц |
Транзисторы J3Y делятся на две группы в зависимости от коэффициента усиления по току в схеме с общим эмиттером:
- L в диапазоне 120 … 200;
- H в диапазоне 200 …350.
Аналоги
Среди зарубежных транзисторов, с идентичными параметрами можно назвать следующие: MPS650, MPSA42, KSP06, MPS8050, KSP43, SS8050, 2SC1008, KSP42, S9013, MPS651, MPSA43, KSC1008, 2SD471A. Можно найти также отечественные аналоги для J3Y, это КТ6114(от А до В) и КТ968В. Имеется также комплементарная пара, это 2TY, который является устройством S8550 в SMD корпусе.
Производители
Среди зарубежных производителей отметим крупнейшие из них:
- Daya Electric;
- Diode Semiconductor Korea;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS;
- Shenzhen Yixinwei Technology;
- SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY;
- SUNMATE electronic;
- Tiger Electronic;
- Unisonic Technologies;
- Weitron Technology;
- Wing Shing Computer Components.
В отечественных магазинах можно встретить J3Y изготовленный такими компаниями:
