Характеристики диода 1N5819

Диоды Шоттки 1N5819 по своим техническим характеристикам подходят для использования в импульсных блоках питания, зарядных устройствах, выпрямителях высокой частоты. Ещё их применяют для фиксации нейтронных, а также альфа и бета лучей. Как и большинство подобных изделий, этот полупроводник отличается низким падением напряжения при прямом токе и может быстро переключаться.

Цоколевка

Помимо характеристик в Datasheet на 1N5819 указана цоколевка. Для чего это необходимо? Чтобы диод работал, он должен быть правильно подключен. Для этого нужно определить, где у него катод, а где анод. Рассматриваемое нами устройство выпускается в двух типах корпусов: для дырочного монтажа DO-41 и для навесного монтажа SOT-23. В первом случае возле катода нанесена светлая полоса, которая проходит по всему периметру. Во втором анод расположен на той стороне, где расположены две ножки, а катод там, где одна. Подробно расположение выводов приведено на рисунке ниже.

1N5819 Распиновка

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики диода 1N5819. Эти параметры измерялись при температуре окружающей среды +25ОС. Кроме этого в технических характеристиках сказано, что для проведения испытаний использовался однофазный полуволновой ток частотой 60 Гц и резистивная или индуктивная нагрузка. При использовании в схеме ёмкостной нагрузки ток должен быть уменьшен на 20%.

  • Предельно допустимое импульсное обратное напряжение VRRM 40 В;
  • Максимальное среднеквадратичное (действующее) напряжение VRMS 28 В;
  • Наибольшее постоянное обратное напряжение VDC 40 V
  • Максимальный постоянный прямой ток IF 1 А;
  • Предельно допустимый импульсный прямой ток, действующий не более 8,3мс IFSM 25 А;
  • Максимально возможное прямое напряжение VF 0,6 В;
  • Наибольший допустимый обратный ток IR 1,0 мА
  • Типичное тепловое сопротивление RqJL 15 ° C / Вт
  • Типичная емкость перехода CJ 110 пФ
  • Температурный диапазон перехода TJ — от 65 до + 125 ° C
  • Диапазон температур хранения TSTG — от 65 до + 125 ° C

Аналоги

Наиболее полным аналогом 1N5819 является диод 11DQ04. Существуют также изделия, в которых совпадает расположение выводов, но могут быть отличия в технических характеристиках, это 1N19, ITS5819, SB140, SR104. В качестве функциональной замены можно использовать 11DQ03. В крайнем случае, если других альтернатив нет, можно рассмотреть такие устройства: BYV10-40, MBR140P, VSK140.

Производители

Диод 1N5819 выпускают очень много зарубежных фирм. Перечислим их: Diodes Incorporated, Vishay Siliconix, Unisonic Technologies, STMicroelectronics, ON Semiconductor, Won-Top Electronics, Microsemi Corporation, Taiwan Semiconductor Company, Microdiode Electronics (Jiangsu), M/A-COM Technology Solutions, Pan Jit International, Fairchild Semiconductor, Leshan Radio Company, Nanjing International Group, TAITRON Components Incorporated.

Из них на отечественном рынке представлена продукция таких компаний: Dc Components, Diodes Incorporated (Datasheet находится тут), STMicroelectronics, MIC GROUP RECTIFIERS, Micro Commercial Components, Vishay Intertechnologies, ON SEMICONDUCTOR.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector