Транзистор П213Б содержит незначительное количество драгоценных металлов — всего 0,0009 грамма серебра на один экземпляр. Для удобства расчетов в технической документации указывается содержание серебра в тысячах штук — 0,9 грамма. Из-за столь мизерного содержания драгоценных металлов пункты приема не занимаются скупкой этих транзисторов, поскольку процесс их переработки (аффинажа) экономически нецелесообразен и не окупится даже при тысячекратном росте стоимости серебра.
Содержание драгметаллов в П213Б:
- Золото — 0;
- Платина — 0;
- Серебро — 0,0009 грамм;
- Золото — 0.
По законе аффинажем могут заниматься только компании имеющие на это лицензию, так как кислоты используемые в данном процессе могут нанести вред здоровью.
Цена
Стоимость данного транзистора зависит от количества серебра, так цена П213Б при сдаче на лом будет около 3 копеек. Но как мы сказали раньше их почти никто не принимает, лучше всего его использовать по назначению или продать на сайтах объявлений или в радиолавку, если конечно он в рабочем состоянии.
Общая характеристика транзистора
Транзисторы П213Б германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные. Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указан на корпусе. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г.
Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС». Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.123ТУ;
- приемка «5» СИ3.365.012ТУ;
- приемка «9» СИ3.365.012ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: AD1202, AD465, CD160, GD175, GDI170.
Основные технические характеристики транзистора П213Б:
- Структура транзистора: p-n-p;
- Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
- fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,2 МГц;
- Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
- Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 10 В;
- Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
- Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА;
- h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: более 40;
- Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,25 Ом.
Расшифровка маркировки биполярного транзистора
П213Б:
- П — буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П — плоскостной транзистор;
- 213 — число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 — германиевые мощные транзисторы низкой частоты;
- Б — буква, определяющая классификацию транзисторов по параметрам, изготовленных по единому технологическому процессу.
