Технические справочники указывают на наличие драгоценных металлов в конструкции транзистора П215. Однако их количество крайне незначительно: содержание серебра составляет всего 0,0008999 грамма, что делает его извлечение экономически нецелесообразным из-за высоких затрат на аффинаж.
Примечательно, что в транзисторах ранних выпусков также присутствовало минимальное количество золота — 0,00001 грамма, однако такие экземпляры в настоящее время являются большой редкостью и практически не встречаются в обороте.
Содержание драгметаллов в П215:
- Серебро — 0,0008999 грамм;
- Палладий — 0;
- Золото — 0;
- Платина — 0.
Золото (0,00001 грамма) может встречаться в моделях до 1980 года выпуска.
Цена
Стоимость определяется всем ценным что есть в устройстве, в данном случае цена П215 при сдаче на лом равна нулю. Так как скупщики его не принимают из-за нецелесообразности добычи драгметаллов из него.
Общая характеристика
П215 — транзистор мощный германиевый низкочастотный структуры P-N-P. Выполнен в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Предназначены для применения в усилителях НЧ, стабилизаторах постоянного напряжения и переключательных схемах. Используются для работы в радиотехнических и электронных устройствах общего и специального назначения. Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.
Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не более 4,5 г. Климатическое исполнение: «УХЛ». Категория качества: «ОТК», «ВП», «ОС».
Технические условия:
- приемка «1» аА0.336.123ТУ;
- приемка «5» СИ3.365.012ТУ;
- приемка «9» СИ3.365.012ТУ/Д6, аА0.339.190ТУ.
Зарубежный аналог: 2N2660, 2N2661, 2N2667, 6NU73, 7NU73, AD439, AD469, GD244.
Технические характеристики
Основные технические характеристики транзистора П215:
- Структура транзистора: p-n-p;
- Рк т max — Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
- fh21э — Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 0,15 МГц;
- Uкбо проб — Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
- Uэбо проб — Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 15 В;
- Iк max — Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 5 А;
- Iкбо — Обратный ток коллектора — ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,3 мА;
- h21Э — Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20… 150;
- Rкэ нас — Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,3 Ом.
Расшифровка маркировки транзистора
П215:
- П — буква, обозначающая тип полупроводникового прибора, где П — плоскостной транзистор;
- 215 — число, указывающее на область применения и исходный полупроводниковый материал, где от 201 до 299 — германиевые мощные транзисторы низкой частоты.
