Характеристики транзистора S9015

Давайте разберём характеристики кремниевова транзистора S9015, высокочастного, сделанного по эпитаксиально-планарной технологии и имеющий p-n-p структуру. Он был разработан специально для использования в предварительных малошумящих усилителях низкой частоты. Его также часто устанавливают в зарядных устройствах.

Цоколевка

Транзистор S9015 можно приобрести в пластиковом корпусе ТО-92 для дырочного и в SOT-23 (в этом случае наносится маркировка М6) для навесного монтажа. Если взять транзистор в первом типе упаковке, расположить выводами вниз и повернуть плоской стороной (той, на которой нанесена маркировка) к себе то слева будет эмиттер, потом база и справа коллектор. По рисунку можно ознакомиться с внешним видом и распиновкой.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики показывают возможности транзистора, то есть максимальные значения параметров, при которых он ещё может работать. Если они будут превышены, S9015 выйдет из строя. Они тестируются при стандартной фиксированной температуре, равной +25°С.

Максимальные характеристики S9015:

• напряжение К-Б: V_CBO = -50 В;
• напряжение К-Э: V_CEO = -45 В;
• напряжение Э-Б: V_EBO = -5 В;
• ток коллектора I_C = -0,1 А;
• мощность:
  • в корпусе ТО-92: Р_С = 0,45 Вт;
  • в корпусе SOT-23: Р_С = 0,2 Вт.
• температура кристалла: T_j = 150°С;
• диапазон температур хранения: Tstg = -55 … 150°С.

От электрических характеристик зависят возможности и сфера применения транзистора, поэтому их также нужно учитывать при разработке новых конструкций и подборе устройства для замены вышедшего из строя. Они были измерены при т-ре воздуха +25°С. Остальные параметры тестирования, влияющие на полученные результаты, приведены в отдельной колонке «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора S9015 (при Т = +25 оC)
Параметры	Условия измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Напряжение К-Б, требуемое для пробоя	IC = -100 мкA, IЕ = 0	V(BR)CВO	-50		В
Напряжение К-Э, требуемое для пробоя	IC = -1мA, IВ= 0	V(BR)CEО	-45		В
Напряжение Э-Б, требуемое для пробоя	IE = -100 мкA, IC = 0	V(BR)EBO	-5		В
Обратный ток коллектора	VCВО= -50 В, IЕ = 0	ICВO		-0,05	мкА
Обратный ток эмиттера	VEBО = -5 В, IC = 0	IEBO		-0,05	мкА
Статический к-т усиления в схеме с ОЭ	VCE = -5 В,IC = -1 мA	hFE	60	1000
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	IC = -0,1 A, IB= -0,01 A	V CE(sat)		-0,3	В
Напряжение насыщения база-эмиттер	IC = -0,1 мA, IB = -10 мA	V ВE(sat)		-1	В
Граничная частота коэффициента передачи тока	VCE = -5 В, IC = -0,01 A, f = 30 МГц	fT	100		МГц

В зависимости от коэффициента усиления h_FE транзисторы в корпусе ТО-92 делятся на четыре группы:

	A	B	C	D
hFE	от 60 до 150	от 100 до 300	от 200 до 600	от 400 до 1000

Для S9015 в упаковке для навесного монтажа деление производится на две части:

	L	H
hFE	от 200 до 450	от 450 до 1000

Аналоги

Существуют следующие иностранные аналоги транзистора S9015:

• BC320,
• KSA733.

Если пренебречь коэффициентом усиления, то для замены подойдут:

• MPS751;
• MPSA55;
• MPSA56;
• MPSW55;
• MPSW56.

Существуют также отечественные аналоги S9015:

• S9015A можно заменить на КТ3107А, КТ6112А;
• S9015В можно заменить на КТ3107И, КТ6112Б;
• S9015С можно заменить на КТ3107И, КТ6112В;
• S9015D можно заменить на КТ3107К, КТ6112Л.

Производители

Перечислим зарубежные компании, занимающиеся изготовлением рассматриваемого транзистора:

• Samsung semiconductor;
• Dc Components;
• Jiangsu Changjiang Electroncs Technology;
• DONGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
• Tiger Electronic;
• Galaxy Semi-Conductor Holdings Limited;
• Shenzhen Jin Yu Semiconductor;
• Weitron Technology;
• Samsung semiconductor;
• SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS;
• Nanjing International Group;
• Nanjing International Group.

В отечественных магазинах можно приобрести S9015 выпущенных следующими зарубежными фирмами:

• Fairchild Semiconductor;
• Daya Electric Group;
• SeCoS Halbleitertechnologie GmbH.

Datasheet от каждого из них можно скачать перейдя в данный раздел.