Сегодня поговорим о характеристиках транзистора 2SC5200 который изготовлен с использованием новой технологии BiT-LA (Bipolar Transistor for Linear Amplifier или в переводе на Русский язык Биполярный Транзистор для Линейного Усилителя).
Чаще всего используется в выходном каскаде усилителя звуковой частоты высокой мощности 100 Вт. Выделяется высокой рассеиваемой мощностью (150 Вт), большим током коллектора (15 А) и достаточно высокой граничной частотой коэффициента передачи тока (30 МГц).
Цоколевка
Цоколевку транзистора 2SC5200 будем рассматривать в корпусе TO-3PL (TO-264) в котором он производится. Если смотреть на маркировку сверху, то выводы будут располагаться слева на право в таком порядке:
- база;
- коллектор;
- эмиттер.
При нанесении маркировки часто первую букву и цифру пропускают и обозначение на корпусе выглядит так: «C5200».
Характеристики
Cначала приедем предельные технические характеристики 2SC5200:
- диапазон рабочих температур Tstg – 55 … 150ОС;
- наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе РС (Рк max) – 150 Вт;
- наибольшее напряжение между эмиттером и базой максимально возможное VEBO (Uэб max) – 5 В;
- наибольший возможный постоянный ток коллектора IC (Iк max) –15 А;
- максимальный ток через базу IВ (IБ max) – 1,5 А;
- предельно допустимое напряжение между коллектор-эмиттером VCEO (Uкэ max) –230 В;
- максимально возможное напряжение между коллектором и базой VCBO (Uкб max) – 230 В;
- максимально допустимая температура перехода – 150ОС.
Все указанные выше значения это максимальные возможности данного транзистора, на этих величинах он может работать небольшой промежуток времени. В нормальных условиях нагрузка должна быть на 30% меньше предельных для долгой и стабильной работы устройства.
Не стоит также забывать и об электрических характеристиках. Именно от них зависят возможности транзистора. Они снимаются при температуре +25ОС. Другие, важные для тестирования параметры, приведены в таблице в отдельной колонке, которая называется «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2SC5200 (при Т = +25 оC) | |||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм | |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC = 5 мA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 230 | В | |||
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC=10 мA, RВE= ∞ | V(BR)CEО | 230 | В | |||
| Пробивное напряжение эмиттер-база | IE= 5 мA, IC= 0 | V(BR)EBO | 5 | В | |||
| Обратный ток коллектора | VCВО= 230 В, IЕ = 0 | ICВO | 5,0 | мА | |||
| Обратный ток эмиттера | VЕВ= 5 В, IС = 0 | IEBO | 5,0 | мА | |||
| Статический коэффициент передачи тока | VСЕ = 5 В, IC = 1 A | hFE1 | 55 | 160 | |||
| VCE=5В, IC= 7 A | hFE2 | 35 | 60 | ||||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC=8 A, IB=0,8 A | V CE(sat) | 0,4 | 3 | В | ||
| Напряжение насыщения база-эмиттер | VCE =5 В, IС=7 A | V ВE(on) | 1,0 | 1,5 | В | ||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5В, IC= 1 A, | fT | 30 | МГц | |||
| Выходная ёмкость | VCB=10 В, f=1 MHz | Сob | 200 | пФ | |||
| Термическое сопротивление между кристаллом и корпусом | RθJC | 0,83 | ОС/Вт | ||||
Также все 2SC5200 можно разделить на две группы в зависимости от коэффициента усиления.
| R | O | |
| hFE1 | 55 … 110 | 80 … 160 |
Аналоги
В качестве аналога 2SC5200 можно рассмотреть следующие варианты:
- FJL4315;
- KTC5242;
- 2SC5242;
- 2SD1313;
- 2SC3320;
- 2SC5358;
- FJA4313;
- 2SC6011;
- KTC5200.
Перед заменой обязательно уточните характеристики транзисторов, и только после этого принимать решение о замене. Как написано в документации производителей, комплементарной парой для 2SC5200 является 2SA1943.
Производители
Ниже приведём список производителей транзистора 2SC5200 и их datasheet:
- Fairchild Semiconductor;
- STMicroelectronics;
- New Jersey Semi-Conductor Products;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- Thinki Semiconductor.
В продаже в России наиболее часто можно встретить продукцию, выпущенную фирмой
