В технических характеристиках на C5027-R указанно, что он имеет высокую скорость переключения и отличается хорошей надёжностью. Относится к мощным кремниевым n-p-n транзисторам. Обычно его используют в импульсных регуляторах и высоковольтных переключающих схемах.
Цоколевка
Изготавливают C5027-R в корпусе ТО-220, который западные производители обычно используют для транзисторов мощностью порядка 50 Вт, или немного ниже. Если расположить его лицевой стороной к себе, то есть так, чтобы бала видна надпись на корпусе, а ножки должны смотреть вниз, то первой слева ножкой будет база, второй коллектор, а третьей эмиттер. Обычно, при нанесении маркировки, компании пропускают первые две буквы «KS» и остаётся только «C5027R».
Технические характеристики
Рассмотрим максимально допустимые технические значения, так как именно их нужно учитывать в первую очередь при проектировании собственных устройств и подборе замены вышедшему из строя транзистору. Следует помнить что их превышение, даже на короткий промежуток времени может привести в выходу прибора из строя. Их измерение всегда производится при стандартной температуре +25°С.
Для C5027-R эти характеристики равны:
- напряжение К — Б VCBO = 1100 В;
- напряжение К – Э VCEO = 800 В;
- напряжение Э — Б VEBO = 7 В;
- ток коллектора постоянный IC = 3 А;
- ток коллектора импульсный ICР = 10 А;
- ток через базу IВ = 1,5 А;
- максимальная мощность на коллекторе РС = 50 Вт;
- т-ра кристалла Tj = 150ОС;
- диапазон температур, при которых KSC5027-R может сберегаться Tstg = 55 … 150ОС.
| Электрические характеристики транзистора C5027-R (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К — Б | IC = 1 мA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 1100 | В | ||
| Пробивное напряжение К — Э | IC=5 мA, RВE= ∞ | V(BR)CEО | 800 | В | ||
| Пробивное напряжение эмиттер-база | IE= 1 мA, IC= 0 | V(BR)EBO | 7 | В | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= 1,5 A; IB= 0.3 A | VCE(sat) | 2 | В | ||
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= 1,5 A; IB= 0.3 A | VВE(sat) | 1,5 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВО= 800 В, IЕ = 0 | ICВO | 10 | мА | ||
| Обратный ток эмиттера | VЕВ= 5 В, IС = 0 | IEBO | 10 | мА | ||
| Статический коэффициент передачи тока | IC= 5 A; VCE= 0,2 В | hFE1 | 10 | 40 | ||
| IC= 5 A; VCE= 1 В | hFE2 | 8 | ||||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=10В,IC=0,2 A, | fT | 15 | МГц | ||
| Выходная емкость | IE= 0 А, VCB=10 В, f=1 мГц | Сob | 60 | пФ | ||
| Время включения | IC=5A, IB1=1A; VCC=400В,RL=200Ом
IC= 5IB1= -2,5IB2= 2А |
ton | 0,5 | мс | ||
| Время удержания | tSTG | 3 | мс | |||
| Время выключения | tf | 0,3 | мс | |||
Транзисторы C5027-R также делятся на три группы, в зависимости от коэффициента передачи тока (измеряется при следующих значениях: IC= 5 A; VCE= 0,2 В).
- N не менее 10 и не более 20;
- R не менее 15 и не более 30;
- O не менее 20 и не более 40.
Аналоги
Среди аналогичных транзисторов, на которые можно заменить C5027-R, назовём следующие:
- 2SC3752;
- FJPF5027;
- 2SC2979.
Близким по параметрам является BUL216. Подходящих отечественных аналогов нет. Перед заменой, нужно изучить технические характеристики обеих устройств и только после этого принимать решение.
Производители и Datasheet
Изготавливают транзистор C5027-R (datasheet по клику на названия) следующие зарубежные компании:
В отечественных магазинах можно купить устройства, выпущенные фирмами:
