Транзистор D209L отличается высоким напряжением пробоя, надёжностью и отличной скоростью переключения. Наиболее часто используется в переключающих схемах, ультразвуковых генераторах, высокочастотных инверторах и усилителях мощности.
Характеристики транзистора D209L
- разность потенциалов между К-Б (при VBE = 0) VCBO (Uкб max) = 700 В;
- напряжение, действующее между К-Э (при IB = 0) VCEO (Uкэ max) = 400 В;
- потенциалов между Э-Б (при IС = 0) VEBO (Uэб max) = 9 В;
- ток коллектора, действующий длительное время IC (Iк max) = 12 А;
- кратковременный ток через коллектор ICP (Iк пик) = 26 А;
- постоянный ток через базу IВ (IБ max) = 6 А;
- рассеиваемая мощность на коллекторе (при температуре окружающей среды +25ОС):
- — с радиатором РС (Рк max) = 130 Вт;
- — без радиатора РС (Рк max) = 2,3 Вт.
- диапазон температур хранения и работы Tstg = -40 … +150ОС;
- температура кристалла макс. Tj = 150ОС;
- термическое сопротивление кристалл – корпус RθJc = 0,96 °С/Вт;
- термическое сопротивление кристалл – окружающая среда RθJA = 40 °С/Вт.
Помимо основных не стоит забывать о электрических характеристиках, все измерения проводились при температуре +25ОС. Все остальные условия измерения если они есть, указаны в одноименном столбце.
| Электрические характеристики транзистора D209L (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К — Э | IC= 10 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 400 | В | ||
| Пробивное напряжение К — Б | IC =1 мA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 700 | В | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= 5 A, IB = 1 A | VCE(sat) | 1 | В | ||
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= 8 A, IB = 1,6 А | VВE(sat) | 1,2 | В | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 7 В, IC = 0 | IEBO | 0,01 | мА | ||
| К-т усиления по току | IC = 5 A ; VCE = 5 В | hFE1 | 8 | 40 | ||
| IC = 8 A ; VCE = 5 В | hFE1 | 6 | 30 | |||
| Граничная частота усиления | VCE =10В , IC = 100 мA, f=1МГц | fT | 5 | МГц | ||
| Время открытия транзистора | IC = 8A , IB1 = -IB2 = 1.6A | ts | 3 | мкс | ||
| Время закрытия транзистора | tf | 0,7 | мкс | |||
Рассмотрим график зависимости к-та передачи тока от тока коллектора. На рисунке представлены четыре графика: для температуры 25°С два графика (один для VCE = 5 В, а второй для VCE = 1 В) и два для ТС = 125°С. Из приведённых данных видно, что усиление D209L сначала остаётся постоянным, пока ток коллектора не превысит отметку 1 А, а потом начинает падать. При этом чем выше температура, тем выше к-т усиления. Также видно, что чем меньше напряжение коллектор – эмиттер, тем быстрее начинает снижаться усиление.
Цоколевка
Изготавливается транзистор в корпусе TO-3PN. Если смотреть на D209L со стороны маркировки, то ножки будут располагаться слева направо в таком порядке: база, коллектор, эмиттер. Увидеть расположение выводов можно на рисунке.
Аналоги
Есть вы подбираете аналог для D209L то стоит присмотрится к следующим транзисторам:
- 2SC2625;
- 2SC3320;
- 2SC4242;
- ST13009L.
Наиболее близкий аналог их отечественных устройств будет КТ872.
Datasheet D209L
Данный транзистор изготавливают следующие компании:
D209L не всегда можно найти в отечественных магазина, обычно его покупают на алиэкспрессе, где можно найти продукцию всех перечисленных производителей.
