Характеристики транзистора IRF510

В данном разделе приведём технические характеристики MOSFET транзистора IRF510. Разработан данный полевик специально для использования там, где важна высокая скорость переключения. Например, его можно встретить в импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями постоянного и переменного тока и в других импульсных схемах. Этим устройством можно управлять напрямую от интегральных микросхем или микроконтроллеров.

Цоколевка

Большинство компаний занимающихся выпуском данного прибора изготавливают его в корпусе ТО-220АВ. На рисунке ниже изображена цоколевка IRF510 (расположение ножек) транзистора. Здесь цифрой 1 обозначен затвор, 2 – сток, 3 – исток. Этот прибор в других корпусах не производится.

Технические характеристики IRF510

• предельно допустимое напряжение между стоком и истоком V_DS = 100 В;
• допустимое отпирающее напряжение между затвором и истоком V_GS = ±20 В;
• максимально возможный постоянный ток стока при температуре +25^ОС I_D = 5,6 А;
• предельно возможный пиковый (импульсный) ток стока I_DМ = 20 А;
• максимальная рассеиваемая мощность (P_D) — 43 Вт;
• температура хранения от — — 55 до +175 °C;
• максимальная температура кристалла – +175 °C;

Кроме рассмотренных выше максимально допустимых параметров, разработчику нужно также знать и электрические характеристики используемого прибора. Фирмы, выпускающие рассматриваемое нами устройство размещают их сразу после предельно допустимых. Значения, приведённые в таблице ниже, были измерены при температуре +25^ОС. Значения остальных физических величин, при которых производились измерения, приведены в отдельном столбце.

В документации от производителей можно также найти тепловые характеристики. Их нужно учитывать при выборе системы охлаждения для проектируемого устройства.

Аналоги

Транзисторы считающиеся полными аналогами IRFP260N, это те, которые подходят как по своим предельно допустимым и электрическим характеристикам, так и по расположению выводов:

• D84BL1;
• D84BL2;
• MTP4N08;
• MTP4N10.

Существуют также приборы, у которых расположение ножек полностью идентично, но имеются незначительные различия в электрических величинах. Прежде чем использовать такие устройства нужно определить в какой схеме, и для каких целях будет использоваться устройство. Список ближайших аналогов:

• RFP6P08;
• RFP6P10;
• STP7NE10.

В случае, если найти один из перечисленных выше устройств проблематично, можно попытаться заменить его на функциональный аналог. В этом случае транзисторы входят в одну функциональную группу и обладают похожими характеристиками. В таком случае, при замене, может потребуется изменить положение элемента на монтажной плате. Перечислим данные приборы:

• 2SK2399;
• RFP2N08;
• RFP2N08L;
• RFP2N10;
• RFP2N10L;
• 2SK2399.

Отечественная промышленность также выпускает похожие изделия: КП510 и КП743А.

Производители

Ниже представлен список компаний производителей и их datasheet на IRF510:

• Intersil Corporation;
• New Jersey Semi-Conductor Products;
• Harris Corporation;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• Supertex;
• ARTSCHIP ELECTRONICS.

На Российском рынке можно встретить продукцию таких зарубежных фирм:

• Fairchild Semiconductor;
• Vishay Siliconix.