Согласно своим техническим характеристикам, транзистор IRF630 хорошо подходит для использования в импульсных блоках питания, преобразователях тока в постоянный или переменный, стабилизаторах, системах управления двигателями и других устройствах. Это мощный, n-канальный, полевой транзистор. Они завоевали популярность благодаря сочетанию таких качеств: быстрое переключение, надёжность, низкое сопротивления в открытом состоянии и экономическая эффективность.
Распиновка
Цоколевка транзистора IRF630 выполнена в корпусе ТО-220. Маркировка наносится сверху. Если смотреть на устройство, то слева направо будут расположены: затвор, сток, исток, как это показано на рисунке.
Предельно допустимые параметры это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены. Их превышение, так же, как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке изделия. Приведём их ниже.
Характеристики IRF630
- напряжение C-И VDS = 200 В;
- напряжение З-И VGS = 20 В;
- ток через сток (напряжение З-И 10 В): при Тс= +25°С – ID = 9,0 А; при Тс= +100°С — ID = 5,7 А;
- пиковый ток стока IDM = 36 А;
- к-т линейного снижения мощности 0,59 Вт/°С;
- Предельная рассеиваемая мощность (TC = +25°С) PD = 74 Вт;
- Максимальная температура +300°С;
- Рабочая температура (диапазон) -55°С … +150°С.
Электрические характеристики производители делят на три раздела:
- статические;
- динамические;
- канала исток-сток.
Измерения производились при температуре +25°С, если не указано иное значение. Остальные параметры, при которых производилось тестирование, указаны в отдельной колонке.
Электрические характеристики транзистора IRF630 (при Т = +25 оC) | ||||||
Статические: | ||||||
Наименование | Режимы измерения | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм |
Напряжение пробоя С-И | VGS= 0 В,ID= 250 мА | VDS | 200 | В | ||
Температурный к-т изменения напряжения С-И | относительно 25°C, ID = 1 мА | 0,24 | В/°С | |||
Пороговое напряжение З-И | VDS= VGS, ID=250 мА | VGS(th) | 2 | 4 | В | |
Ток утечки затвора | VGS= ± 20 В | IGSS | ±100 | нА | ||
Ток стока при нулевом напряжении затвора | VDS=200 В, VGS= 0 V | IDSS | 25 | мкА | ||
VDS=160 В, VGS=0 В, TJ= 125 °C | 250 | мкА | ||||
Сопротивление С-И при открытом транзисторе | VGS= 10 В, ID= 5,4 A | RDS(on) | 0,4 | Ом | ||
Крутизна передаточной характеристики | VDS= 50 В, ID= 5,4 A | gfs | 3,8 | |||
Динамические: | ||||||
Наименование | Режимы измерения | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм |
Входная емкость | VGS= 0 В, VDS= 25 В,
f = 1,0 МГц |
Ciss | 800 | пФ | ||
Выходная емкость | Coss | 240 | пФ | |||
Емкость З-И | Crss | 76 | пФ | |||
Заряд на затворе открывающий транзистор | VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В | Qg | 43 | нКл | ||
Заряд З-И | VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В | Qgs | 7 | нКл | ||
Заряд З-С | VGS= 10 В, ID= 5.9 A, VDS= 160 В | Qgd | 23 | нКл | ||
Время открытия транзистора | VDD=100 В, ID=5,9A, Rg=12Ом, RD=16Ом | td(on) | 9,4 | нс | ||
Время нарастания импульса открытия | tr | 28 | нс | |||
Время закрытия транзистора | td(off) | 39 | нс | |||
Время спада импульса | tf | 20 | нс | |||
Индуктивность стока | LD | 4,5 | нГн | |||
Индуктивность истока | LS | 7,5 | нГн | |||
Характеристики канала исток-сток: | ||||||
Наименование | Режимы измерения | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм |
Непрерывный длительный ток через истоковый диод | IS | 9 | А | |||
Максимальный импульсный ток через диод | ISM | 36 | А | |||
Падение напряжения на диоде | TJ= 25 °C, IS= 9,0 A, VGS= 0 В | VSD | 2 | В | ||
Время обратного восстановления | TJ= 25 °C, IF= 5,9 A, dI/dt = 100 A/мкС | trr | 170 | 340 | ||
Заряд восстановления | Qrr | 1,1 | 2,2 |
Аналоги
Перечислим полевые транзисторы, которые совпадают с IRF630 как по характеристикам, так и по типу корпуса:
- 2SK2134;
- BUZ32;
- BUZ73;
- FQP10N20;
- FQP630;
- FQP7N20.
Можно также попробовать заменить на следующие устройства, близкие по многим характеристикам, но все же имеющими небольшие отличия:
- FQP7N20;
- FQP630.
Наиболее близкие отечественные аналоги: КП630 и КП737А.
Производители и Datsheet
Среди крупных производителей IFR630 (datasheet можно скачать кликнув название компании) можно выделить: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR, VISHAY, STMicroelectronics, Philips Semiconductors, Advanced Power Electronics, Nell Semiconductor, International Rectifier. Есть также и другие производители. В отечественны магазинах чаще всего встречается продукция компаний: STMicroelectronics, VISHAY и International Rectifier.