Если проанализировать характеристики биполярного транзистора MJE13007, можно предположить что он разрабатывался для установки в высоковольтных индуктивных цепях переключения мощности, где критично время спада. Они особенно подходят для установки схемы переключения, работающих под напряжением 115 В и 220 В, таких как импульсные регуляторы и инверторы, а также могут использоваться в системах управления двигателями, соленоидами, переключающими реле и схемам отклонения. Структура этого устройства n-p-n. Буквы MJE в названии говорят о то что разработан он был компанией Motorola.
Цоколевка
Изготавливается MJE13007 в корпусе ТО-220. Выводы транзистора расположены в следующем порядке: слева расположена база, потом идёт коллектор и самая правая ножка – это эмиттер. Часто его маркируют без первых букв MJE, как 13007. Масса – 2,5 г. Внешний вид и распиновка представлены на рисунке.
Технические характеристики
В начале рассмотрим, как это делают производители в технической документации, максимально допустимые характеристики. Они устанавливают предел возможностей MJE13007, так как при превышении данных показателей транзистор может выйти из строя. Их измеряли при стандартной температуре +25°С. Вот они:
- напряжение Б-К VCBO (Uкб max) = 700 В;
- напряжение Э-К VCЕO (Uкэ max) = 400 В;
- напряжение Э-Б VЕВO (Uэб max) = 9 В;
- ток коллектора, текущий постоянно IC (Iк max) = 8 А;
- ток коллектора, текущий небольшой промежуток времени (импульсный) IC (Iк max) = 16 А;
- ток базы (постоянный) IВ (IБ max) = 4 А;
- мощность PС (Рк max) = 80 Вт;
- предельная т-ра кристалла Tj = +150°С;
- т-ра, при которой он может работать Tstg = -65 … +150°С.
Теперь рассмотрим электрические значения MJE13007. От них зависит сфера применения и возможности транзистора. Они измерялись при той же температуре, что и предельно допустимые характеристики. Остальные важные параметры тестирования приведены в строке «Условия измерения».
| Электрические х-ки транзистора MJE13007 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К-Б | IC = 1 мA, IE=0 | V(BR)CВO | 700 | В | ||
| Пробивное напряжение К-Э | IC=10 мA, IB=0 | V(BR)CEО | 400 | В | ||
| Пробивное напряжение Э-Б | IE= 1 A, IC=0 | V(BR)EBO | 9 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВ = 700 В, IE=0 | ICВO | 100 | мкА | ||
| Обратный ток К-Э | VCE= 400 В, IB=0 | ICEО | 100 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 9 В, IC=0 | IEBO | 100 | мкА | ||
| Напряжение насыщения К-Э | IC= 2 A, IB = 0,4 A | V CE(sat) | 1 | В | ||
| IC= 5 A, IB = 1 A | 2 | |||||
| IC= 8 A, IB = 2 A | 3 | |||||
| Напряжение насыщения Б-Э | IC= 2 мA, IB = 0,4 A | V ВE(sat) | 1,2 | В | ||
| IC= 5 A, IB = 1 A | 1,6 | |||||
| Выходная ёмкость | VCB = 10В, f = 0,1 МГц | Cob | 110 | пФ | ||
| К-т усиления по току | VCE = 5 В, Ic=2 A | hFE(1) | 19 | 36 | ||
| VCE = 5 В, Ic=8 A | hFE(2) | 5 | ||||
| Граничная частота к-та передачи тока | VCE=10 В, IC= 0,5 A,
f=1 МГц |
fT | 4 | МГц | ||
| Время закрытия | IC=500 мA | tF | 0,5 | мкс | ||
| Время рассасывания. | tS | 3 | 4 | мкс | ||
Аналоги
Наиболее подходящие аналоги 13007:
- 2SC2335;
- 2SC4273;
- MJE13009.
Существует также отечественный аналог, это КТ8126А.
Производители и Datsheet
Назовём главных производителей 13007 и приведёт их datasheet:
- Micro Commercial Components;
- Shenzhen SI Semiconductors;
- Mospec Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- Tiger Electronic;
- Motorola;
- Dc Components;
- ARTSCHIP ELECTRONICS;
- Comset Semiconductor;
- Wing Shing Computer Components;
- New Jersey Semi-Conductor Products.
В магазинах продаются транзисторы компаний:
