Характеристики транзистора П214А

Характеристики транзистора П214А позволяют использовать его в оконечных каскадах УНЧ, переключающих схемах и преобразователях электрического напряжения. Изготавливаются по сплавной технологии. Это германиевые устройства, имеющие p-n-p структуру.

Цоколевка

П214А выпускаются в корпусе ТО-2, с жёсткими выводами, в нем и будем рассматривать цоколевку. Сверху на металлостеклянной упаковке имеется маркировка, на которой можно прочитать название устройства и дату его выпуска. Масса изделия — 12,5 г. С назначением выводов можно ознакомиться по рисунку, на котором также представлены геометрические размеры устройства.

Технические характеристики

Вначале рассмотрим максимально допустимые характеристики транзистора П214А:

• ток через коллектор, который П214А способен выдерживать долго – 5 А;
• ток через базу, который может течь постоянно – 0,5 А;
• разность потенциалов К-Э (измерен при R_б < 50 Ом) – 55 В;
• разность потенциалов К-Э (тестирование проводилось при разомкнутой базе) – 45 В;
• разность потенциалов К – Б – 60 В;
• разность потенциалов Б – Э – 15 В;
• рассеиваемая на П214А мощность, в случае если теплоотвод отсутствует – 1,7 Вт;
• рассеиваемая мощность при т-ре не более +45^ОС, с теплоотводом – 11,5 Вт;
• т-ра кристалла – от -60 до +85 ^ОС;
• рабочая т-ра — от -60 до +70 ^ОС.

Как и для большинства электронных устройств, тестирование проводилось при стандартной температуре +25°С.

Электрические характеристики транзистора П214А (при Т = +25 оC)
Название параметра	Обозн	Режимы измерения	MIN	MAX	Ед. изм.
Граничная частота усиления  для схемы с ОЭ	fгр		150		кГц
Статический к-т усиления тока для схемы с ОЭ	h21э	Uкэ = 5 B, Iк = 0,2 A	50	150
Разность потенциалов насыщения К — Э	Uкэ нас	Iк=3 A, Iб=0,37 A		0,9	В
Разность потенциалов насыщения К — Э	Uбэ нас	Iк=2,5 A, Iб=0,37 A		1,2	В
Плавающая разность потенциалов Э — Б	Uэб пл	Т = +70ОС		0,3	В
Обратный ток через коллектор	Iкбо	UКБ = 60 В Тк=+20ОС		0,3	мА
Обратный ток через коллектор	Iкбо	UКБ = 60 В, Тк=+70ОС		2,5	мА
Обратный ток через эмиттер	Iкэо	Т=+20ОС, UБЭ = 15 В		0,3	мА
Обратный ток через эмиттер	Iкэо	Т=+70ОС, UБЭ = 15 В		2,5	мА

В DataSheet на П214А можно найти также правила монтажа:

• транзистор требуется надёжно закрепить на теплоотводе или шасси латунными болтами (для согласования температурных к-тов расширения), для этого в комплекте с устройством идёт фланец;
• диаметр отверстия, в которое крепится П214А (в шасси или теплоотводе) не может превышать 5 мм;
• чтобы изолировать корпус (который одновременно является коллектором) от теплоотвода между ними устанавливается слюдяная прокладка, в этом случае тепловое сопротивление переход-теплоотвод повышается на 0,5 °С/Вт при увеличении толщины прокладки на 50 мкм;
• изгиб и пайка ножки допускается только в их плоской части;
• при подключении устройства первым должен подсоединяться вывод базы, также нельзя отсоединять базу при наличии разности потенциалов между коллектором и эмиттером.

Обратите внимание! Данный транзистор можно сдать скупщикам радиолома, так как в нем присутствует серебро. Подробно можно узнать в справочнике по драгметаллам.

Аналоги

Перечислим зарубежные аналоги, на которые можно заменить П214А при выходе его из строя:

• 2N350A, AD456;
• 2N663, AD450;
• AD458, AD461;
• AD451, AD438;
• AD460, AD463;
• AUY18, 2N2659;
• 2N2665, AD264;
• 2N2666, 2N350;
• AD455, AD263.

Не все из них имеют полностью идентичные характеристики, поэтому перед принятием решения следует ознакомиться с технической документацией. Из всех перечисленных транзисторов в магазине реально найти только 2N350.

Производители

На данный момент существует только один производитель П214А, это АООТ Воронежский завод полупроводниковых приборов.