Характеристики транзистора П214А

Характеристики транзистора П214А позволяют использовать его в оконечных каскадах УНЧ, переключающих схемах и преобразователях электрического напряжения. Изготавливаются по сплавной технологии. Это германиевые устройства, имеющие p-n-p структуру.

Цоколевка

П214А выпускаются в корпусе ТО-2, с жёсткими выводами, в нем и будем рассматривать цоколевку. Сверху на металлостеклянной упаковке имеется маркировка, на которой можно прочитать название устройства и дату его выпуска. Масса изделия — 12,5 г. С назначением выводов можно ознакомиться по рисунку, на котором также представлены геометрические размеры устройства.

П214А распиновка

Технические характеристики

Вначале рассмотрим максимально допустимые характеристики транзистора П214А:

  • ток через коллектор, который П214А способен выдерживать долго – 5 А;
  • ток через базу, который может течь постоянно – 0,5 А;
  • разность потенциалов К-Э (измерен при Rб < 50 Ом) – 55 В;
  • разность потенциалов К-Э (тестирование проводилось при разомкнутой базе) – 45 В;
  • разность потенциалов К – Б – 60 В;
  • разность потенциалов Б – Э – 15 В;
  • рассеиваемая на П214А мощность, в случае если теплоотвод отсутствует – 1,7 Вт;
  • рассеиваемая мощность при т-ре не более +45ОС, с теплоотводом – 11,5 Вт;
  • т-ра кристалла – от -60 до +85 ОС;
  • рабочая т-ра — от -60 до +70 ОС.

Как и для большинства электронных устройств, тестирование проводилось при стандартной температуре +25°С.

Электрические характеристики транзистора П214А (при Т = +25 оC)
Название параметра Обозн Режимы измерения MIN MAX Ед. изм.
Граничная частота усиления  для схемы с ОЭ fгр 150 кГц
Статический к-т усиления тока для схемы с ОЭ h21э Uкэ = 5 B, Iк = 0,2 A 50 150
Разность потенциалов насыщения К — Э Uкэ нас Iк=3 A, Iб=0,37 A 0,9 В
Разность потенциалов насыщения К — Э Uбэ нас Iк=2,5 A, Iб=0,37 A 1,2 В
Плавающая разность потенциалов Э — Б Uэб пл Т = +70ОС 0,3 В
Обратный ток через коллектор Iкбо UКБ = 60 В

Тк=+20ОС

0,3 мА
Обратный ток через коллектор Iкбо UКБ = 60 В, Тк=+70ОС 2,5 мА
Обратный ток через эмиттер Iкэо Т=+20ОС, UБЭ = 15 В 0,3 мА
Обратный ток через эмиттер Iкэо Т=+70ОС, UБЭ = 15 В 2,5 мА

В DataSheet на П214А можно найти также правила монтажа:

  • транзистор требуется надёжно закрепить на теплоотводе или шасси латунными болтами (для согласования температурных к-тов расширения), для этого в комплекте с устройством идёт фланец;
  • диаметр отверстия, в которое крепится П214А (в шасси или теплоотводе) не может превышать 5 мм;
  • чтобы изолировать корпус (который одновременно является коллектором) от теплоотвода между ними устанавливается слюдяная прокладка, в этом случае тепловое сопротивление переход-теплоотвод повышается на 0,5 °С/Вт при увеличении толщины прокладки на 50 мкм;
  • изгиб и пайка ножки допускается только в их плоской части;
  • при подключении устройства первым должен подсоединяться вывод базы, также нельзя отсоединять базу при наличии разности потенциалов между коллектором и эмиттером.

Аналоги

Перечислим зарубежные аналоги, на которые можно заменить П214А при выходе его из строя:

  • 2N350A, AD456;
  • 2N663, AD450;
  • AD458, AD461;
  • AD451, AD438;
  • AD460, AD463;
  • AUY18, 2N2659;
  • 2N2665, AD264;
  • 2N2666, 2N350;
  • AD455, AD263.

Не все из них имеют полностью идентичные характеристики, поэтому перед принятием решения следует ознакомиться с технической документацией. Из всех перечисленных транзисторов в магазине реально найти только 2N350.

Производители

На данный момент существует только один производитель П214А, это АООТ Воронежский завод полупроводниковых приборов.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector