Все технические характеристики на транзистор 2N2222 всегда указывают в своих datasheet производители устройства. Ниже мы приведём все основные параметры которые обязательны для ознакомления перед его использованием.
Впервые был представлен в 1962 году на конференции проводимой Институтом Инженеров радиоэлектронщиков. С тех пор 2N2222 завоевал огромную популярность и стал для зарубежной радиоэлектроники таким же важным как у нас КТ315. Уже изготовлено (по эпитаксиально-планарной технологии) несколько миллиардов 2N2222, и спрос на них ещё существует.
Цоколевка
Основным корпусом для 2N2222 является ТО-18, в нем же и будем рассматривать распиновку. Некоторые производители упаковывают тот же кристалл в ТО-92 для дырочного или SOT-23 и SOT-223 для навесного монтажа. При этом они имеют те же характеристики, но коллекторный ток у них ниже, из-за худших тепловых характеристик. Транзисторы в корпусе ТО-92 могут маркироваться PN2222 или P2N2222, при этом расположение выводов у них разное.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых параметров. Они важны, так как если превысить эти значения, то транзистор выйдет из строя. Их измерение производилось при температуре 25°С. Для 2SC945 они равны:
- структура N-P-N;
- напряжение К – Б 60 В;
- напряжение К – Э 30 В;
- напряжение Э – Б 5 В;
- ток коллектора 800 мА;
- пиковый ток коллектора 800 мА;
- пиковый ток базы 200 мА;
- мощность без теплоотвода 500 мВт;
- мощность с теплоотводом 1,2 Вт;
- температура хранения -55 … +150°С;
- температура кристалла Тj = +150°С.
Теперь рассмотрим электрические характеристики, от них напрямую зависят возможности транзистора. Их измерения производились также при температуре 25°С. Остальные параметры, от которых зависят результаты измерения, приведены в следующей таблице в отдельной колонке «Условия тестирования».
| Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25°C) | |||||
| Параметры | Условия тестирования | Обоз | мин | мах | Ед. изм |
| Обратный ток коллектора | VCB =50В, IЭ = 0 | ICBO | 10 | нА | |
| VCB =50В, IЭ = 0,
Tamb = 150°C |
ICBO | 10 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | IC = 0; VEB = 3 В | IEBO | 10 | нА | |
| Коэффициент усиления | IC = 0,1 мА; VCE = 10 В | hFE | 35 | ||
| IC = 1 мА; VCE = 10 В | 50 | ||||
| IC = 10 мА; VCE = 10 В | 75 | ||||
| IC = 150 мА; VCE = 10 В | 100 | 300 | |||
| Напряжение насыщения К — Э | IC =150 мA; IB = 15 мA | VCE(sat) | 400 | мВ | |
| IC =500 мA; IB = 50 мA | 1,6 | В | |||
| Напряжение насыщения Б — Э | IC =150 мA; IB = 15 мA | VВE(sat) | 1,3 | В | |
| IC =500 мA; IB = 50 мA | 2,6 | В | |||
| Коллекторная ёмкость | IE=ie=0; VCB=10В; f=1 МГц | 8 | пФ | ||
| Граничная частота коэффициента усиления | IC = 20 мA; VCE = 20 В;
f = 100 МГц |
250 | МГц | ||
| Время включения | ICon = 150 мA;
IBon = 15 мA; IBoff = −15 мA |
ton | 35 | нс | |
| Время задержки | td | 10 | нс | ||
| Время нарастания | tr | 25 | нс | ||
| Время выключения | toff | 250 | нс | ||
| Время рассасывания | ts | 200 | нс | ||
| Время спада | tf | 60 | нс | ||
Аналоги
Перечислим зарубежные аналоги 2N2222:
- BC107B;
- BC109.
Среди отечественных транзисторов также есть аналог – это КТ3117.
В качестве компланарной пары производители советуют использовать 2N2907.
Производители и Datasheet
Изготовлением транзистора 2N2222 (datasheet можно скачать кликнув на название) занимаются следующие фирмы:
- NXP Semiconductors;
- SEMTECH ELECTRONICS;
- New Jersey Semi-Conductor Products;
- Siemens Semiconductor Group;
- Foshan Blue Rocket Electronics.
В отечественные магазины предоставляют свою продукцию следующие зарубежные компании:
