Согласно техническим характеристикам, 2N3055 – это мощный кремниевый транзистор, изготовленный с использованием технологии эпитаксиальной базы. Его структура n-p-n. Обычно его устанавливают в выходных каскадах усилителей общего применения, коммутационных схемах и различных регуляторах.
Цоколевка
Распиновку 2N3055 рассмотрим в металлическом корпусе ТО-3 в котором он изготавливается. В нем имеется две ножки, база и эмиттер, а в качестве коллектора используется корпус. В комплект поставки также входит изолирующая прокладка с креплением. Расположение выводов, внешний вид и основные характеристики транзистора приведены на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрим максимально допустимые технические характеристики 2N3055. Они были измерены при стандартной температуры +25°С. Важность их обуславливается тем, что они показывают предельные возможности устройства, при превышении которых транзистор выйдет из строя. В нашем случае они равны:
- напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = 100 В;
- напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = 70 В;
- напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = 7 В;
- ток через коллектор Iк max (IC) = 13 А;
- ток через коллектор Iб max (Iв) = 7 А;
- мощность без теплоотвода Pк max (PD) = 6 Вт;
- коэффициент снижения мощности в зависимости от температуры 34,3 мВт/°С;
- мощность с теплоотводом Pк max (PD) = 117 Вт;
- коэффициент снижения мощности в зависимости от температуры 0,67 мВт/°С;
- температура рабочая и хранения Tstg = -65 … +200°С.
Теперь следует рассмотреть электрические характеристики. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора и, как и в каких случаях можно применять устройство. Эти параметры были измерены при температуре +25°С. Остальные важные условия проведения измерений приведены в отдельной колонке таблицы.
|
Электрические х-ки транзистора 2N3055 (при Т = +25 оC) |
||||||
|
Параметры |
Режимы измерения |
Обозн. |
min |
typ |
max |
Ед. изм |
|
Обратный ток коллектора |
VCВ = 100 В |
ICEX |
|
|
1 |
мА |
|
VCВ = 100 В, Tj = 150 °C |
|
|
5 |
мА |
||
|
Обратный ток К-Э |
VCE= 30 В, IB = 1 A |
ICEО |
|
|
0,7 |
мА |
|
Обратный ток эмиттера |
VEB = 7 В |
IEBO |
|
|
5 |
мА |
|
Напряжение пробоя К — Э |
IC = 200 мA, IB = 0 A |
VCEО(SUS) |
60 |
|
|
В |
|
Напряжение пробоя К — Э |
IC = 200 мA, RBE = 100 Ом |
VCER(SUS) |
70 |
|
|
В |
|
Напряжение насыщения К-Э |
IC= 4 A, IB = 400 мA |
V CE(sat) |
|
|
1 |
В |
|
IC= 10 A, IB = 3,3 A |
3 |
|||||
|
Напряжение Б-Э |
IC= 4 A, VCE = 4 A |
V ВE |
|
|
1,8 |
В |
|
К-т усиления по току |
Ic= 4 A, VCE = 4 В |
hFE |
20 |
|
70 |
|
|
Ic= 10 A, VCE = 4 В |
5 |
|
|
|
||
|
Граничная частота к-та передачи тока |
VCE=10 В, IC= 0,5 A |
fT |
3 |
|
|
МГц |
|
Выходная ёмкость |
VCB = 10В, IЕ= 0 A, f = 1 МГц |
Cob |
|
|
700 |
пФ |
|
Время открытия |
IC = 4 A, VCC = 30 В, IB1 = -IB1 = 0,4 A |
ton |
|
|
6 |
мкс |
|
Время закрытия |
toff |
3 |
|
12 |
мкс |
|
Кроме всех прочих параметрах, для мощных транзисторов также важно термическое сопротивление. Оно показывает эффективность отвода тепла от устройства, ведь чем быстрее оно отводится, тем ниже вероятность перегрева. Для 2N3055 термосотпротивление кристалл корпус Rth(j-c) = 1,52 °С/Вт.
Аналоги
При поиске устройства для замены, в первую очередь, следует обратить внимание на такие зарубежные транзисторы:
- 2N3715;
- 2N3716;
- BD181;
- BDY20.
В некоторых случаях также можно использовать 2N6371, но при этом нужно предварительно определить какие параметры критически важны для используемой схемы и ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств. Существуют также отечественные аналоги 2N3055 это:
- КТ728А;
- КТ819ГМ.
Комплементарной парой для 2N3055 является MJ2955.
Производители и Datasheet
Среди крупных производителей 2N3055 прикрепим Datasheet от следующих:
- Siemens Semiconductor Group;
- Motorola;
- Seme LAB;
- Savantic;
- Quanzhou Jinmei Electronic;
- Comset Semiconductor;
- Central Semiconductor Corp;
- Mospec Semiconductor;
- TRANSYS Electronics Limited;
- TT Electronics.
В магазинах продаётся продукция таких фирм:
