Характеристики транзистора 2N5401

Согласно своим техническим характеристикам, 2N5401 является биполярным транзистором, изготовленным из кремния по эпитаксиально планарной технологии. Структура данного устройства p-n-p. Обычно его используют в усилителях и коммутирующих системах. Он идеально подходит для схем с низким уровнем шума.

Цоколевка

Чаще всего выпускается в пластмассовом корпусе ТО-92 с гибкими ножками. Вес такого изделия не превышает 0,3 г. Данный транзистор также изготавливается в SMD упаковке: SOT-89 и SOT-23. Расположение ножек (цоколевка 2n5401) для каждого типа устройства приведены на рисунке.

Технические характеристики 2n5401

Самыми важными, для транзистора, считаются предельно допустимые характеристики. Именно их производители приводят первыми в своей технической документации. Измерение параметров, как максимальных, так и электрических, происходит при температуре +25°С. Вот они:

• напряжение К – Б U_{кб max} (V_CBO) = -160 В;
• напряжение К – Э U_{кэ max} (V_CЕO) = -150 В;
• напряжение Э – Б U_{эб max} (V_ЕBO) = -5 В;
• ток через коллектор I_{к max} (I_C) = 600 мА;
• максимальная рассеиваемая мощность без теплоотвода:
  • для корпуса ТО-92 P_{к max} (P_D) = 0,625 Вт;
  • для корпуса SOT-89 P_{к max} (P_D) = 0,5 Вт
  • для корпуса SOT-23 P_{к max} (P_D) = 0,35 Вт.

• максимальная рассеиваемая мощность с теплоотводом (корпус ТО-92) P_{к max} (P_D) = 1,5 Вт;
• температура рабочая и хранения T_stg = -50 … +150°С;
• предельная температура кристалла Т_j = 150°С.

Следующими по важности характеристиками являются электрические. От них также зависят функциональные возможности транзистора. При их измерении важную роль играют значения внешних параметров. В таблице они расположены в отдельной колонке, которая называется «Условия измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N5401 (при Т = +25°C)
Параметры	Обозн.	Условия измерения	min	max	Ед. изм
Напряжение пробоя К –Э	Uкэ(проб.)	IК=-1,0мA, IБ=0	-150		В
Напряжение пробоя К – Б	Uкб(проб.)	IК=-100мкA, IЭ=0	-160		В
Напряжение пробоя Э – Б	Uэб(проб.)	IЭ=-10мкA, IК=0	-5		В
Обратный ток коллектора	Iкбо	Uкб=-120В, IЭ=0		-50	нА
		Uкб=-120В, IЭ=0, ТА=100°С		-50	мкА
Обратный ток эмиттера	Iэбо	Uэб= — 3 В, IК=0		-50	нА
Статический к-т передачи тока	h21э	IК=-1 мA, Uкэ=-5В	50	240
		IК=-10мA, Uкэ=-5В	60
		IК=-50мA, Uкэ=-5В	50
Напряжение насыщения К — Э	Uкэ(нас.)	IК=-10мA, IБ=-1мA		-0,2	В
		IК=-50мA, IБ=-5мA		-0,5
Напряжение насыщения Б — Э	Uбэ(нас.)	IК=-10мA, IБ=-1мA		-1	В
		IК=-50мA, IБ=-5мA		-1
Граничная частота к-та передачи тока	fгр	Uкэ=-10B,IК=-10мA	100	300	МГц
Ёмкость коллекторного перехода	Cк	Uкб = -10В, IЭ = 0, f= 1мГц		6	пФ
К-т шума	Кш	IК=-250мкA, Uкэ=-5В, RS =1.0 кОм, f =10 Гц … 15.7 кГц		8	дБ

Аналоги

Среди зарубежных компонентов для замены можно использовать: 2N5400, MPSA92, MPSA93, MMBT5401. Имеются также и российские аналоги 2n5401 — транзисторы похожие по характеристикам на рассматриваемый, это: КТ6116А и КТ698К. Компланарную пару для него, как написано в технической документации, может составить устройство 2N5551.

Производители

Транзистор 2N5401 (datasheet можно скачать нажав на название) является достаточно популярным, и поэтому его производством занимаются многие зарубежные фирмы, перечислим основные из них:

• Diotec Semiconductor;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• ON Semiconductor;
• Samsung semiconductor;
• Foshan Blue Rocket Electronics;
• Fairchild Semiconductor;
• UNISONIC TECHNOLOGIES;
• Micro Electronics;
• Micro Commercial Components.

В отечественных магазинах чаще всего встречается продукция выпущенная на заводах следующих компаний: Diotec Semiconductor, ON Semiconductor, Fairchild Semiconductor, Micro Commercial Components, UNISONIC TECHNOLOGIES.