Транзистор 2N5551, по техническим характеристикам, может использоваться в переключающих схемах, например, в телефонии, а также в усилителях общего назначения. Отличается невысоким коллекторным током (до 300 мА) при высоком напряжении (до 160 В). Является кремниевым, биполярным с n-p-n структурой.
Цоколевка
Чаще всего производители изготавливают 2N5551 в корпусе ТО-92, но иногда его также можно найти в упаковке SOT-23 (маркируется как «G1») или SOT-89 (маркируется как «1G6»). Если расположить транзистор в упаковке ТО-92 так, чтобы смотреть прямо на маркировку, а выводы были внизу, то ножки расположатся в следующем порядке, слева направо: эмиттер, база, коллектор. Внешний вид 2N5551, цоколевка, геометрические размеры и расположение ножек представлены на рисунке.
Технические характеристики
В первую очередь рассмотрим максимально допустимые технические характеристики. Работа транзистора при значениях, больших предельно допустимых, приведёт к выходу устройства из строя. Именно на эти параметры нужно обращать при разработке своих конструкций и выборе устройства для замены. Все измерения были проведены при стандартной температуре +25°С.
Для 2N5551 эти характеристики равны:
- напряжение К-Б: VCBO = 180 В;
- напряжение К-Э: VCEO = 160 В;
- напряжение Э-Б: VEBO = 6 В;
- ток коллектора IC = 600 мА;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе
- в корпусе ТО-92: РС = 625 мВт;
- в корпусе SOT-23: РС = 350 мВт.
- коэффициент снижения мощности при повышении температуры
- в корпусе ТО-92: 5 мВт/°С;
- в корпусе SOT-23: 2,8 мВт/°С.
- тепловое сопротивление кристалл-корпус 83,3 °С/Вт;
- тепловое сопротивление кристалл-воздух
- в корпусе ТО-92: 200 °С/Вт;
- в корпусе SOT-23: 357 °С/Вт.
- температура кристалла: Tj = 150°С;
- диапазон температур хранения: Tstg = -55 … 150°С.
Теперь перейдём к рассмотрению электрических величин. Именно от них зависят возможности транзисторов. Также, как и для максимальных, они измеряются при температуре +25°С. Остальные параметры, влияющие на результаты тестирования, приведены в таблице в отдельном столбце «Параметры тестирования».
| Электрические характеристики транзистора 2N5551 (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Режимы измер. | Обозн. | мин | макс | Ед. изм |
| Напряжение К — Э(пробой) | IC = 1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 160 | В | |
| Напряжение К – Б (пробой) | IC = 100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 180 | В | |
| Напряжение Э — Б(пробой) | IE= 10 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | 6 | В | |
| Ток К – Б (направление обратное) | VCВ = 120 В, IЕ = 0 | ICВO | 50 | нА | |
| Та = 100 °С | 50 | мкА | |||
| Ток Э –Б (направление обратное) | VEB = 4 В, IC = 0 | IEBO | 50 | нА | |
| Коэффициент усиления | VCE=5 В,IC= 1 мA | hFE | 80 | 250 | |
| VCE=5 В,IC= 10 мA | 80 | ||||
| VCE=5 В,IC= 50 мA | 30 | ||||
| Разность потенциалов насыщения коллектор-эмиттер | IC=10 мA, IB=1 мA | V CE(sat) | 0,15 | В | |
| IC=50 мA, IB=5 мA | 0,2 | ||||
| Разность потенциалов насыщения база-эмиттер | IC=10 мA, IB=1 мA | V ВE(sat) | 1 | В | |
| IC=50 мA, IB=5 мA | 1 | ||||
| Граничная частота к-та передачи тока | VCE=10В, IC= 10мA, f=100 МГц | fT | 100 | 300 | МГц |
| Выходная коллекторная ёмкость | VCВ= 10 В, IЕ= 0мA, f = 1МГц | Cob | 6 | пФ | |
Аналоги
Транзистор 2N5551 имеет полные аналоги среди зарубежных:
- 2N5550;
- NTE194.
Существует также российские устройство с похожими параметрами КТ6117А. Комплементарная пара – 2N5401.
Производители
Крупнейшими производителями 2N5551 являются следующие устройства (datasheet скачать кликнув по названию):
- Daya Electric Group;
- Unisonic Technologies;
- KEC(Korea Electronics);
- Bruckewell Technology;
- AUK corp;
- Inchange Semiconductor Company;
- First Silicon;
- SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology.
В отечественных магазинах можно найти продукцию таких компаний:
