Как написано в технических характеристиках, 2N60B – это n-канальный MOSFET транзистор. Изготавливается по технологии DMOS, запатентованной фирмой Fairchild. Благодаря этому он имеет: небольшое сопротивление при открытом транзисторе, хорошие коммутационные способности и высокую устойчивость к кратковременным нагрузкам. Данные устройства подходят для установки в импульсные источники питания.
Цоколевка
2N60B изготавливают в двух корпусах: D2-PAK и I2-PAK. В первом случае полное наименование транзистора SSW2N60B, а во втором SSI2N60B. Расположение выводов для каждого типа корпуса можно увидеть на рисунке.
Технические характеристики
Сначала рассмотрим максимально возможные характеристики 2N60B. Их важно знать, так как производитель не может гарантировать целостность транзистора при их превышении. Скорее всего в этом случае 2N60B выйдет из строя. Эти значения были измерены при температуре +25°С.
- напряжение между стоком и истоком VDSS = 600 В;
- постоянный ток идущий через сток:
- при TC=25°C ID = 2 A;
- при TC =100°C ID = 1.3 A.
- кратковременный ток через сток IDM = 6 A;
- напряжение между затвором и истоком VGSS = ±30 В;
- максимальная энергия одного импульса EAS =120 мДж;
- ток лавинного пробоя IAR = 2 A;
- максимальная энергия серии импульсов EAR = 5,4 мДж;
- скорость восстановления диода dv/dt = 5,5 В/нс;
- PD Мощность рассеяния;
- при температуре окружающей среды TA = 25°C PD = 3,13 Вт;
- при температуре корпуса TC = 25°C PD = 54 Вт.
- диапазон температур работы Tstg 55°C … +150°C;
- Максимальная температура припоя TL= 300°C.
Теперь рассмотрим электрические характеристики 2N60B. От них также зависят возможности и сфера применения транзистора. Их измеряли при температуре +25°С. Остальные важные для тестирования параметры приведены в столбце «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2N60B (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Напряжение пробоя сток-исток | VGS = 0 В, ID = 250 мкА | BVDSS | 600 | В | ||
| Изменение напряжения пробоя от температуры | ID = 250 мкA при 25°C | ∆BVDSS/∆TJ | 0,65 | В/°С | ||
| Ток стока (на затворе 0 В) | VDS = 600 В, VGS = 0 В | 10 | мкА | |||
| VDS = 480 В, TC = 125°C | 100 | мкА | ||||
| Ток утечки между затвором и корпусом (прямой) | VGS = 30 В, VDS = 0 В | IGSSF | 100 | нА | ||
| Ток утечки между затвором и корпусом (обратный) | VGS = 30 В, VDS = 0 В | IGSSR | -100 | нА | ||
| Напряжение открытия | VDS = VGS, ID = 250 мкА | VGS(th) | 2 | 4 | ||
| Сопротивление сток-исток при открытом транзисторе | VGS = 10 В, ID = 1 A | RDS(on) | 3,8 | 5 | Ом | |
| Крутизна передаточной функции | VDS = 40 В, ID = 1.0 A | gFS | 2,05 | |||
| Входная ёмкость | VDS = 25 В, VGS = 0 В,
f = 1 MГц |
Ciss | 380 | 490 | пФ | |
| Выходная ёмкость | Coss | 35 | 46 | пФ | ||
| Проходная ёмкость | Crss | 7,6 | 9,9 | пФ | ||
| Время открытия | VDD = 300 В, ID = 2.0 A,
RG = 25 Ом |
td(on) | 16 | 40 | нс | |
| Нарастание переднего фронта | tr | 50 | 110 | нс | ||
| Время закрытия | td(off) | 40 | 90 | нс | ||
| Спад импульса | tf | 40 | 90 | нс | ||
| Заряд на затворе, необходимый для открытия транзистора | VDS = 480 В, ID = 2 A,
VGS = 10 В |
Qg | 12,5 | 17 | нКл | |
| Заряд на переходе З-И | Qgs | 2,2 | нКл | |||
| Заряд на переходе З-С | Qgd | 5,4 | нКл | |||
| Ток перехода С-И (постоянный) | IS | 2 | А | |||
| Ток перехода С-И (импульсный) | ISM | 6 | А | |||
| Напряжение перехода сток-исток (прямое) | VGS = 0 В, IS = 2 A | VSD | 1,4 | В | ||
| Время обратного восстановления | VGS = 0 В, IS = 2 A,
dIF / dt = 100 A/ мкс |
trr | 250 | нс | ||
| Заряд обратного восстановления | Qrr | 1,31 | мкКл | |||
Кроме приведённых выше производители приводят также тепловые величины. Они важны для мощных транзисторов, особенно при расчёте теплоотвода. Данные параметры показывают на сколько увеличится температура при увеличении рассеиваемой мощности.
| Тепловые характеристики транзистора 2N60B | |||
| Параметры | Обозначение | Значение | Ед. изм |
| Тепловое сопротивление перехода от кристалла к корпусу | RθJC | 2,32 | °С/Вт |
| Тепловое сопротивление перехода от кристалла к воздуху (с теплоотводом) | RθJA | 40 | °С/Вт |
| Тепловое сопротивление перехода от кристалла к корпусу | RθJA | 62,5 | °С/Вт |
Аналоги
Аналогов 2N60B не существует, но его можно заменить немного более мощными транзисторами:
- STD2HNK60Z;
- STP3NK60Z;
- STP3NK60ZFP;
- STB3NK60Z;
- STD3NK60Z.
Эти устройства могут отличаться расположением ножек, габаритами и некоторыми параметрами, поэтому при замене нужно быть внимательным.
Производители
Производителем транзистора является компания Fairchild Semiconductor. В отечественных магазинах также можно встретить продукцию только этой фирмы.
