N-канальный полевой транзистор 2N7000, как указано в его технических характеристиках, идеально подходят для широкого спектра устройств, в которых требуются очень низкая пороговая разность потенциалов, высокое напряжение пробоя и входное сопротивление, низкая входная ёмкость и высокая скорость переключения. Чаще всего они используются в схемах управления серводвигателями, для управления более мощными полевыми транзисторами и других коммутационных конструкциях. 2N7000 выпускается с использованием DMOS технологии, которая позволяет добиться минимального сопротивления во включённом состоянии.
Цоколевка
Существует два варианта корпуса, в котором изготавливают полевой транзистор 2N7000, это ТО-92 и SOT-23. Если 2N7000 расположить маркировкой к себе, то выводы будут расположены в следующем порядке: исток слева, посередине затвор и справа сток. Внешний вид и цоколевка выводов 2N7000 представлены на рисунке.
Технические характеристики
В первую очередь рассмотрим максимально допустимые характеристики 2N7000. Они нужны при подборе транзистора на замену и конструировании новых электронных устройств. Длительная эксплуатация устройства в близи к максимальным значениям, может значительно уменьшить строк службы прибора а их превышение приведёт к неработоспособности. Все они измерялись при температуре +25°С.
Характеристики транзистора 2N7000:
- напряжение С-И VDS (U СИ MAX) = 60 В;
- напряжение С-З VGD (U ЗС MAX) = 60 В;
- напряжение З-И VGS (U ЗИ MAX) = ±20 В;
- напряжение З-И импульсное VGS (U ЗИ И MAX) = ±40 В;
- постоянный ток, текущий через сток ID (IC) = 200 мА;
- пиковый ток стока IDМ (ICИ) = 500 мА;
- мощность PD = 400 мВт;
- тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда Rθj-amb = 312,5 ОС/Вт;
- коэффициент линейного снижения мощности 3,2 мВт/ОС;
- диапазон температур TJ = -55 ОC … +150ОC;
- температура пайки TL = 300ОC.
Чтобы оценить возможности транзистора нужно изучить его электрические параметры. Они измеряются при стандартной температуре +25°С. Остальные важные условия тестирования приведены в отдельной колонке «Параметры тестирования».
| Электрические характеристики 2N7000 (при Т = +25ОC) | ||||||
| Параметры | Параметры тестирования | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| OFF характеристики | ||||||
| Напряжение пробоя С-И | Uзи=0, Iс=10мА | Uси(проб.) | 60 | В | ||
| Остаточный ток стока | Uси=48В, Uзи=0 | IС ОСТ | 1 | мкА | ||
| Uси=48В, Uзи=0, TJ=125°C | 1 | мкА | ||||
| Ток утечки затвора | Uзи = ±15В, Uси = 0 | Iз ут | ±10 | нА | ||
| ON характеристики | ||||||
| Пороговое напряжение | Uзи=Uси, Iс=1мА | Uзи поp | 0,8 | 2,1 | 3 | В |
| Сопротивление С-И в открытом состоянии | Uзи=10 В, Iс=500 мА | Rси отк | 1,2 | 5 | Ом | |
| Uзи=10В, Iс=500мА, TJ=125°C | 1,9 | 9 | ||||
| Uзи=4,5 В, Iс= 75 мА | 1,8 | 5,3 | ||||
| С-И напряжение вкл. | Uзи = 10 В, Iс=500 мА | Uси(on) | 0,6 | 2,5 | В | |
| Uзи = 4,5 В, Iс=75 мА | 0,14 | 0,4 | ||||
| Ток стока в открытом состоянии | Uзи = 4,5 В, Uси = 10 В, | Iс (on) | 75 | 600 | мА | |
| Крутизна характеристики | Uси = 10 В, Iс = 200 мА | S | 100 | 320 | ||
| Динамические характеристики | ||||||
| Входная ёмкость | Uси=25В, Uзи= 0В, f =1.0 MГц | Свх | 20 | 50 | пФ | |
| Выходная ёмкость | Свых | 11 | 25 | |||
| Ёмкость обратной связи | Сос | 4 | 5 | |||
| Время включения | Uс=15В, RL=25 Ом, Iс=500мА, Uзи=10В, RGEN=25 Ом | tвк | 10 | нс | ||
| Время выключения | Uс=15В, RL=25 Ом, Iс=500мА, Uзи=10В, RGEN=25 Ом | 10 | нс | |||
Аналоги
Зарубежными аналогами 2N7000 являются:
- BS170;
- BSS138.
Из отечественных устройств подойдёт в качестве замены – КП214А9.
Производители и DataSheet
Наиболее крупные зарубежные производители транзистора 2N7000:
- Unisonic Technologies;
- Supertex;
- Vishay Siliconix;
- STMicroelectronics;
- Diotec Semiconductor;
- KEC(Korea Electronics);
- SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
- Diodes Incorporated;
- Motorola;
- Guangdong Kexin Industrial.
В отечественных магазинах можно найти изделия следующих фирм:
Скачать DataSheet в формате PDF на 2N7000 можно кликнув на названия производителя выше.
