Как указано в технических характеристиках, 2N7002 – это n-канальный полевой транзистор, изготовленный с использованием технологии DMOS. Они были разработаны для уменьшения сопротивления канала во включённом состоянии. Этот транзистор идеально походит для работы в схемах с низким напряжением и небольшим током, например, для управления небольшим серводвигателем и других коммутационных устройствах. Его также часто используют в бестранстрансформаторных блоках питания и другой аппаратуре.
Цоколевка
Обычно 2N7002 выпускают в корпусе SOT-23, но иногда его можно встретить в ТО-92. Маркировка наносится сверху и у каждого производителя она своя. С внешним видом, расположением выводом, габаритами и самыми важными техническим характеристиками можно ознакомиться по рисунку ниже.
Технические характеристики
Теперь перейдём к рассмотрению технических характеристик, и начнём с предельно допустимых параметров. Они были измерены при температуре +25°С. Перечислим их для 2N7002:
- напряжение C-И VDSS = 60 В;
- напряжение C-З (RGS ≤ 1 МОм) VDGR = 60 В;
- напряжение З-И VGSS = ±20 В;
- ток стока ID = 115 мА;
- пиковый ток стока IDM = 800 мА;
- мощность PD = 200 мВт;
- к-т линейного снижения мощности 1,6 Вт/°С;
- термосопротивление кристалл-окружающая среда RqJA = 625 °С/Вт;
- Максимальная температура +300°С;
- Рабочая температура (диапазон) -55°С … +150°С.
Теперь рассмотрим электрические значения. От них также зависят функциональны возможности транзистора. Они тестировались при стандартной температуре +25°С. Остальные параметры, влияющие на результат измерения приведены в столбце «Режимы измерения».
Электрические характеристики транзистора 2N7002 (при Т = +25 оC) | ||||||
Статические | ||||||
Наименование | Режимы измерения | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм |
Напряжение пробоя С-И | VGS= 0 В,ID= 10 мкА | VDS | 60 | В | ||
Ток утечки затвора (прямой) | VGS= 20 В, VDS= 0 В | IGSSF | 100 | нА | ||
Ток утечки затвора (обратный) | VGS= 20 В, VDS= 0 В | IGSSR | -100 | нА | ||
Ток стока при нулевом напряжении затвора | VDS=60 В, VGS= 0 В | IDSS | 1 | мкА | ||
VDS=60 В, VGS= 0 В, TJ= 125 °C | 0,5 | мА | ||||
Пороговое напряжение З-И | VDS= VGS, ID=250 мкА | VGS(th) | 1 | 2,1 | 2,5 | В |
Сопротивление С-И при открытом транзисторе | VGS= 10 В, ID= 500 мA | RDS(on) | 1,2 | 7,5 | Ом | |
VGS=10 В, ID=500 мA,
TJ= 100 °C |
1,7 | 13,5 | ||||
VGS= 5 В, ID= 50 мA | 1,7 | 7,5 | ||||
VGS= 5 В, ID= 50 мA,
TJ= 100 °C |
2,4 | 13,5 | ||||
Крутизна передаточной характеристики | VDS≥2 В, ID= 200 мA | gfs | 80 | 320 | ||
Динамические | ||||||
Наименование | Режимы измерения | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм |
Входная емкость | VGS= 0 В, VDS= 25 В,
f = 1,0 МГц |
Ciss | 20 | 50 | пФ | |
Выходная емкость | Coss | 11 | 25 | пФ | ||
Емкость З-И | Crss | 4 | 5 | пФ | ||
Время открытия транзистора | VDD=30 В, RL = 150 Ом,
ID =200 мА, VGS = 10 В, RGEN = 25 Ом |
td(on) | 20 | нс | ||
Время закрытия транзистора | td(off) | 20 | нс | |||
Характеристики канала исток-сток транзистора | ||||||
Наименование | Режимы измерения | Обозн. | MIN | TYP | MAX | Ед. изм |
Непрерывный длительный ток через истоковый диод | IS | 115 | мА | |||
Максимальный импульсный ток через диод | ISM | 0,8 | А | |||
Падение напряжения на диоде | IS= 115 A, VGS= 0 В | VSD | 0,88 | 1,5 | В |
Аналоги
Полностью идентичными транзисторами считаются: BSS7728N, RK7002, BSS138, DMN601K. Ближайшими аналогами рассматриваемого устройства являются: BSS138N, UM6K1N, 2SK3018. Также можно попытаться 2N7002 заменить на: ZVN2106AM.Среди отечественных самый близкий по параметрам КП214А9.
Производители и DataSheet
Выпуском рассматриваемого устройства занимаются много фирм. Перечислим наиболее крупные:
- Fairchild Semiconductor;
- KEC(Korea Electronics);
- Guangdong Kexin Industrial;
- Weitron Technology;
- Foshan Blue Rocket Electronics.
В отечественных магазинах можно встретить транзистор 2N7002 выпущенный многими зарубежными компаниями:
- ON Semiconductor;
- Diodes Incorporated;
- Micro Commercial Components;
- Vishay Siliconix;
- NXP Semiconductors;
- Yangzhou yangjie electronic;
- Pan Jit International;
- Comchip Technology;
- Infineon Technologies;
- Central Semiconductor;
- GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
- Diotech Company;
- Shenzhen Luguang Electronic Technology;
- Microchip Technology.
Скачать datasheet на 2N7002 от каждого производителя можно по ссылка выше.