Характеристики транзистора 2N7002

Как указано в технических характеристиках, 2N7002 – это n-канальный полевой транзистор, изготовленный с использованием технологии DMOS. Они были разработаны для уменьшения сопротивления канала во включённом состоянии. Этот транзистор идеально походит для работы в схемах с низким напряжением и небольшим током, например, для управления небольшим серводвигателем и других коммутационных устройствах. Его также часто используют в бестранстрансформаторных блоках питания и другой аппаратуре.

Цоколевка

Обычно 2N7002 выпускают в корпусе SOT-23, но иногда его можно встретить в ТО-92. Маркировка наносится сверху и у каждого производителя она своя. С внешним видом, расположением выводом, габаритами и самыми важными техническим характеристиками можно ознакомиться по рисунку ниже.

2N7002 распиновка

Технические характеристики

Теперь перейдём к рассмотрению технических характеристик, и начнём с предельно допустимых параметров. Они были измерены при температуре +25°С. Перечислим их для 2N7002:

  • напряжение C-И VDSS = 60 В;
  • напряжение C-З (RGS ≤ 1 МОм) VDGR = 60 В;
  • напряжение З-И VGSS = ±20 В;
  • ток стока ID = 115 мА;
  • пиковый ток стока IDM = 800 мА;
  • мощность PD = 200 мВт;
  • к-т линейного снижения мощности 1,6 Вт/°С;
  • термосопротивление кристалл-окружающая среда RqJA = 625 °С/Вт;
  • Максимальная температура +300°С;
  • Рабочая температура (диапазон) -55°С … +150°С.

Теперь рассмотрим электрические значения. От них также зависят функциональны возможности транзистора. Они тестировались при стандартной температуре +25°С. Остальные параметры, влияющие на результат измерения приведены в столбце «Режимы измерения».

Электрические характеристики транзистора 2N7002 (при Т = +25 оC)
Статические 
Наименование Режимы измерения Обозн. MIN TYP MAX Ед. изм
Напряжение пробоя С-И VGS= 0 В,ID= 10 мкА VDS 60 В
Ток утечки затвора (прямой) VGS= 20 В, VDS= 0 В IGSSF 100 нА
Ток утечки затвора (обратный) VGS= 20 В, VDS= 0 В IGSSR -100 нА
Ток стока при нулевом напряжении затвора VDS=60 В, VGS= 0 В IDSS 1 мкА
VDS=60 В, VGS= 0 В, TJ= 125 °C 0,5 мА
Пороговое напряжение З-И VDS= VGS, ID=250 мкА VGS(th) 1 2,1 2,5 В
Сопротивление С-И при открытом транзисторе VGS= 10 В, ID= 500 мA RDS(on) 1,2 7,5 Ом
VGS=10 В, ID=500 мA,

TJ= 100 °C

1,7 13,5
VGS= 5 В, ID= 50 мA 1,7 7,5
VGS= 5 В, ID= 50 мA,

TJ= 100 °C

2,4 13,5
Крутизна передаточной характеристики VDS≥2 В, ID= 200 мA gfs 80 320
Динамические
Наименование Режимы измерения Обозн. MIN TYP MAX Ед. изм
Входная емкость VGS= 0 В, VDS= 25 В,

f = 1,0 МГц

Ciss 20 50 пФ
Выходная емкость Coss 11 25 пФ
Емкость З-И Crss 4 5 пФ
Время открытия транзистора VDD=30 В, RL = 150 Ом,

ID =200 мА, VGS = 10 В,

RGEN = 25 Ом

td(on) 20 нс
Время закрытия транзистора td(off) 20 нс
Характеристики канала исток-сток транзистора
Наименование Режимы измерения Обозн. MIN TYP MAX Ед. изм
Непрерывный длительный ток через истоковый диод IS 115 мА
Максимальный импульсный ток через диод ISM 0,8 А
Падение напряжения на диоде IS= 115 A, VGS= 0 В VSD 0,88 1,5 В

Аналоги

Полностью идентичными транзисторами считаются: BSS7728N, RK7002, BSS138, DMN601K. Ближайшими аналогами рассматриваемого устройства являются: BSS138N, UM6K1N, 2SK3018. Также можно попытаться 2N7002 заменить на: ZVN2106AM.Среди отечественных самый близкий по параметрам КП214А9.

Производители и DataSheet

Выпуском рассматриваемого устройства занимаются много фирм. Перечислим наиболее крупные:

В отечественных магазинах можно встретить транзистор 2N7002 выпущенный многими зарубежными компаниями:

Скачать datasheet на 2N7002 от каждого производителя можно по ссылка выше.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector