Транзистор 2SC2625, по своим техническим характеристикам, отличается высокой скоростью переключения и надёжностью. Он разработан для использования в высокочастотных генераторах, импульсных регуляторах и усилителях мощности общего применения. Структура данного устройства n-p-n. В конце статьи можно будет скачать datasheet от всех производителей.
Цоколевка
Производится 2SC2625 в корпусе ТО-3Р, в нем мы и будет рассматривать цоколевку. Чтобы определить где какой вывод находится нужно повернуть транзистор лицевой стороной к себе, так, чтобы ножки смотрели вниз. Тогда справа будет база, в середине коллектор, а справа эмиттер. Следует также учитывать, что при нанесении маркировки иногда пропускаются первые два символа, то есть «2S» и остаётся только «C2625». Как выглядит устройство и расположение ножек представлено на рисунке.
Технические характеристики
В первую очередь приведём предельно допустимые характеристики. Они являются наиболее важными, и поэтому все производители их размещают вначале своих datasheet. Именно на них обращают внимание инженеры и радиолюбители при проектировании новых устройств и подборе замены для вышедшего из строя транзистора. Ведь если придётся работать при параметрах, превышающих его возможности он не выдержит и выйдет из строя. Они измеряются при температуре +25°С.
Для 2SC2625 эти характеристики равны:
- напряжение К — Б VCBO (Uкб max) = 450 В;
- напряжение К – Э VCEO (Uкэ max) = 400 В;
- напряжение пробоя К – Э VCEO(SUS) (Uкэ нас) = 400 В;
- ток коллектора IC (Iк max) –10 А;
- ток через базу IВ (IБ max) – 3 А;
- термическое сопротивление кристалл-корпус Rth(j-c) = 1,55 °C/Вт;
- максимальная мощность на коллекторе РС (Рк max) = 80 Вт;
- т-ра кристалла – 150ОС;
- диапазон температур, при которых изделие может сберегаться Tstg – 55 … 150ОС.
После предельных, перейдём к рассмотрению электрических значений. Ведь они также важны и от них тоже зависят возможности и сфера применения рассматриваемого транзистора. Как обычно, они тестируются при стандартной температуре +25ОС. Кроме этого на результаты измерения могут влиять и другие параметры проведения измерений. Все они приведены в следующей таблице в колонке «Режимы измерения».
|
Электрические характеристики транзистора 2SC2625 (при Т = +25 оC) |
||||||
|
Параметры |
Режимы измерения |
Обозн. |
min |
typ |
max |
Ед. изм |
|
Напряжение К — Б |
ICBO = 1 мA |
VCВO |
450 |
В |
||
|
Напряжение К — Э |
ICEO = 10 мA |
VCEО |
400 |
В |
||
|
Напряжение пробоя К — Э |
IC = 1 A |
VCEО(SUS) |
400 |
В |
||
|
Напряжение Э-Б |
IEBO= 0,1 мA |
VEBO |
7 |
В |
||
|
Обратный ток коллектора |
VCВО= 450 В |
ICВO |
1,0 |
мА |
||
|
Обратный ток эмиттера |
VЕВO= 7 В |
IEBO |
0,1 |
мА |
||
|
Напряжение насыщения К — Э |
IC= 4A; IB= 0.8A |
VCE(sat) |
1,2 |
В |
||
|
Напряжение насыщения Б — Э |
IC= 4A; IB= 0.8A |
VВE(sat) |
1,5 |
В |
||
|
Время включения |
IC=7A, IB1=1,5 A; PW=20 мкс, IB2=-1,5 A; RL = 20 Ом |
ton |
1 |
мкс |
||
|
Время удержания |
tstg |
2 |
мкс |
|||
|
Время выключения |
tf |
1 |
мкс |
|||
Приведём схему, которую собирали для тестирования временных характеристик 2SC2625. На ней мы видим простую усилительную схему. Справа находится графики изменения тока с течением времени, на них наглядно показано, что означает каждый параметр.
Аналоги
Перечислим основные аналоги 2SC2625, которые можно найти в магазинах:
- BUW12A;
- 2SC2939;
- 2SC2555;
- 2SC979.
Также есть отечественный транзистор, подходящий по параметрам КТ8117А. При выборе не забывайте проверять характеристики обеих транзисторов.
Собственное производство, новейшие технологии монтажа плат и контроля качества печатных узлов, все это у одного подрядчика, подробнее по ссылки https://a-contract.ru.
Производители и Datasheet
Ниже представлены datasheet на 2SC2625 от крупных производителей:
- Unisonic Technologies;
- New Jersey Semi-Conductor Products;
- Savantic;
- Mospec Semiconductor;
- Thinki Semiconductor;
- Nell Semiconductor.
В отечественных магазинах можно приобрести продукцию таких компаний:
