Характеристики транзистора 40N03P

Полевой, n-канальный транзистор 40N03P, по своим техническим характеристикам обеспечивает наилучшее сочетание быстрого переключения, надёжности и невысокого сопротивления во включённом состоянии. Чаще всего его используют в конструкциях, с невысоким напряжением. Например, это могут быть преобразователи тока или в быстродействующих переключающих схемах.

Цоколевка

40N03P выпускается в корпусе ТО-220АВ, его наиболее часто используют для такого рода транзисторов мощностью не более 50 Вт. Выводы устройства, если смотреть прямо на маркировку (ножки находятся внизу), расположены так: слева затвор, в середине сток и слева исток. Наглядно с положением ножек можно увидеть на следующем рисунке:

40N03P транзистор

Технические характеристики

В начале обычно указывают предельно допустимые параметры. Они считаются наиболее важными, и на них нужно смотреть в первую очередь при подборе замены, так если при работе они выйдут за максимальные пределы, транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой они измеряются равна +25°С.

Характеристики 40N03P:

  • напряжение С-И VDS = 30 В;
  • напряжение З-И VGS = ±20 В;
  • постоянный ток, проходящий через сток:
    • — при температуре кристалла +25ОС IС = 55 А;
    • — при температуре кристалла +70ОС IС = 45 А;
    • — при температуре воздуха +25ОС ID = 25,8 А;
    • — при температуре воздуха +70ОС ID = 20 А.
  • пиковый ток стока I = 200 А;
  • импульс лавинного тока IAS = 39 А;
  • энергия лавинного импульса EAS = 94,8 мДж;
  • постоянный ток через диод С-И
    • — при температуре кристалла ТС = 25°С IS = 50 А;
    • — при температуре окружающей среды ТА = 25°С IS = 3,13 А;
  • мощность
    • — при температуре кристалла +25ОС PD = 120 А;
    • — при температуре кристалла +70ОС PD = 85 А;
    • — при температуре воздуха +25ОС PD = 3,75 А;
    • — при температуре воздуха +70ОС PD = 2,63 Вт;
  • диапазон температур TJ = -55 ОC … +150ОC.

Возможности и сфера применения транзистора зависят также и от электрических значений. Обычно их делят на три категории: статические параметры, динамические и канальные. Условия, при которых проводились измерения можно посмотреть в колонке таблицы «Параметры тестирования».

Электрические характеристики 40N03P (при Т = +25ОC)
Параметры Параметры тестирования Обозн. min typ max Ед. изм
Статические
Напряжение пробоя С-И VGS =0 В ID=250 мкА VDS 30 В
Зависимость напряжения пробоя от т-ры ID=250 мкА ΔVDS/TJ 35 мВ/ОС
Пороговое напряжения пробоя от т-ры ID=250 мкА ΔVDS(th)/TJ -7,5 мВ/ОС
Пороговое напряжение между затвором и истоком VDS = VGS , ID = 250 мкА VGS(th) 1 2,5 В
Утечка З-И VDS = 0 В, VGS = ± 20 В IGSS ±100 нА
Ток утечки VDS = 30 В, VGS = 0 В IDSS 1 мкА
VDS = 30 В, VGS = 0 В,

TJ = 55 ОC

10
Ток стока в открытом состоянии VDS ≥ 5 В, VGS = 10 В ID(ON) 90 А
Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии VGS = 10 В, ID = 28,8 A RDS(on) 0,01 Ом
VGS = 4,5 В, ID = 37 A 0,018
Крутизна VDS = 15 В , ID = 28,8 А 160 S
Динамические
Входная ёмкость транзистора VGS = 0 В, VDS = 15 В,

f = 1,0 МГц

Ciss 2201 пФ
Выходная ёмкость транзистора Coss 525
Обратная передаточная емкость Crss 370
Общий заряд затвора VDS = 15 В, VGS = 10 В, ID = 28,8 А Qg 35 45 нКл
Заряд между затвором и источником VDS = 15 В, VGS = 4,5 В, ID = 28,8 А Qgs 15
Заряд между затвором и стоком Qgd 20
Сопротивление затвора f = 1,0 МГц Rg 1,4 2,1 Ом
Время открытия устройства VDD = 15 В, ID = 24 А,

RG = 1 Ом, VGEN = 10 В,

RL = 0,625 Ом

td(on) 18 нс
Время нарастания импульса открытия tr 11
Время закрытия устройства td(off) 70
Время спада импульса tf 10
Время открытия устройства VDD = 15 В, ID = 22,5 А, RG = 1 Ом, VGEN = 4,5В, RL = 1 Ом td(on) 55 83 нс
Время нарастания импульса открытия tr 180 270
Время закрытия устройства td(off) 55 83
Время спада импульса tf 12 18
Характеристики канала
Длительный ток исток-сток ТС = 25°С IS 120 А
Импульсный ток через канал ISM 120 А
Падение напряжения на диоде IS = 22 A VSD 0,8 1,2 В
Время обратного восстановления TJ = 25ОC, IF = 20 A,

dI/dt = 100 A/мкс

trr 52 78 нс
Заряд обратного восстановления Qrr 70,2 105

Из-за того, что мощные транзисторы могут сильно греться, требуется кроме прочего ознакомиться с тепловыми величинами. Они показывают, насколько быстро тепло отводится от корпуса устройства. Для 40N03P они равны:

Параметр Обозн Тип. Макс. Ед. изм.
Тепловое сопротивление кристалл-воздух RthJA 32 40 °С/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-корпус RthJC 0,5 0,6 °С/Вт

Аналоги

Для замены подойдут n-канальные полевые транзисторы с максимальной разностью потенциалов между стоком и истоком 40 В и током через сток 30 А или выше. В качестве аналога 40N03P можно использовать:

  • IRFZ44;
  • 40N10;
  • 50N06.

Отечественных аналогов нет.

Производители

Производством транзистора 40N03P (datasheet скачать по ссылке) занимается китайская компания VBsemi Electronics. В отечественных магазинах этот транзистор встретить очень сложно. Чаще всего его можно найти в компьютерном блоке питания.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector