Характеристики транзистора B772

В данном тексе приведены все технические характеристики транзистора B772 а в конце приложены все PDF файлы с datasheet от известных производителей. Предназначен для установки в конечном каскаде УНЧ мощностью не более 1 Вт. Его также используют в регуляторах напряжения. Ещё он способен выдерживать достаточно большой ток (величиной до 3 А) и выделяется маленьким напряжением насыщения. Имеет структуру p-n-p.

Цоколевка

Производители используют различные корпуса при производстве 2SB772. Для дырочного монтажа используются следующие корпус: ТО-126, ТО-251, ТО-92 и ТО-252, а для навесного существует SOT-89. Обычно при нанесении маркировки первую цифру и букву пропускают и остаётся надпись «B772». С расположением выводов можно ознакомиться по следующему рисунку.

Технические характеристики

Подбор рекомендуется начинать с ознакомления с максимально допустимыми параметрами. Именно от них зависят возможности транзистора. Они тестируются при стандартной т-ре +25°С. Для B772 эти характеристики равны:

• напряжение между К — Б U_{кб max} = -40 В;
• напряжение между К — Э U_{кэ max} = -30 В;
• напряжение между Э — Б V_EBO (U_{эб max}) = -5 В;
• ток коллектора I_{к max} = -3 А;
• кратковременный ток коллектора (t_P < 5 мс) I_{к max} = -7 А;
• ток базы I_{Б max} = -0,6 А;
• импульсный ток базы (t_P < 5 мс) I_{Б max} = -2 А;
• мощность на коллекторе:
  • для ТО-92 и SOT-89 Р_{к max} = 0,5 Вт;
  • для ТО-126, ТО-252 Р_{к max} = 1 Вт;
• мощность при использовании радиатора (для корпусов ТО-126, ТО-252) Р_{к max} = 10 Вт;
• рабочая т-ра T_stg = -55 … +150 ^оС;
• т-ра перехода T_J = +150 ^оС.

После предельных рассмотрим электрические х-ки, так как они также влияют на возможности B772. Они тестировались при комнатной температуре +25°С. Другие, важные параметры измерения можно посмотреть в специальной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия тестирования».

Электрические х-ки транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC)
Параметры	Условия тестирования	Обозначение.	min	typ	max	Еденицы. изм
Пробивная разность потенциалов К — Б	IC = =100 мкA, IЕ = 0	V(BR)CВO	-40			В
Пробивная разность потенциалов К — Э	IC=-1 мA, IВ= 0	V(BR)CEО	-30			В
Пробивная разность потенциалов Э — Б	IE= 100 мкA, IC= 0	V(BR)EBO	-5			В
Обратный ток К — Б	VCВ= -30 В, IЕ = 0	ICВO			-1000	нА
Обратный ток К — Э	VCЕ= -3 В, IВ = 0	ICЕO			-1000	нА
Обратный ток эмиттера	VEB = -3 В, IC = 0	IEBO			-1000	нА
Разность потенциалов насыщения К — Э	IC= -2 A, IB = -0,2 A	V CE(sat)		-0,3	-0,5	В
Разность потенциалов насыщения Б — Э	IC= -2 A, IB = -0,2 A	V ВE(sat)		-1	-2	В
Граничная частота к-та усиления тока	IC =-0,1 A	f		80		МГц
Емкость на выходе транзистора	VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц	Cob		45		пФ

Термическое сопротивление переход-корпус R_thJ-case = 10 °С/Вт.

Некоторые производители делят B772 на следующие группы в зависимости от коэффициента усиления:

• R от 60 до 120;
• Q от 100 до 200;
• P от 160 до 320.
• E от 200 до 400.

Некоторые фирмы применяют дополнительные категории:

• O от 100 … 200;
• Y от 160 … 320;
• GR от 200 … 400.

Аналоги

Следующие аналоги B772 имеют идентичные характеристики:

• BD438;
• KTB772.

Комплементарной парой для него выступает 2SD882.  Российской замены 2SB772 не существует.

Производители и DataSheet

Самые крупные производители B772 и их datasheet:

• Guangdong Kexin Industrial;
• Foshan Blue Rocket Electronics;
• Tiger Electronic;
• DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
• SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
• Quanzhou Jinmei Electronic;
• STMicroelectronics;
• Dc Components.

В отечественных магазинах можно купить транзисторы следующих зарубежных фирм:

• Unisonic Technologies;
• NEC;
• Inchange Semiconductor Company.