Характеристики транзистора B772

В данном тексе приведены все технические характеристики транзистора B772 а в конце приложены все PDF файлы с datasheet от известных производителей. Предназначен для установки в конечном каскаде УНЧ мощностью не более 1 Вт. Его также используют в регуляторах напряжения. Ещё он способен выдерживать достаточно большой ток (величиной до 3 А) и выделяется маленьким напряжением насыщения. Имеет структуру p-n-p.

Цоколевка

Производители используют различные корпуса при производстве 2SB772. Для дырочного монтажа используются следующие корпус: ТО-126, ТО-251, ТО-92 и ТО-252, а для навесного существует SOT-89. Обычно при нанесении маркировки первую цифру и букву пропускают и остаётся надпись «B772». С расположением выводов можно ознакомиться по следующему рисунку.

2SB772 цоколевка

Технические характеристики

Подбор рекомендуется начинать с ознакомления с максимально допустимыми параметрами. Именно от них зависят возможности транзистора. Они тестируются при стандартной т-ре +25°С. Для B772 эти характеристики равны:

  • напряжение между К — Б Uкб max = -40 В;
  • напряжение между К — Э Uкэ max = -30 В;
  • напряжение между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
  • ток коллектора Iк max = -3 А;
  • кратковременный ток коллектора (tP < 5 мс) Iк max = -7 А;
  • ток базы IБ max = -0,6 А;
  • импульсный ток базы (tP < 5 мс) IБ max = -2 А;
  • мощность на коллекторе:
    • для ТО-92 и SOT-89 Рк max = 0,5 Вт;
    • для ТО-126, ТО-252 Рк max = 1 Вт;
  • мощность при использовании радиатора (для корпусов ТО-126, ТО-252) Рк max = 10 Вт;
  • рабочая т-ра Tstg = -55 … +150 оС;
  • т-ра перехода TJ = +150 оС.

После предельных рассмотрим электрические х-ки, так как они также влияют на возможности B772. Они тестировались при комнатной температуре +25°С. Другие, важные параметры измерения можно посмотреть в специальной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия тестирования».

Электрические х-ки транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC)
Параметры Условия тестирования Обозначение. min typ max Еденицы. изм
Пробивная разность потенциалов К — Б IC = =100 мкA, IЕ = 0 V(BR)CВO -40 В
Пробивная разность потенциалов К — Э IC=-1 мA, IВ= 0 V(BR)CEО -30 В
Пробивная разность потенциалов Э — Б IE= 100 мкA, IC= 0 V(BR)EBO -5 В
Обратный ток К — Б V= -30 В, IЕ = 0 ICВO -1000 нА
Обратный ток К — Э V= -3 В, IВ = 0 ICЕO -1000 нА
Обратный ток эмиттера VEB = -3 В, IC = 0 IEBO -1000 нА
Разность потенциалов насыщения К — Э IC= -2 A, IB = -0,2 A V CE(sat) -0,3 -0,5 В
Разность потенциалов насыщения Б — Э IC= -2 A, IB = -0,2 A V ВE(sat) -1 -2 В
Граничная частота к-та усиления тока IC =-0,1 A f 80 МГц
Емкость на выходе транзистора VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц Cob 45 пФ

Термическое сопротивление переход-корпус RthJ-case = 10 °С/Вт.

Некоторые производители делят B772 на следующие группы в зависимости от коэффициента усиления:

  • R от 60 до 120;
  • Q от 100 до 200;
  • P от 160 до 320.
  • E от 200 до 400.

Некоторые фирмы применяют дополнительные категории:

  • O от 100 … 200;
  • Y от 160 … 320;
  • GR от 200 … 400.

Аналоги

Следующие аналоги B772 имеют идентичные характеристики:

  • BD438;
  • KTB772.

Комплементарной парой для него выступает 2SD882.  Российской замены 2SB772 не существует.

Производители и DataSheet

Самые крупные производители B772 и их datasheet:

В отечественных магазинах можно купить транзисторы следующих зарубежных фирм:

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector