В данном тексе приведены все технические характеристики транзистора B772 а в конце приложены все PDF файлы с datasheet от известных производителей. Предназначен для установки в конечном каскаде УНЧ мощностью не более 1 Вт. Его также используют в регуляторах напряжения. Ещё он способен выдерживать достаточно большой ток (величиной до 3 А) и выделяется маленьким напряжением насыщения. Имеет структуру p-n-p.
Цоколевка
Производители используют различные корпуса при производстве 2SB772. Для дырочного монтажа используются следующие корпус: ТО-126, ТО-251, ТО-92 и ТО-252, а для навесного существует SOT-89. Обычно при нанесении маркировки первую цифру и букву пропускают и остаётся надпись «B772». С расположением выводов можно ознакомиться по следующему рисунку.
Технические характеристики
Подбор рекомендуется начинать с ознакомления с максимально допустимыми параметрами. Именно от них зависят возможности транзистора. Они тестируются при стандартной т-ре +25°С. Для B772 эти характеристики равны:
- напряжение между К — Б Uкб max = -40 В;
- напряжение между К — Э Uкэ max = -30 В;
- напряжение между Э — Б VEBO (Uэб max) = -5 В;
- ток коллектора Iк max = -3 А;
- кратковременный ток коллектора (tP < 5 мс) Iк max = -7 А;
- ток базы IБ max = -0,6 А;
- импульсный ток базы (tP < 5 мс) IБ max = -2 А;
- мощность на коллекторе:
- для ТО-92 и SOT-89 Рк max = 0,5 Вт;
- для ТО-126, ТО-252 Рк max = 1 Вт;
- мощность при использовании радиатора (для корпусов ТО-126, ТО-252) Рк max = 10 Вт;
- рабочая т-ра Tstg = -55 … +150 оС;
- т-ра перехода TJ = +150 оС.
После предельных рассмотрим электрические х-ки, так как они также влияют на возможности B772. Они тестировались при комнатной температуре +25°С. Другие, важные параметры измерения можно посмотреть в специальной колонке таблицы, которая озаглавлена «Условия тестирования».
Электрические х-ки транзистора 2SB722 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Условия тестирования | Обозначение. | min | typ | max | Еденицы. изм |
Пробивная разность потенциалов К — Б | IC = =100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | -40 | В | ||
Пробивная разность потенциалов К — Э | IC=-1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | -30 | В | ||
Пробивная разность потенциалов Э — Б | IE= 100 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | -5 | В | ||
Обратный ток К — Б | VCВ= -30 В, IЕ = 0 | ICВO | -1000 | нА | ||
Обратный ток К — Э | VCЕ= -3 В, IВ = 0 | ICЕO | -1000 | нА | ||
Обратный ток эмиттера | VEB = -3 В, IC = 0 | IEBO | -1000 | нА | ||
Разность потенциалов насыщения К — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V CE(sat) | -0,3 | -0,5 | В | |
Разность потенциалов насыщения Б — Э | IC= -2 A, IB = -0,2 A | V ВE(sat) | -1 | -2 | В | |
Граничная частота к-та усиления тока | IC =-0,1 A | f | 80 | МГц | ||
Емкость на выходе транзистора | VCB =-10V, IE =0, f=1 МГц | Cob | 45 | пФ |
Термическое сопротивление переход-корпус RthJ-case = 10 °С/Вт.
Некоторые производители делят B772 на следующие группы в зависимости от коэффициента усиления:
- R от 60 до 120;
- Q от 100 до 200;
- P от 160 до 320.
- E от 200 до 400.
Некоторые фирмы применяют дополнительные категории:
- O от 100 … 200;
- Y от 160 … 320;
- GR от 200 … 400.
Аналоги
Следующие аналоги B772 имеют идентичные характеристики:
- BD438;
- KTB772.
Комплементарной парой для него выступает 2SD882. Российской замены 2SB772 не существует.
Производители и DataSheet
Самые крупные производители B772 и их datasheet:
- Guangdong Kexin Industrial;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- Tiger Electronic;
- DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
- SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
- Quanzhou Jinmei Electronic;
- STMicroelectronics;
- Dc Components.
В отечественных магазинах можно купить транзисторы следующих зарубежных фирм: