NPN транзистор BC337, согласно техническим характеристикам, производится по эпитаксиально-планарной технологии. Он может использоваться в переключающих и усилительных схемах. Его часто используют в выходных каскадах УНЧ небольшой мощности.
Цоколевка
Изготавливается в корпусе из пластика ТО-92. Масса BC337 равна 0,18 г, цоколевка ножек выполнена в таком порядке: слева коллектор, потом база, справа эмиттер. Внешний вид и распиновка показаны на рисунке ниже.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых параметров. При их превышении транзистор может выйти из строя. Данные были получены при температуре окружающей среды +25°С:
- разность потенциалов К -Э (база разомкнута) VCEO ≤ 45 В;
- разность потенциалов К — Э (база подключена к эмиттеру) VCES ≤ 50 В;
- разность потенциалов Э -Б VEBO ≤ 5 В;
- ток коллектора IC ≤ 800 мА;
- мощность PC = 625 мВт;
- максимальная температура 150°С;
- диапазон температур TSTG = -55°С … 150°С.
Теперь рассмотрим электрические характеристики. Они также важны, так как определят возможности BC337. Они были измерены при температуре +25°С. Значения всех остальных важных для измерения параметров можно найти в таблице, в колонке «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы изм | Обозн. | мин | тип | макс | Ед. изм |
| Напряжение К – Б (пробой) | IC = 100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 50 | В | ||
| Напряжение К — Э(пробой) | IC = 10 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 45 | В | ||
| Напряжение Э — Б(пробой) | IE= 10 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | 5 | В | ||
| Ток К – Б (направление обратное) | VCВ = 45 В, IЕ = 0 | ICВO | 0,1 | мкА | ||
| Ток К – Э (направление обратное) | VCE= 40В, IВ= 0 | ICEХ | 0,2 | мкА | ||
| Ток Э –Б (направление обратное) | VEB = 4 В, IC = 0 | IEBO | 0,1 | мкА | ||
| Коэффициент усиления | VCE=1 В,IC= 100 мA | hFE (16)
hFE (25) hFE (40) |
100
160 250 |
250
400 630 |
||
| Напр. насыщения коллектор-эмиттер | IC=500мA, IB=50мA | V CE(sat) | 0,7 | В | ||
| Напр. насыщения база-эмиттер | IC=500мA, IB=50мA | V ВE(sat) | 1,2 | В | ||
| Граничная частота к-та передачи тока | VCE=5В, IC= 10мA, f=10МГц | fT | 210 | МГц | ||
| Выходная коллекторная ёмкость | VCВ= 10 В, IЕ= 0мA, f = 1МГц | Cob | 15 | пФ | ||
Следует обратить внимание, что транзисторы BC337 производители делят на 3 группы, в зависимости от к-та усиления: -16, -25 и -40. Их значения для каждой категории приведены в таблице выше.
Аналоги
Аналогами BC337 являются: 2N4401, BC184, BC337, MPSA06. Можно найти также несколько отечественных транзисторов, идентичных по техническим характеристикам рассматриваемому устройству: КТ3102Б, КТ660А, КТ928. В пару к BC337 рекомендуется ставить BC327.
Производители
BC337 (datasheet скачать можно кликнув на название) изготавливают довольно много зарубежных фирм, перечислим самых крупных из них:
- Dc Components;
- Diotec Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- KEC(Korea Electronics);
- Micro Commercial Components;
- Motorola;
- NXP Semiconductors;
- ON Semiconductor;
- SEMTECH ELECTRONICS.
В продаже можно встретить продукцию таких компаний: Dc Components, NXP Semiconductors, SEMTECH ELECTRONICS, Micro Commercial Components, Diotec Semiconductor, Fairchild Semiconductor и ON Semiconductor.
