По своим техническим характеристикам транзистор BC557 подойдёт для использования в выходных каскадах УНЧ, в схемах управления. Его применяют в магнитофонах и телевизорах. Он отличается неплохим коэффициентом усиления по току. Изготавливается по планарно-эпитаксиальной технологии. Структура p-n-p.
Цоколевка
Изготавливают этот транзистор в корпусе ТО-92, сделанном из пластмассы и имеющим три гибких вывода. Цоколёвка ножек BC557 располагаются в следующем порядке: слева коллектор, посередине база, справа эмиттер. Внешний вид представлен на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с рассмотрения предельно допустимых. Без их знания нельзя принимать решение о замене и проектировать устройства. Если реальные значения превысят максимальные, то транзистор выйдет из строя. Для BC557 они равны:
- разность потенциалов К-Б VCBO (Uкб max) = — 50 В;
- разность потенциалов К-Э VCЕO (Uкэ max) = — 45 В;
- разность потенциалов Э-Б VЕВO (Uэб max) = — 5 В;
- коллекторный ток IC (Iк max) = -100 мА;
- кратковременны коллекторный ток ICM max (Iк пик) = -200 мА;
- мощность PD (Рк max) = 0,5 Вт;
- тепловое сопротивление полупроводник-воздух RθJA = 200 °С/Вт;
- температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150°С;
- максимальная температура полупроводника Tj = 150°С.
Кроме максимальных стоит также обратить внимание на электрические характеристика BC557. От них также зависят возможности транзистора. Все они измерялись при температуре 12°С. Остальные важные параметры указаны в колонке «Условия измерения».
Электрические характеристики транзистора 2SD882 (при Т = +25 оC) | ||||||
Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
Пробивное напряжение К-Б | IC = -100 мкA | V(BR)CВO | -50 | В | ||
Пробивное напряжение К-Э | IC=1 мA | V(BR)CEО | -45 | В | ||
Пробивное напряжение Э-Б | IE= 10 мкA | V(BR)EBO | 6-5 | В | ||
Обратный ток коллектора | VCВ = -20 В | ICВO | -0,1 | мкА | ||
Обратный ток К-Э | VCE= -40В | ICEХ | -0,1 | мкА | ||
Обратный ток эмиттера | VEB = -5 В | IEBO | -0,1 | мкА | ||
Напряжение насыщения К-Э | IC= -10 мA, IB = -0,5м A | V CE(sat) | -0,3 | В | ||
IC= -100 мA, IB = -5 мA | -0,65 | В | ||||
Напряжение насыщения Б-Э | IC= -10 мA, IB = -0,5 мA | V ВE(sat) | -0,8 | В | ||
IC= -100 мA, IB = -5 мA | -1 | В | ||||
Напряжение Б-Э | VCE =-5 В, IC =-2 мA | VBE | -0,55 | -0,7 | В | |
VCE =-5 В, IC =-10 мA | -0,82 | В | ||||
Выходная ёмкость на коллекторе | VCB =-10В,IE =0, f=1 МГц | Cob | 8 | пФ | ||
Граничная частота к-та передачи тока | VCE=-5В, IC= -10мA,
f=100 МГц |
fT | 50 | 150 | МГц |
Транзисторы BC557, в зависимости от коэффициента усиления делятся на три группы:
- А — hFE = 120…220;
- В — hFE = 180 … 460;
- С — hFE = 420 …800.
Аналоги
Близкими аналогами BC557 являются следующие транзисторы 2SA1015 и 2SA733. Существует три отечественных транзистора аналогичные BC557 – это КТ3107, КТ361Д и КТ668Б. Комплементарная пара для BC557 это – BC547. Также иногда используют BC546 и BC550.
Производители и Datasheet
Нам удалось найти datasheet на BC557 производителей следующих зарубежных фирм:
- Continental Device India Limited;
- Dc Components;
- Diotec Semiconductor;
- Fairchild Semiconductor;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- KEC(Korea Electronics);
- Micro Commercial Components;
- NXP Semiconductors;
- ON Semiconductor;
- Unisonic Technologies.
В магазинах России чаше всего можно найти продукцию следующих компаний: NXP Semiconductors, Micro Commercial Components, Continental Device India Limited, ON Semiconductor и Diotec Semiconductor.