Средней мощности характеристики транзистора BD140 позволяют его использовать в Hi-Fi усилителях низкой частоты, телевизионных приёмниках, а также в схемах термостабилизации УНЧ. Его структура p-n-p. У него зависимость тока через коллектор от окружающей температуры выше, чем у большинства других аналогичных устройств.
Цоколевка
Рассматривать цоколевку транзистора BD140 будем в пластмассовом корпусе ТО-126 в котором имеются три жёстких вывода. Если разместить его маркировкой к себе так, чтобы ножки смотрели вниз, то назначение выводов будет следующим: слева будет находиться эмиттер, в середине расположиться коллектор а база справа. Геометрические размеры, внешний вид и основные параметры показаны на рисунке.
Технические характеристики
Работа с параметрами выше указанных, недопустима из-за риска выхода устройства из строя. Кроме этого не рекомендуется нагружать транзистор до максимальных уровней. Длительное воздействие этих нагрузок на устройство негативно скажется на надёжности и долговечности BD140. Их измерение проводилось при т-ре +25°C.
Максимальные характеристики BD140:
- напряжение К – Б Uкб max (VCBO) = -80 В;
- напряжение К – Э Uкэ max (VCЕO) = -80 В;
- напряжение Э – Б Uэб max (VЕBO) = -5 В;
- ток через коллектор Iк max (IC) = -1,5 А;
- пиковый ток через коллектор Iк max пик (ICР) = -3 А;
- ток через базу IБ max (IВ) = -0,5 А;
- мощность:
- с охлаждением Pк max (PD) = 12,5 Вт;
- без охлаждения Pк max (PD) = 1,25 Вт;
- тепловое сопротивление кристалл-воздух Rth (j-a) = 100 °С/Вт;
- тепловое сопротивление кристалл-корпус Rth (j-с) = 10 °С/Вт;
- т-ра рабочая и хранения Tstg = -55 … +150°С;
- предельная т-ра кристалла Тj = 150°С.
Теперь следует ознакомиться с электрическими параметрами. Именно от них зависят функциональные возможности и сфера применения. Все они тестируются при стандартной т-ре +25°C. Другие параметры измерения, влияющие на результаты измерения находятся в колонке «Режимы изм.».
| Электрические параметры транзистора BD140 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы изм | Обозн. | мин | тип | макс | Ед. изм |
| Поддерживающее напряжение К-Э | IC = -30 мA, IВ= 0 | VCEO(sus) | -80 | В | ||
| Ток К – Б (напр. обратное) | VCВ = -30 В, IЕ = 0 | ICВO | -0,1 | мкА | ||
| Ток Э –Б (напр. обратное) | VEB = -5 В, IC = 0 | IEBO | -10 | мкА | ||
| К-т усиления | VCE=-2 В,IC= -5 мA | hFE1 | 25 | |||
| VCE=-2 В,IC= -0,5 мA | hFE2 | 25 | ||||
| VCE=-2 В,IC= -150мA | hFE3 | 40 | 250 | |||
| Разность потенциалов насыщения К-Э | IC=-500мA,IB=-50мA | V CE(sat) | -0,5 | В | ||
| Разность потенциалов отключения Б-Э | IC=-0,5мA, VCE=-2 В | V ВE(on) | -1 | В | ||
В зависимости от значения величины коэффициента усиления hFE3 (VCE = -2 В, IC = -150 мA) транзисторы BD140 делятся на три категории:
- 6 – hFE3 = от 40 до 100;
- 10 – hFE3 = от 63 до 160;
- 16 – hFE3 = от 100 до 250;
Аналоги
Самые подходящие отечественные аналоги BD140:
- КТ814Г;
- КТ6109А;
- КТ626В;
- КТ626Ж.
Также есть похожие по параметрам зарубежные транзисторы:
- 2N4920;
- 2N5195;
- BD138.
Комплементарной парой рассматриваемого устройства является BD139.
Производители и Datasheet
Ниже представлен список производителей BD140 и их datasheet:
- Unisonc Technologies;
- Fairchild Semicnductor;
- SeCoS Halbletertechnologie GmbH;
- Siemens Semicnductor Group;
- Foshan Electronics;
- Motorola;
- TRANSYS Electronics Limited;
- Inchange Semicondyctor Company;
- Savantic;
- Jiangsu Changiang Electroncs Technlogy.
В отечественных магазинах можно найти устройства произведённые фирмами:
