BU508, согласно своим техническим характеристикам, является кремниевым транзистором n-p-n структуры. Он отличается высокой стабильностью и независимостью от изменений температуры. Обычно их применяют в цепях горизонтального отклонения цветных телевизионных приёмников с большим экраном. Также его можно использовать в импульсных источниках питания и высокочастотных инверторах.
Цоколевка
Транзистор BU508 может быть упакован в один из следующих четырёх похожих корпусов: TO-3PN, TO-3PFA, TO-3PLM, TO-247. Если расположить устройство так, чтобы ножки были внизу, а вы смотрели прямо на маркировку, то для любого типа упаковки ножки будут расположены в следующем порядке: слева база, в середине коллектор, справа эмиттер. С расположением выводов можно ознакомиться по рисунку.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с предельно допустимых. Они играют важную роль, так как, если в процессе работы будут превышены, транзистор может перегреться и выйти из строя. Также не рекомендуется продолжительная работа устройства при значениях близких к максимальных параметрам, так как это может привести к сокращению времени работы и преждевременному его выходу из строя. Все они измеряются при стандартной температуре +25°С. Для BU508 они равны:
- напряжение К-Б VCBO (Uкб max) = 1500 В;
- напряжение К-Э VCЕO (Uкэ max) = 700 В;
- напряжение Э-Б VЕВO (Uэб max) = 10 В;
- коллекторный ток IC (Iк max) = 8 А;
- кратковременны коллекторный ток ICM max (Iк пик) = 15 мА;
- мощность PD (Рк max) = 125 Вт;
- тепловое сопротивление полупроводник-корпус Rth j-c = 1 °С/Вт;
- температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150°С;
- максимальная температура полупроводника Tj = 150°С.
Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристиках, они также важны, так как именно от них зависят возможности транзистора, а также где, в каких схемах и устройствах его можно использовать. Эти параметры тестируются при температуре +25°С. Другие режимы проведения измерений, способные оказать влияние на конечный результат измерения приведены в следующей таблице в специальной колонке.
|
Электрические характеристики транзистора BU508 (при Т = +25 оC) |
||||||
|
Параметры |
Режимы измерения |
Обозн. |
min |
typ |
max |
Ед. изм |
|
Пробивное напряжение Э-Б |
IE= 10 мA, Ic=0 |
V(BR)EBO |
10 |
В |
||
|
Напряжение пробоя К — Э |
IC = 100 мA, IB = 0 A |
VCEО(SUS) |
700 |
В |
||
|
Напряжение насыщения К-Э |
IC= 4,5 A, IB = 2 A |
V CE(sat) |
5 |
В |
||
|
Напряжение насыщения Б-Э |
IC= 4,5 A, IB = 2 A |
V ВE(sat) |
1,3 |
В |
||
|
Ток отсечки коллектора |
VCE=1500V; VBE=0 |
ICES |
1,0 |
мА |
||
|
TC=125°C |
2,0 |
мА |
||||
|
Ток отсечки эмиттера |
VEB = 5 В, IC= 0 A |
IEBO |
0,1 |
мА |
||
|
К-т усиления по току |
Ic= 1 A, VCE = 5 В |
hFE |
8 |
|||
|
Граничная частота к-та передачи тока |
VCE=5 В, IC= 0,1 A |
fT |
7 |
МГц |
||
|
Выходная ёмкость |
VCB = 10В, IЕ= 0 A, f = 0,1 МГц |
Cob |
125 |
пФ |
||
|
Время хранения |
IC = 4,5 A, VCC = 140 В, IB=1,8 A, Lc =0,9 мГн, LB =3 мкГн |
ts |
7 |
мкс |
||
|
Время закрытия |
tf |
0,55 |
мкс |
|||
Аналоги
Наиболее подходящими по техническим характеристикам, на которые можно заменить BU508, являются следующие аналоги: 2SD1555, BU2508A, BUL416. Также существуют отечественные аналоги, это: КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ872Г, КТ8107А, КТ846.
Производители и Datasheet
Перечислим основных производителей 2N3055 bи приложим их datasheet:
В отечественных магазинах можно приобрести продукцию таких производителей:
