Транзистор BU508: характеристики и аналоги

BU508, согласно своим техническим характеристикам, является кремниевым транзистором n-p-n структуры. Он отличается высокой стабильностью и независимостью от изменений температуры. Обычно их применяют в цепях горизонтального отклонения цветных телевизионных приёмников с большим экраном. Также его можно использовать в импульсных источниках питания и высокочастотных инверторах.

Цоколевка

Транзистор BU508 может быть упакован в один из следующих четырёх похожих корпусов: TO-3PN, TO-3PFA, TO-3PLM, TO-247. Если расположить устройство так, чтобы ножки были внизу, а вы смотрели прямо на маркировку, то для любого типа упаковки ножки будут расположены в следующем порядке: слева база, в середине коллектор, справа эмиттер. С расположением выводов можно ознакомиться по рисунку.

Технические характеристики

Рассмотрение технических характеристик начнём с предельно допустимых. Они играют важную роль, так как, если в процессе работы будут превышены, транзистор может перегреться и выйти из строя. Также не рекомендуется продолжительная работа устройства при значениях близких к максимальных параметрам, так как это может привести к сокращению времени работы и преждевременному его выходу из строя. Все они измеряются при стандартной температуре +25°С. Для BU508 они равны:

  • напряжение К-Б VCBO (Uкб max) = 1500 В;
  • напряжение К-Э VCЕO (Uкэ max) = 700 В;
  • напряжение Э-Б VЕВO (Uэб max) = 10 В;
  • коллекторный ток IC (Iк max) = 8 А;
  • кратковременны коллекторный ток ICM max (Iк пик) = 15 мА;
  • мощность PDк max) = 125 Вт;
  • тепловое сопротивление полупроводник-корпус Rth j-c = 1 °С/Вт;
  • температура хранения (рабочая) Tstg = -65 … 150°С;
  • максимальная температура полупроводника Tj = 150°С.

Теперь перейдём к рассмотрению электрических характеристиках, они также важны, так как именно от них зависят возможности транзистора, а также где, в каких схемах и устройствах его можно использовать. Эти параметры тестируются при температуре +25°С. Другие режимы проведения измерений, способные оказать влияние на конечный результат измерения приведены в следующей таблице в специальной колонке.

Электрические характеристики транзистора BU508 (при Т = +25 оC)

Параметры

Режимы измерения

Обозн.

min

typ

max

Ед. изм

Пробивное напряжение Э-Б

IE= 10 мA, Ic=0

V(BR)EBO

10

   

В

Напряжение пробоя К — Э

IC = 100 мA, IB = 0 A

VCEО(SUS)

700

   

В

Напряжение насыщения К-Э

IC= 4,5 A, IB = 2 A

V CE(sat)

   

5

В

Напряжение насыщения Б-Э

IC= 4,5 A, IB = 2 A

V ВE(sat)

   

1,3

В

Ток отсечки коллектора

VCE=1500V; VBE=0

ICES

   

1,0

мА

TC=125°C

   

2,0

мА

Ток отсечки эмиттера

VEB = 5 В, IC= 0 A

IEBO

   

0,1

мА

К-т усиления по току

Ic= 1 A, VCE = 5 В

hFE

8

     

Граничная частота к-та передачи тока

VCE=5 В, IC= 0,1 A

fT

 

7

 

МГц

Выходная ёмкость

VCB = 10В, IЕ= 0 A,

f = 0,1 МГц

Cob

 

125

 

пФ

Время хранения

IC = 4,5 A, VCC = 140 В,

IB=1,8 A, Lc =0,9 мГн,

LB =3 мкГн

ts

 

7

 

мкс

Время закрытия

tf

 

0,55

 

мкс

Аналоги

Наиболее подходящими по техническим характеристикам, на которые можно заменить BU508, являются следующие аналоги: 2SD1555, BU2508A, BUL416. Также существуют отечественные аналоги, это: КТ872А, КТ872Б, КТ872В, КТ872Г, КТ8107А, КТ846.

Производители и Datasheet

Перечислим основных производителей 2N3055 bи приложим их datasheet:

В отечественных магазинах можно приобрести продукцию таких производителей:

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector