Кремниевым биполярный транзистор C1815 по своим характеристикам имеет n-p-n структуру. Его часто используют в усилителях и генераторах, работающих на средней и высокой частоте. При его производстве использовалась эпитаксиально-планарная технология.
Цоколевка
При изготовлении используют два типа корпусов ТО-92 и SOT-23. Хотя полное наименование транзистора 2SC1815, но его часто маркируют как C1815. В SOT-23 его обозначают двумя буквами «HF». Расположение выводов то есть цоколевка C1815 приведена на рисунки ниже.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик C1815 начнём с предельно допустимых величин. Именно от них зависит, в каком режиме сможет работать транзистор и на что он будет способен. Как обычно, тестирование происходит при стандартной температуре +25°С.
- напряжение К – Б VCBO = 60 В;
- напряжение К – Э VCЕO = 50 В;
- напряжение Э – Б VЕBO = 5 В;
- ток коллектора IC = 150 мА;
- пиковый ток базы IВ = 50 мА;
- мощность на коллекторе PC = 1,2 Вт;
- термическое сопротивление кристалл – воздух 250 °С/Вт;
- температура хранения TSTG = -55 … +150°С;
- температура кристалла Тj = +125°С.
После предельных рассмотрим электрические характеристики. Они также важны и от них зависит в какой схеме его можно использовать. При измерении этих параметров важны условия, в которых производилось тестирование. Все необходимые сведения приведены в следующей таблице.
| Электрические характеристики транзистора C1815 (при Т = +25°C) | ||||||
| Параметры | Условия тестирования | Обоз | мин | тип | мах | Ед. изм |
| Пробивное напряжение К-Б | IC = 100 мкA | V(BR)CВO | 60 | В | ||
| Пробивное напряжение К-Э | IC = 100 мкA | V(BR)CEО | 50 | В | ||
| Пробивное напряжение Э-Б | IE= 100 мкA | V(BR)EBO | 5 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCB = 60 В, IЭ = 0 | ICBO | 0,1 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | IC = 0; VEB = 5 В | IEBO | 0,1 | мкА | ||
| Коэффициент усиления | IC = 2 мА; VCE = 6 В | hFE | 70 | 700 | ||
| IC = 150 мА; VCE = 6 В | 25 | |||||
| Напряжение насыщения К — Э | IC =100 мA; IB = 10 мA | VCE(sat) | 0,1 | 0,25 | В | |
| Напряжение насыщения Б — Э | IC =100 мA; IB = 10 мA | VВE(sat) | 1,0 | В | ||
| Напряжение Б-Э | IЕ =310 мA | VBE | 1,45 | В | ||
| Граничная частота коэффициента усиления | IC = 1 мA; VCE = 10 В; | fт | 80 | МГц | ||
| Выходная ёмкость | VCB =10В, IE =0, f=1МГц | Cob | 2,0 | 3,0 | пФ | |
| Коэффициент шума | VCE=6В, IC=0,1мA,
RS=10кОм, f=1Гц |
NF | 1,0 | 1,0 | дБ | |
Некоторые производители, например, Fairchild Semiconductor, делят транзисторы на четыре группы, в зависимости от значения коэффициента усиления:
| Классификация | O | Y | GR | L |
| hFE1 | 70 … 140 | 120 … 240 | 200 … 400 | 350 … 700 |
Есть также производители, такие как GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL, которые делят свои изделия на две группы:
| Классификация | L | H |
| hFE1 | 130 … 200 | 200 … 400 |
Аналоги
При необходимости заменить C1815 можно на такие зарубежные аналоги:
- 2N5232;
- 2SC1740;
- 2SC945;
- BC107;
- KTC1815;
- KTC3198.
Существуют также отечественные транзисторы с идентичными параметрами, это КТ3102А и КТ3102Б. В качестве комплементарной пары рекомендуется использовать 2SA1015.
Производители
Изготовлением C1815 занимаются много зарубежных фирм:
- Эти не встречаются на российском рынке:
Наиболее распространены в России и обычно продаются в наших магазинах продукция следующих компаний:
- Toshiba Semiconductor;
- Jinyu;
- Central Semiconductor Corp;
- Inchange Semiconductor Company Limited;
- GUANGDONG HOTTECH INDUSTRIAL;
- TWGMC;
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- Unisonic Technologies.
Скачать datasheet на C1815 можно кликнув на название производителя.
