По своим техническим характеристикам C2335 может применяться в высоковольтных коммутационных сетях, в которых требуется высокая скорость переключения, например, импульсных регуляторах, инверторах, высокочастотных усилителях мощности и преобразователях постоянного тока (DC-DC). C2335 – это мощный кремниевый биполярный транзистор. Имеет структуру n-p-n.
Цоколевка
C2335 изготавливают в корпусе ТО-220, который обычно используют для упаковки устройств мощность не выше 50 Вт. Выводы расположены в следующем порядке (если установить устройство так, чтобы надпись была расположена спереди, а ножки смотрели вниз): слева база, в середине коллектор, а справа эмиттер. При маркировке данного устройства производители часто упускают первую цифру и букву «2S» и наносят только следующее обозначение: «C2335» Наглядно это можно увидеть на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрение начнём с предельно допустимых параметров. Именно на них нужно обращать внимание в первую очередь при подборе транзистора на замену или конструировании новых устройств. Их тестирование происходит при температуре +25°С.
Максимальные характеристики C2335:
- напряжение К — Б (эмиттер открыт) VCBO (Uкб max) – 500 В;
- напряжение К – Э (база открыта) VCEO (Uкэ max) –400 В;
- напряжение Э — Б (коллектор открыт) VEBO (Uэб max) – 7 В;
- ток коллектора IC (Iк max) –7 А;
- импульсный ток коллектора ICМ (IK max) – 15 А;
- ток через базу IВ (IБ max) – 5 А;
- максимальная мощность на коллекторе РС (Рк max) – 40 Вт;
- термическое сопротивление кристалл-корпус Rth j-C – 3,125 °С/Вт;
- т-ра кристалла – 150ОС;
- диапазон температур Tstg – 55 … 150ОС.
Теперь рассмотрим электрические. На них также стоит обращать внимание, так как от них зависят возможности транзистора и сфера его применения. Они также измерялись при температуре +25°С, остальные параметры тестирования можно найти в колонке «Режимы измерения», следующей таблицы.
| Электрические характеристики транзистора C2335 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Поддерживающее напряжение К — Э | IC=3 A, IB= 0,6 A,
L=1 мГн |
V(BR)CEО | 400 | В | ||
| Напряжение насыщения К — Э | IC= 3 A; IB= 0.6 A | VCE(sat) | 1 | В | ||
| Напряжение насыщения Б — Э | IC= 3 A; IB= 0.6 A | VВE(sat) | 1,2 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВ = 400 В, IЕ = 0 | ICВO | 10 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | VЕВ= 5 В, IС = 0 | IEBO | 10 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | VСВ= 400 В, VВE(off)= -1,5В | ICEX | 10 | мА | ||
| VСВ= 400 В, VВE(off)= -1,5 В, TC = 125°C, | 5 | мкА | ||||
| Статический коэффициент передачи тока | IC = 0.1 A; VCE= 5В | hFE1 | 20 | 80 | ||
| IC = 1 A; VCE= 5В | hFE2 | 20 | 80 | |||
| IC = 3 A VCE= 5В | hFE3 | 10 | ||||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5В, IC= 10 мA, | fT | 20 | МГц | ||
| Время включения | IC=3A, VCC=150В,RL = 50 Ом IB1= IB2=600мA; | ton | 1 | мс | ||
| Время удержания | tstg | 2,5 | мс | |||
| Время выключения | tf | 1 | мс | |||
Для мощных транзисторов, которые могут греться важно знать термические величины. Для 2SC2335 термическое сопротивление кристалл-корпус Rth j-C = 3,125 °С/Вт.
Также данные изделия делятся на три группы, в зависимости от значения к-та, усиления:
- M от 20 до 40;
- L от 30 до 60;
- K от 40 до 8
Аналоги
Перечислим основные аналоги C2335:
- 2SC4242;
- 2SD362;
- BU406;
- BU407;
- BUV46;
- MJE13007;
- MJE13009;
- SD362.
Отечественная промышленность похожих по параметрам транзисторов не производит.
Производители
Основными изготовителями C2335 (datasheet можно скачать кликнув на название) являются следующие фирмы:
- Foshan Blue Rocket Electronics;
- Mospec Semiconductor;
- NEC;
- New Jersey Semi-Conductor Products;
- Quanzhou Jinmei Electronic;
- Renesas Technology;
- SavantIC Semiconductor.
В отечественных магазинах можно купить этот транзистор, изготовленный компанией Inchange Semiconductor.
