Согласно техническим характеристикам взятым из datasheet от C2383 — это эпитаксиальный кремниевый транзистор n-p-n. Благодаря использованию передовой технологии TC’s он обладает большим коэффициент усиления постоянного тока и высоким напряжением пробоя. Чаше всего используется в выходных каскадах кадровой развёртки цветных телевизоров и аудио усилителях.
Цоколевка
Транзистор 2SC2383 выпускается в корпусе SOT-89 и ТО-92 или его разновидностях, например, ТО-92L, TO-92M и TO92MOD, которые имеют более длинный корпус. Большинство производителей при маркировке не наносят первые два символа «2S» и поэтому остаются только буквы C2383. Расположение выводов для каждого типа корпусов показано на рисунке.
Технические характеристики
Обычно производители начинают рассмотрение технических характеристик с предельно допустимых параметров. От них зависят возможности транзистора. Их измеряют при температуре +25°С. Для C2383 они равны:
- напряжение К-Б меньше 160 В;
- напряжение К-Э меньше 160 В;
- напряжение Э-Б меньше 6 В;
- ток коллектора меньше 1 А;
- ток эмиттера -1 А;
- температура кристалла не более – 150°C;
- Диапазон рабочих температур: -55°C … +150°C.
Мощность транзистора у различных производителей отличается друг от друга, но всегда находится в диапазоне от 0,5 до 0,9 Вт.
После максимальных характеристик нужно рассмотреть электрические. От них также зависят возможности транзистора. Они измеряются при температуре +25°С. Остальные параметры тестирования находятся в колонке «Условия измерения» следующей таблицы.
| Электрические характеристики транзистора 2SC2383 (при Т = +25 оC) | |||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC = 100 мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 160 | В | |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC=10 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 160 | В | |
| Пробивное напряжение эмиттер-база | IE= 100 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | 6 | В | |
| Обратный ток коллектора | VCВ= 150 В, IЕ = 0 | ICВO | 1 | мкА | |
| Обратный ток коллектор-эмиттер | VCE= 150 В, IВ= 0 | ICEХ | 10 | мкА | |
| Обратный ток эмиттера | VEB = 6 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мкА | |
| Статический коэффициент передачи тока | VCE=5 В,IC= 200 A
VCE=5 В, IC=10 мA |
hFE1
hFE2 |
60
40 |
320 | |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= 500 мA, IB = 50 мA | V CE(sat) | 1 | В | |
| Напряжение база-эмиттер | IC= 5 мA, VCE=5 В | V ВE | 0,75 | В | |
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5 В, IC= 200 мA | fT | 20 | МГц | |
В зависимости от статического коэффициента передачи тока (hFE) C2383 делятся на три категории:
- R — hFE от 60 до 120;
- O — hFE от 100 до 200;
- Y — hFE от 160 до 320.
Аналоги
Допускается замена 2SC2383 на следующие устройства:
- 2SD667A;
- 2SC2235;
- 2SD1292;
- 2SD863;
- 2SC2705.
Отечественных аналогов для рассматриваемого транзистора нет. Комплементарной парой является 2SA1013.
Производители
Главными производителями 2SC2383 являются следующие зарубежные фирмы:
- Inchange Semiconductor Company;
- SHENZHEN KOO CHIN ELECTRONICS;
- Unisonic Technologies;
- SeCoS Halbleitertechnologie GmbH;
- Nanjing International Group;
- SHENZHEN YONGERJIA INDUSTRY;
- Guangdong Kexin Industrial;
- DONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS;
Поставляют свою продукцию в отечественные магазины:
Скачать DataSheet от каждой компании на транзистор C2383 можно кликнув на соответствующие название выше.
