Давайте рассмотрим технические характеристики D13007K – это биполярный транзистор, имеющий n-p-n проводимость. Он отличается небольшим током утечки, большим коэффициентом усиления, хорошей скоростью переключения, способностью выдерживать высокое напряжение. Обычно его используют в импульсных блоках питания, системах управления электрическим двигателем и в усилителях мощности.
Цоколевка
Транзистор D13007K изготавливается в корпусе ТО-220. Если смотреть прямо на маркировку, то расположение ножек будет таким: база, коллектор, эмиттер. Внешний вид и расположение выводов представлены на рисунке.
Технические характеристики
Для того, чтобы понять, на что способен D13007K, нужно познакомиться с его предельно допустимыми параметрами. При их превышении транзистор может выйти из строя. Эти характеристики снимались при стандартной температуре +25°С.
- напряжение К-Э (при нулевом напряжении база эмиттер) VCЕS = 700 В;
- напряжение К-Э (если ток базы равен 0) VCEО = 400 В;
- напряжение Э-Б VEBO = 9 В;
- ток коллектора (постоянный) IC = 8 А;
- ток коллектора (импульсный) ICМ = 16 А;
- ток через базу (постоянный) IВ = 4 А;
- ток через базу (кратковременный) IВР = 8 А;
- мощность на коллекторе (с теплоотводом) РС = 80 Вт;
- максимальная температура кристалла TJ = +150ОС;
- термосопротивление кристалл-корпус RθJC = 1,56 °С/Вт;
- рабочие т-ры Tstg = от -65 до +150ОС.
После предельных характеристик рассмотрим электрические. Они также влияют на сферу применения транзистора. Также, как и в предыдущем случае их измерение происходит при температуре +25°С. Остальные параметры, способные повлиять на результаты измерения, представлены в отдельном столбце следующей таблицы.
| Электрические характеристики транзистора D13007K (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы изм | Обозн. | мин | тип | макс | Ед. изм |
| Напряжение К — Э(пробой) | IC = 10 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 400 | В | ||
| Напряжение К – Б (пробой) | IC = 1 мA, IВ = 0 | V(BR)CВO | 700 | В | ||
| Напряжение Э — Б(пробой) | IE= 1 мA, IC= 0 | V(BR)EBO | 9 | В | ||
| Ток К – Б (направление обратное) | VCВ = 700 В, IЕ = 0 | ICВO | 100 | мкА | ||
| Ток К – Э (направление обратное) | VCE= 400 В, IВ= 0 | ICEХ | 50 | мкА | ||
| Ток Э –Б (направление обратное) | VEB = 9 В, IC = 0 | IEBO | 10 | мкА | ||
| Коэффициент усиления | VCE=5 В,IC= 2 A | hFE | 8 | 50 | ||
| VCE=5 В,IC= 5 A | 5 | |||||
| Напр. насыщения коллектор-эмиттер | IC = 5 A, IB = 1 A | V CE(sat) | 1,2 | В | ||
| IC = 8 A, IB = 2 A | 3 | |||||
| Напр. насыщения база-эмиттер | IC = 5 A, IB = 1 A | V ВE(sat) | 1,8 | В | ||
| Граничная частота к-та передачи тока | VCE= 0 В, IC= 0,5 A, | fT | 4 | МГц | ||
| Время спада | VCC = 24 В, IC = 5 A, IB1 = -IB2 = 1 A | tf | 0,7 | мкс | ||
| Время рассасывания | ts | 4 | мкс | |||
У транзисторов одни значения некоторых параметров зависят от других. Рассмотрим некоторые из таких зависимостей. Для начала рассмотрим, как соотносится величина коэффициента усиления от тока коллектора.
Как видно из рисунка, при увеличении коллекторного тока от 0,01 до 1 А к-т усиления увеличивается. При больших значениях тока он начинает падать, и при токе равном 10 А его величина уменьшается до 10. Таким образом максимального усиления транзистора D13007K можно добиться при токе через коллектор 1 А.
Также важной для практического использования транзистора является зависимость мощности от температуры окружающей среды.
Как можно увидеть на представленном выше рисунке при температуре ниже +25°С мощность D13007K остаётся все время постоянной и равной 100% от номинального значения (80 Вт). При повышении температуры она начинает падать и становиться равной 0 при температуре +150°С, то есть при максимальной температуре кристалла.
Аналоги
Прямых аналогов данному D13007K нет, но есть схожие устройства по параметрам с небольшими отличиями. Все их мы привели ниже в таблице.
Производители и DataSheet
Транзисторы D13007K изготавливает китайская компания AUK corp (datasheet), а поэтому в отечественных магазинах модно встретить изделия только этой фирмы.
