Как пишут производители в технических характеристиках, 2SD2012 – это кремниевый n-p-n транзистор. Обычно его применяют в усилителях звуковой частоты и ключевых схемах общего назначения. Он отличается высоким коэффициентом усиления, небольшим напряжением насыщения и большой рассеиваемой мощностью.
Цоколевка
Транзистор 2SD2012 изготавливают в корпусе ТО-220F. Некоторые компании производители при нанесении маркировки упускают первые два символа «2S» и остаётся только надпись «D2012». Если смотреть на него с лицевой стороны, ножки при этом должны быть опущены вниз, то справа будет находиться база, по середине коллектор и слева эмиттер. На рисунке ниже приведены геометрические размеры, внешний вид устройства и схема расположения выводов.
Технические характеристики
Начнём рассматривать с максимальных параметров. Если они, в процессе работы, будут превышены транзистор выйдет из строя. Недопустима также длительна работа устройства со значениями близкими к максимальным. Стандартная температура, при которой они были измерены равна 25°С.
Характеристики транзистора D2012:
- напряжение К-Б: VCBO = 60 В;
- напряжение К-Э: VCEO = 60 В;
- напряжение Э-Б: VEBO = 7 В;
- ток коллектора IC = 3 А;
- кратковременный ток коллектора (время импульса меньше 5 мс) IСМ = 6 А;
- ток базы IВ = 0,5 А;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе без радиатора РС = 2 Вт;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе с радиатором РС = 25 Вт;
- Выдерживаемое напряжение изоляции (RMS) от всех трёх выводов к внешнему радиатору Visol = 1500 В;
- температура транзистора Tj = 150°С;
- диапазон т-р хранения: Tstg = -55 … 150°С.
Теперь следует рассмотреть электрические значения, так как от них зависит сфера использования и функциональность транзистора и их важно учитывать при поиске замены или проектировании новых устройств. Стандартная температура проведения измерения +25°С. Все остальные значения параметров, при которых проводилось тестирование приведены в специальном столбце «Условия проведения тестирования».
| Электрические х-ки транзистора 2SD2012 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Название характеристики | Условия проведения тестирования | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Разность потенциалов К-Б, требуемая для пробоя | IC = 100мкA, IЕ = 0 | V(BR)CВO | 60 | В | ||
| Разность потенциалов К-Э, требуемая для пробоя | IC=0,1 мA, IВ= 0 | V(BR)CEО | 60 | В | ||
| Разность потенциалов Э-Б, требуемая для пробоя | IE= 100 мкA, IC= 0 | V(BR)EBO | 7 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВО = 60 В, IЕ = 0 | ICВO | 100 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEBО = 7 В, IC = 0 | IEBO | 100 | мкА | ||
| Статический к-т усиления | VCE = 5 В,IC = 0,5 A | hFE1 | 100 | 320 | ||
| VCE = 5 В,IC = 2 A | hFE2 | 20 | ||||
| Разность потенциалов насыщения между К-Э | IC = 2 A, IB=0,2 A | V CE(sat) | 1 | В | ||
| Разность потенциалов между Б-Э | VCE = 5 В, IC = 0,5 A | V ВE | 1 | В | ||
| Максимальная частота к-та передачи тока | VCE = 5 В, IC= 0,5 A, | fT | 3 | МГц | ||
| Коллекторная ёмкость | VCE = 5 В, IЕ= 0 A,
f = 1 МГц |
Сob | 35 | пФ | ||
Аналоги
При необходимости D2012 можно заменить на аналог 2SB1375, который наиболее близок по своим характеристикам. Можно также использовать BD241BFP, который немного отличается от рассматриваемого транзистора. Но в этом случае необходимо ознакомиться с техническими характеристиками устройств. Комплементарной пара для 2SD2012 – это 2SB1366
Производители
В списке ниже приведём datаsheet для D2012 от всех известных производителей:
- Toshiba Semiconductor;
- Savantic;
- Jiangsu Changjiang Electronics Technology;
- Micro Commercial Components;
- Inchange Semiconductor;
- Foshan Blue Rocket Electronics.
В отечественных магазинах можно встретить продукцию следующих компаниями:
