По своим характеристикам транзистор D2058 можно сказать является устройством общего применения. Его отличительная черта – это низкое напряжение насыщения коллектора и высокая рассеиваемая мощность.
Цоколевка
Изготавливают транзистор 2SD2058 в корпусе TO-228F. Если смотреть на него сверху, прямо на маркировку, то самая левая ножка – это база, средняя коллектор, а правая – эмиттер. Обозначения на корпусе производители часто наносят без первой цифры (2) и буквы (S), и маркируются как D2058.
Технические характеристики
Рассмотрение технических характеристик начнём с максимально допустимых. Превышение хотя-бы одного из этих параметров приведёт к выходу устройства из строя. Измерения проводились при температуре Та = 25°С.
Характеристики D2058:
- структура n-p-n
- напряжение К – Б VCBO (Uкб max) = 60 В;
- напряжение К — Э VCEO (Uкэ max) = 60 В;
- напряжение Э — Б VEBO (Uэб max) = 7 В;
- постоянный ток через коллектор IC (Iк max) = 3 А;
- постоянный ток через базу IВ (Iб max) = 0,5 А;
- мощность, рассеиваемая на коллекторе:
- — без теплоотвода РС (Рк max) = 1,5 Вт;
- — с теплоотводом РС (Рк max) = 25 Вт
- диапазон температур хранения Tstg = -55 … 150°С;
- максимальная температура кристалла TJ = 150°С.
Теперь рассмотрим электрические значения 2SD2058. Они также важны, так как от них зависят возможности транзистора. Тестирование проводилось при температуре Та = 25°С. Остальные важные параметры, при которых проводились измерения, можно найти в колонке «Режимы измерения».
| Электрические характеристики транзистора 2SD2058 (при Т = +25 оC) | ||||||
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Пробивное напряжение коллектор-эмиттер | IC = 50 мA, IВ = 0 | V(BR)CEО | 60 | В | ||
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | IC= 2A, IB = 0,2 A | V CE(sat) | 1,5 | В | ||
| Напряжение база-эмиттер | IC = 0,5 A, VCE=5 В | V ВE | 3 | В | ||
| Обратный ток коллектора | VCВ = 60 В, IЕ = 0 | ICВO | 10 | мкА | ||
| Обратный ток эмиттера | VEB = 7 В, IC = 0 | IEBO | 1 | мА | ||
| Статический коэффициент передачи тока | VCE = 5 В, IC = 0,5 A | hFE | 60 | 300 | ||
| Граничная частота коэффициента передачи тока | VCE=5В, ICЕ = 0,5 мA | fT | 3 | МГц | ||
| Выходная ёмкость коллектора | f=1 МГц;VCB =10 В | COB | 35 | пФ | ||
| Время открытия транзистора | IC = 2,0 A; IB = 0,2 A,
VCC = 30 В, RL = 15 Ом |
ton | 0,65 | мкс | ||
| Время хранения | ts | 1,3 | мкс | |||
| Время закрытия транзистор | tf | 0,65 | мкс | |||
D2058 производители делят на три класса, в зависимости от статического коэффициента усиления. Буквой О обозначают транзисторы с к-том от 60 до 120, с Y имеют к-т усиления от 100 до 200 и с G от 150 до 300.
Аналоги
Аналогами транзистора 2SD2058 называют:
- 2N6038;
- BD177;
- 2SD1585;
- 2SD1985;
- 2SD2012.
Есть также отечественное устройство, похожее, по своим техническим характеристикам на рассматриваемое – это КТ817Б. Комплементарной парой является 2SB1366.
Производители и datasheet
Производством транзистора D2058 (скачать datasheet кликнув по названию) занимаются две компании:
В отечественных магазинах можно встретить продукцию обеих.
