Если посмотреть в технические характеристики транзистор D2499 (2SD2499) которые указаны в datasheet, можно сказать с уверенностью что он является высоковольтным, быстродействующим n-p-n устройством. Также имеет встроенный демпферный диод. Используется в основном в цепях строчной развёртки цветных телевизоров и мониторов.
Распиновка
Цоколевка 2499 выполнена пластиковом корпусе в котором он выпускается. Расположение выводов, если смотреть на транзистор сверху, прямо на маркировку, будет такое:
- слева находится база;
- посередине коллектор;
- справа эмиттер.
Обычно маркировка на него наносится в сокращённом виде, без двух первых символов – D2499.
Технические характеристики
Предельно допустимые характеристики 2SD2499 это то, на что стоит в первую очередь обратить внимание при выборе транзистора для замены или для своих радиосхем. Их превышение, так же как и длительная эксплуатация на максимальных рабочих режимах может привести к поломке транзистора.
Приведём их ниже:
- Предельно допустимая разность потенциалов между К-Б VCBO (Uкб max) = 1500 В;
- Максимально возможное напряжение действующее между К-Э VCEO (Uкэ max) = 600 В;
- Наибольшая разность потенциалов между Э-б VEBO (Uэб max) = 5 В;
- Предельно допустимый ток коллектора, действующий длительное время IC (Iк max) = 6 А;
- Максимально возможный кратковременный ток через коллектор ICP (Iк пик) = 12 А;
- Наибольший постоянный ток через базу IВ (IБ max) = 3 А;
- Предельно допустимая рассеиваемая мощность на коллекторе (при температуре окружающей среды +25ОС) РС (Рк max) = 50 Вт;
- Диапазон рабочих температур Tstg = -55 … 150ОС;
- Предельная температура кристалла Tj = 150ОС.
Помимо приведённых выше параметров, при выборе устройства следует также обращать внимание на электрические характеристики. Ниже приведена таблица с их значениями, протестированными при температуре +25ОС. Остальные условия, важные для проведения тестирования находятся к колонке «Режимы измерения».
| Параметры | Режимы измерения | Обозн. | min | typ | max | Ед. изм |
| Обратный ток, текущий через коллектор | VCВ= 1500В, IЕ = 0 | ICВO | 1 | мА | ||
| Обратный ток, текущий через эмиттер | VEB = 5В, IC = 0 | IEBO | 67 | 200 | мА | |
| Пробивное напряжение между эмиттером и базой | IE= 400 мA, IC= 0 | VEBO | 5 | В | ||
| Статический к-т передачи тока | VCE=5 В,IC= 1 A
VCE=5 В, IC=1 A |
hFE1
hFE2 |
8
5 |
|
25
9 |
|
| Напряжение насыщения перехода К-Э | IC= 4 A, IB = 0,8 A | V CE(sat) | 5 | В | ||
| Напряжение насыщения перехода Б-Э | IC= 4 A, IB = 0,8 A | V ВE(sat) | 1,05 | 1,3 | В | |
| Прямое напряжение на демпферном диоде | IF= 6 A | VF | 1,6 | 2,0 | В | |
| Ёмкость коллекторного перехода | VCB=10V,f=1.0MHz,
IE=0 |
Cob | 95 | пФ |
Рассмотрим график зависимости к-та передачи тока от тока коллектора. На рисунке представлено три кривые, в зависимости от температуры воздуха (-25 ОС, +25 ОС, +100 ОС). Из приведённых данных видно, что усиление транзистора 2SD2499 сначала растёт, пока значение величины ток коллектора не превысит отметку 1 А, а потом начинает падать.
Аналоги
Подобрать аналоги для транзистора D2499 можно из следующих моделей: BU4508DZ, BU508DXI, BUH515DX1, BUH515FP. Кроме этого в качестве замены также можно использовать: 2SC5250, 2SC5251, 2SC5252. В любом случае перед заменой следует ознакомиться с техническими характеристиками обеих устройств и только после этого принимать решение о замене.
Производители
Скачать datashee на 2499 можно кликнув на название компании. Он был разработан, и впервые изготовлен компанией Toshiba Semiconductor. Сейчас его производят такие компании: Wing Shing Computer Components, Inchange Semiconductor Company, Savantic, Tiger Electronic, Shenzhen SPTECH Microelectronics. Чаше всего в продаже можно встретить транзистор произведённый Toshiba Semiconductor. Встречаются также изделия Китайского производителя Shenzhen SPTECH Microelectronics. И достаточно редко можно встретить продукцию Гонконгской фирмы Wing Shing Computer Components.
