Характеристики транзистора IRF3205

Рассмотрим характеристики n-канального полевого MOSFET транзистора IRF3205 с изолированным затвором. Чаще всего он используется в системах управления скоростью электрических двигателей, высокочастотных генераторах, импульсных блоках питания и других электронных устройствах общего применения. Особенностями этого устройства является повышенная рабочая температура перехода (до +175°C), высокая скорость переключения и повышенная стойкость к повторяющимся нагрузкам.

Цоколевка

Транзистор IRF3205 выпускается в корпусе ТО-220, в нем и будем рассматривать распиновку. Он предназначен для дырочного монтажа и имеет три вывода:

• слева находится затвор;
• после него расположен сток;
• самый правый – это исток.

На изображении ниже представлены внешний вид и назначение ножек.

Технические характеристики

Рассмотрим предельно допустимые характеристики IRF3205:

• разность потенциалов З-И (отпирающее) V_GS = ±20 В;
• постоянный ток стока (V_GS = 10 В):
  • при температуре +25^ОС I_D = 110 А;
  • при температуре +100^ОС I_D = 78 А;
• пиковый ток стока I_DМ = 440 А;
• мощность P_D = 170 Вт;
• к-т снижения мощности 1,3 Вт/°С;
• пиковый лавинный ток I_AR = 62 А;
• энергия, рассеиваемая при лавинном пробое E_AR = 20 мДж;
• импульс на восстанавливающемся диоде dv/dt = 5,0 В/нс;
• диапазон рабочих температур T_J = -55 ^ОC … +150^ОC.

Электрические параметры также играют важную роль, при определении возможностей IRF3205. Они тестируются при стандартной комнатной температуре +25°С. Другие параметры, влияющие на результаты измерения можно найти в отдельной колонке таблицы, в столбце «Условия тестирования».

Электрические характеристики транзистора IRF3205 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы тестирования	Обозн.	min		max	Ед. изм
Напряжение пробоя между С-И	VGS =0В, ID=250мкА	V(BR)DSS	55			В
Коэффициент, показывающий зависимость разности потенциалов пробоя от температуры	ID=1,0 мА	Δ V(BR)DSS /TJ		0,51		В/°С
Сопротивление между стоком и истоком в открытом состоянии	VGS = 10 В, ID = 66 A	RDS(on)		4,9	6,5	Ом
Пороговая отпирающая разность потенциалов между затвором и истоком	VDS = VGS, ID = 250 мкА	VGS(th)	2		4	В
Крутизна характеристики	VDS = 25 В, ID = 66 А	GFS	71
Ток утечки З-И в прямом направлении	VGS = 20 В	IGSS			200	нА
Ток утечки З-И в обратном направлении	VGS = -20 В	IGSS			-200	нА
Ток утечки С-И при нулевой разности потенциалов на затворе	VDS = 55 В, VGS = 0 В	IDSS			20	мкА
	VDS = 55 В, VGS = 0 В, TJ = 125°C				250
Общий заряд затвора	VGS = 10 В, ID = 66 А, VDS = 44 В	Qg		76	110	нКл
Заряд между затвором и истоком		Qgs		21		нКл
Заряд между затвором и стоком		Qgd		30		нКл
Время открытия устройства	VDD = 28 В, ID = 66 А, RG = 6,8 Ом, VGS = 10 В	td(on)		18		нс
Время нарастания импульса открытия		tr		95		нс
Время закрытия устройства		td(off)		45		нс
Время спада импульса		tf		67		нс
Индуктивность стока		LD		4,5
Индуктивность истока		LS		7,5
Входная ёмкость транзистора	VGS = 0 В, VDS = 25 В, f = 1,0 МГц	Ciss		3450		пФ
Выходная ёмкость транзистора		Coss		550		пФ
Обратная передаточная ёмкость		Crss		310		пФ
Длительный ток исток-сток		IS			75	А
Импульсный ток через канал		ISM			440	А
Падение напряжения на диоде	IS = 66 A, VGS = 0 В	VSD			1,3	В
Время обратного восстановления	IF = 66 A, VDD = 25 В, dI/dt=100A/мкс	trr		28	42	нс
Заряд обратного восстановления		Qrr		25	38	нКл

Аналоги

Перечислим транзисторы, которые следует рассматривать в первую очередь как аналогов irf3205:

• BUZ111S;
• HRF3205;
• IRFD120.

Следующие транзисторы немного отличаются по характеристикам:

• STP60NF06L;
• STP80NF06.

Назовём также отечественный аналог, это — КП783А.

Производители

Все производители полевого транзистора IRF3205 и его DataSheet:

• Kersemi Electronic;
• Thinki Semiconductor;
• ARTSCHIP ELECTRONICS;
• Nell Semiconductor;
• First Silicon.

На Российском рынке можно приобрести изделия таких компаний:

• International Rectifier;
• Inchange Semiconductor.