Характеристики транзистора IRF520

Как написано в технических характеристиках, IRF520 является n канальным, мощным МОП (MOSFET) транзистором. Он разработан для схем, в которых важна высокая скорость переключения, например импульсных источниках питания, устройствах управления двигателем, источниках бесперебойного питания и в других импульсных схемах.

В интернет-магазинах можно встретить модуль силовой ключ на MOSFET транзисторе IRF520 для Arduino. При подаче на него напряжения 5 вольт от микроконтроллера он открывается и подаёт питание (управляемое напряжение от 0 до 24 вольт) на нагрузку. Он способен выдерживать ток до 1 ампера (при токе от 1 до 5 ампер требуется система охлаждения). Кроме этого имеется возможность управлять нагрузкой при помощи ШИМ, что позволяет, например, регулировать скорость двигателя или управлять яркостью свечения светодиода.

Цоколевка

Все производители данного устройства выпускают его в корпусе ТО-220АВ. Расположение выводов, если смотреть на транзистор IRF520 со стороны маркировки, следующее: самая левая ножка это затвор, посередине находится сток, справа исток. Данное изделие не выпускается в других корпусах.

Распиновка IRF520

Технические характеристики

При конструировании электронной аппаратуры инженеры и опытные радиолюбители в первую очередь ориентируются на предельно допустимые характеристики. Они также важны при подборе аналогов. Обычно максимальные характеристики должны быть на 20% меньше от реальных параметров, в которых работает прибор. Их измерение происходит в лабораторных условиях при температуре воздуха +25ОС. Для IRF520 они равны:

  • наибольшее возможное напряжение между стоком и истоком при напряжении между стоком и истоком 0 В (VDS) — 100 В;
  • предельно допустимое напряжение между стоком и затвором при сопротивлении затвор-исток 20 кОм (VDGR) – 100 В;
  • максимальное отпирающее напряжение между затвором и истоком (VGS) — ±20 В;
  • предельно допустимый постоянный ток стока при температуре +25ОС (ID) – 9,2 А;
  • наибольший возможный постоянный ток стока при температуре +100ОС (ID) – 7 А;
  • максимально возможный пиковый (импульсный) ток стока — 40 А;
  • максимальная рассеиваемая мощность (PD) — 70 Вт;
  • температура хранения от — 65 до +175 °C;
  • максимальная температура кристалла – 175 °C;

Электрические характеристики также важны при разработке новых электронных устройств. Производители приводят их обычно за максимальными параметрами. В таблице имеется отдельный столбец, в котором приведены значения величин, при которых производилось тестирование.

електрические параметры в таблице на irf250

Аналоги

Наиболее полными аналогами транзистора irf520 можно назвать:

  • STP14NF12, IRFI520N;
  • D84CL2, STP14NF12;
  • IRF120, MTP8N08;
  • BUZ20B, MTP8N10;
  • MTP10N10E, RCA9212A.

Они подходят как по своим предельным и электрическим параметрам, так и по расположению выводов.

Существуют также транзисторы, у которых расположение ножек совпадает, но некоторые параметры могут отличаться:

  • STP14NF10, 2SK888;
  • BUK453-100B, BUZ72;
  • BUZ72A, RPF12N08;
  • RPF12N10, RPF12P08;
  • RPF12P10, RPF18N10;
  • IRFI520A, IRFW520A.

К функциональным аналогам можно отнести относятся:

  • 2SK2399, RFP12P08;
  • RFP12P10, 2SK2399;
  • BUK452-100B, BUK552-100B;
  • BUK552-100A, MTP12N10E;
  • RFP8P08, RFP8P10, 2SK2399.

Если вы ищите замену из российских транзисторов, то обратите внимание на эти два: КП520 и КП744А.

Производители

Приведём datasheet на транзистор IRF520 и список производителей которые их выпускают:

В России чаще всего в магазинах можно будет купить продукцию этих двух фирм International Rectifier и STMicroelectronics.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector