Характеристики транзистора IRF640

Как пишут производители в официальных технических характеристиках на IRF640 (datаsheet) – это мощный МОП-транзистор (MOSFET) c n-каналом. Он применяется в управление электродвигателями и реле. Кроме этого его можно найти в схемах, требующих большой скорости переключения. Благодаря небольшой мощности, требуемой для переключения, управлять IRF640 можно сигналами от микросхемы.

Цоколевка

Изготавливают IRF640 в пластиковом корпусе ТО-220АВ, имеющем жёсткие выводы. Если расположить транзистор маркировкой к себе и ножками вниз, то цоколевка выводов будет располагаться в следующем порядке: слева затвор, потом сток и последним будет исток. Внешний вид, распиновка и габариты приведены на рисунке.

Технические характеристики

Рассмотрение параметром транзистора начнём с максимально допустимых характеристик. Они показывают предельные возможности IRF640. Их превышение недопустимо, так как в этом случае транзистор выйдет из строя.

Вот предельные (абсолютные) характеристики современного IRF640:

• напряжение сток-исток V_DS = 200 В;
• напряжение затвор-исток: V_GS = 20 В;
• ток стока (напряжение затвор-исток 10 В):
• при Тс= +25°С I_D = 18 А;
• при Тс= +100°С I_D = 11 А;
• кратковременный ток стока: 72 А.
• мощность P_D = 125 Вт;
• максимальная т-ра кремния +300°С;
• рабочая т-ра: от -55°С до +150°С.

Производители делят характеристики IRF640 на три части: статические, динамические и канала сток-исток. Все они приведены в следующей таблице. Измерение параметров происходило при температуре +25°С.

Электрические характеристики транзистора IRF640 (при Т = +25 оC)
Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	typ	max	Ед. изм
Статические характеристики
Напряжение пробоя сток-исток	ID = 250 мкА, VGS = 0 В	VDSS	200			В
Пороговое напряжение включения затвор-исток	ID = 250 мкА, VGS = VDS	VGS(th)	2	3	4	В
Ток стока при нулевом напряжении затвора	VDS = 200 В, VGS = 0 В, Tj = 25°C	IDSS			25	мкА
	VDS = 200 В, VGS = 0 В, Tj = 125°C				250	мкА
Ток утечки затвор-исток	VGS = 20 В, VDS = 0 В	IGSS			100	нА
Сопротивление сток-исток в открытом состоянии	ID = 10 A, VGS = 10 В	RDS(on)		0,15	0,18	Ом
Динамические характеристики
Крутизна	ID = 9 A	gfs	7	11		S
Входная ёмкость	VDS =25 В, VGS =0 В, f=1,0 МГц			1200	1560	пФ
Выходная ёмкость				200	260	пФ
Ёмкость затвор — сток				60	80	пФ
Время задержки включения	VDD =100 В, ID =18 A, RG =25 Ом	td(on)		20	50	нс
Время нарастания		tr		145	300	нс
Время задержки включения		td(off)		145	300	нс
Время закрытия транзистора		tf		110	230	нс
Характеристики канала исток-сток
Максимальный непрерывный длительный ток исток-сток	Т = 25°C	IS			18	А
Максимально допустимый импульсный ток через канал	Т = 25°C	ISM			72	А
Прямое падение напряжения на диоде	Т = 25°C, IF  = 18 A	VSD			2	В
Время обратного восстановления	VR  = 25 В, IF  = 18 A, di/dt=100A/мкс, Т=25°C	Trr		130		нс
Заряд восстановления		Qrr		0,8		мкКл

Кроме этого существуют также термические характеристики. Их следует учитывать при расчёте схем, в которых используются мощные транзисторы с большим риском перегрева. Они показывают с какой скоростью тепло отводится от транзистора чтобы он не перегрелся и не вышел из строя.

Тепловые характеристики IRF640
Параметры	Обозн.	max	Ед. изм
Тепловое сопротивление кристалл-корпус	Rthj-case	1	°С/Вт
Тепловое сопротивление корпус-радиатор	Rthj-sink	0,5	°С/Вт
Тепловое сопротивление кристалл-окружающая среда	Rthj-amb	62,5	°С/Вт
Максимальная температура свинца для пайки		300	°С

Аналоги

IRF640 можно заменить на такие зарубежные аналоги: 2SK2136, BUZ31, FQP19N20C. Существуют и отечественные транзисторы, похожие по параметрам, это: КП750А, КП640.

Производители

Среди крупных производителей отметим такие компании:

• Dc Components;
• Fairchild Semiconductor;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• NXP Semiconductors;
• First Components International;
• STMicroelectronics;
• Comset Semiconductor.

В Российских магазинах можно купить продукцию следующих фирм:

• Vishay Siliconix;
• International Rectifier;
• Weitron Technology.

Скачать datasheet на IRF640 можно кликнув на названия производителя.