Характеристики транзистора IRFP064N

Согласно техническим характеристикам мощный полевой транзистор IRFP064N имеет высокую скорость переключения. Он является n-канальным устройством с индуцированным затвором. Изготовлен по технологии MOSFET (была разработана компанией International Rectifier в 1979 году), благодаря чему имеет небольшое сопротивление открытого канала.

Цоколевка

IRFP064N выпускают в прочном корпусе ТО-247 (цоколевку рассматривать будем в нем). Этот корпус, по сравнению с ТО-220 и ТО-218, имеет лучший теплоотвод, поэтому его можно использовать для более мощных транзисторов. Если расположить IRFP064N так, чтобы сторона, на которой нанесена маркировка была повёрнута к вам, а выводы были направлены вниз, то ножки будут расположены в следующем порядке: слева – затвор, в середине сток, а справа исток. Внешний вид и распиновка представлены на следующем рисунке:

Технические характеристики

Главными техническими параметрами, на которые обращают внимание радиолюбители при выборе замены вышедшему из строя транзистору являются предельно допустимые характеристики. Ни один из них не должен быть превышен во время работы устройства. Все они измеряются при стандартной температуре +25°С. Для IRFP064N они равны:

• напряжение С — И V_DS = 55 В;
• отпирающее напряжение З — И V_GS = ±20 В;
• ток стока:
  • при температуре +25°С I_D = 110 А;
  • при температуре +100°С I_D = 80 А;
• импульсный ток стока I_DM = 390 А;
• мощность P_D = 200 Вт;
• коэффициент уменьшения мощности в зависимости от температуры – 1,3 Вт/°С;
• энергия лавинного одиночного импульса E_AS = 480 мДж;
• энергия лавинного пробоя E_AR = 20 мДж;
• лавинный ток I_AR = 59 А;
• диапазон рабочих т-р T_J = от -55 до +175 °C.

Электрические характеристики транзистора IRFP064N (при Т = +25 оC)
Наименование	Режимы измерения	Обозн.	MIN	TYP	MAX	Ед. изм
Напряжение пробоя С-И	VGS= 0 В,ID= 250 мкА	V(BR)DSS	55			В
Температурный к-т изменения напряжения С-И	ID = 1 мА			0,057		В/°С
Сопротивление С-И при открытом транзисторе	VGS= 10 В, ID= 59 A	RDS(on)			0,008	Ом
Пороговое напряжение З-И	VDS= VGS, ID=250 мА	VGS(th)	2		4	В
Крутизна передаточной х-ки	VDS= 25 В, ID= 250мкA	gfs	3,8
Ток утечки затвора	VGS= ± 20 В	IGSS			±100	нА
Ток стока при нулевом напряжении затвора	VDS=55 В, VGS= 0 V	IDSS			25	мкА
	VDS=44 В, VGS=0 В, TJ= 150 °C				250	мкА
Входная ёмкость	VGS= 0 В, VDS= 25 В, f = 1,0 МГц	Ciss		4000		пФ
Выходная ёмкость		Coss		1300		пФ
Ёмкость З-И		Crss		480		пФ
Заряд на затворе открывающий транзистор	VGS= 10 В, ID= 59 A, VDS= 44 В	Qg			170	нКл
Заряд З-И		Qgs			32	нКл
Заряд З-С		Qgd			74	нКл
Время открытия транзистора	VDD=28 В, ID=59A, Rg=2,5Ом, RD=0,39Ом	td(on)	14			нс
Время импульса открытия		tr	100			нс
Время закрытия		td(off)	43			нс
Время спада		tf	70			нс
Индуктивность стока		LD		5		нГн
Индуктивность истока		LS		13		нГн
Непрерывный ток через истоковый диод		IS			110	А
Импульсный  ток через диод		ISM			390	А
Падение напряжения на диоде	TJ= 25°C, IS= 59 A, VGS= 0 В	VSD			1,3	В
Время обратного восстановления	TJ= 25 °C, IF= 59 A, dI/dt = 100 A/мкС	trr		110	170	нс
Заряд восстановления		Qrr		450	680	нКл

Аналоги

Существуют два транзистора которых можно назвать полными аналогами irfp064n, это:

• HUF75343G3;
• HUF75344G3.

Имеются также приборы, которые немного отличаются по своим характеристикам:

• BUZ342;
• HUF75345G3;
• PSMN004.

Изделие, которое подходят по своим техническим данным, но имею другую цоколевку: 2SK2267. При замене придётся внести изменения в схему печатной платы.

Производители и DataSheet

Ниже приведены все компании и их datasheet которые выпускают IRFP064N:

• Kersemi Electronic;
• Inchange Semiconductor Company Limited;
• International Rectifier.

На отечественном рынке наиболее распространены изделия компании International Rectifier.