В данном тексте подробно рассмотрены характеристики МОП (MOSFET) транзистора IRFZ24N. Встречается в стабилизаторах, преобразователях, вторичных источниках питания, блоках управления и узлах радиоэлектроники. Его производство выполняется по технологии HEXFET, руководствуясь разработками International Rectifier.
Распиновка
Производятся в корпусе TO220 модификации AB с медным никелированным основанием. Возможно подключение с общими затвором, стоком или истоком.
Цоколевка IRFZ24N приведена ниже. Расшифровка обозначений на рисунке следующая:
- G – Gate, затвор, база.
- D – Drain, сток, коллектор.
- S – Source, исток, эмиттер.
Коллектор физически соединён с радиатором. В результате в расстоянии до корпуса создаётся термическое сопротивление 0,5-1,0 К/Вт. Без последнего элемента – увеличивается до 1-5 К/Вт. Данные актуальны для нормальных условий без учёта изоляционной прокладки. Особое отверстие обеспечивает взаимодействие с печатными платами.
Существуют другие модели транзистора IRFZ24N. Например, серия с применением технологии Trench гарантирует меньшее сопротивление открытого канала, при использование в импульсных источников питания.
Характеристики
Превышение допустимых показателей чревато повреждением и некорректным функционированием устройства в котором работает данный транзистор. Для IRFZ24N максимальные характеристики равны:
- Напряжение пробоя – 55 В;
- Максимальный ток коллектора – 17 А;
- Сопротивление открытого канала – 0,07 Ω;
- Диапазон температур: от -55 до +175 °C.
Электрические характеристики
| Название | Режимы | Значение |
| Напряжение затвора, В | VGD = VGS, ID = 10 A | 2,0 – 4,0 |
| Ток утечки сток-исток, мкА | VGS = 0 В, VDS = 55 В | До 25 |
| VGS = 0 В,
VDS = 44 В, TJ = 150 °C |
До 250 | |
| Ток утечки, нА | VGS = 20 В | До 100 |
| Заряд затвора, нКл | ID = 10 A,
VDG = 44 В, VGS = 10 В |
20 |
| Заряд затвор-исток, нКл | 5,3 | |
| Заряд затвор-сток, нКл | 7,6 | |
| Задержка включения, нс | ID = 10 A,
VDD = 28 В, RG = 24 Ом RD = 2,6 Ом |
4,9 |
| Нарастание, нс | 34 | |
| Задержка выключения, нс | 19 | |
| Спад, нс | 27 | |
| Индуктивность стока, нГн | — | 4,5 |
| Индуктивность истока, нГн | — | 7,5 |
| Входная емкость, пФ | VGS = 0 В,
VDS = 25 В, f = 1,0 мГц |
370 |
| Выходная емкость, пФ | 140 | |
| Обратная переходная емкость, пФ | 65 | |
| Ток истока постоянный, А | — | 17 |
| Ток истока импульсный, А | — | 68 |
| Напряжение на диоде, В | TJ = 25 °C,
IS = 10 A, VGS = 0 В |
1,3 |
| Обратное восстановление, нс | TJ = 25 °C,
IS = 10 A, di = 100 A |
83 |
| Обратное восстановление заряда, нКл | 180 |
Аналоги
Два транзистора можно назвать полными аналогами IRFZ24N:
- STB140NF55T4;
- STB140NF55-1.
Функциональные аналоги имеют похожие свойства. К таковым относятся:
- 2SK2232, BUK452-60A;
- BUK452-60B, BUK7575-55;
- BUZ71, PHP3055E;
- RFP3055, RFP3055;
- BUK7675-55, MTB15N06V.
Производители и DataSheet
Ниже приведены все известные производители IRFZ24N и их datasheet:
На российском рынке популярны изделия компании Philips (NXP Semiconductors).
