Характеристики транзистора КТ503

Транзистор КТ503, по техническим характеристикам, относится к низкочастотным маломощным n-p-n устройствам. Он был разработан для использования в УНЧ, импульсных схемах и различных преобразователях.

Цоколевка

Транзисторы серии КТ503 выпускаются корпусе КТ-26, аналогичным зарубежному ТО-92. Для маркировки на боковой поверхности упаковки имеется белая точка, а цвет точки на торце зависит от конкретной модели:

• КТ503А наносится тёмно-красная;
• КТ503Б наносится жёлтая;
• КТ503В наносится тёмно-зелёная;
• КТ503Г наносится голубая;
• КТ503Д наносится синяя;
• КТ503Е наносится белая.

Также маркировка может быть в виде буквенно-цифрового кода. На рисунке ниже показан внешний вид, система маркировки, цоколевка и геометрические размеры устройства.

Технические характеристики

Предельно допустимые характеристики показывают, максимально возможные рабочие параметры транзистора. При их превышении устройство может выйти из строя, поэтому именно их следует учитывать в первую очередь при выборе замены или при проектировании новой конструкции. Их измеряют при стандартной температуре +25°С.

Максимальны характеристики КТ503:

• разность потенциалов Б-Э – 5 В;
• коллекторный ток – 0,15 А;
• коллекторный ток (кратковременный) – 0,35 А;
• базовый ток 0,1 А;
• мощность транзистора 0,35 Вт;
• температура кристалла – 398 К;
• рабочая т-ра – от 233 до 358 К;
• напряжение К-Б (постоянное):
  • КТ503А (Б) – 40 В;
  • КТ503В (Г) – 60 В;
  • КТ503Д – 80 В;
  • КТ503Е – 100 В.

Электрические параметры также важны, именно от них зависит сфера применения конкретного транзистора. При их измерении обращайте внимание на условия которые приводятся в скобках, рядом с названием. Стандартная температура +25°С.

Электрические параметры:

• граничная разность потенциалов (I_э = 10 мА, t_и ≤ 30 мкс):
  • КТ503А (Б) – 25 В;
  • КТ503В (В) – 40 В;
  • КТ503Д – 60 В;
  • КТ503Е – 80 В.
• разность потенциалов, необходимая для насыщения перехода К-Э (І_К = 10 мА, І_Б = 1 мА):
  • максимальное 0,6 В;
  • обычное 0,2 В.
• разность потенциалов, необходимая для насыщения перехода Б-Э (І_К = 10 мА, І_Б = 1 мА):
  • максимальное 1,2 В;
  • обычное 0,8 В.
• к-т усиления (U_КЭ = 5 В, I_Э = 10 мА):
  • КТ503А (В, Д, Е) 40 … 120;
  • КТ503Б (Г) 80 … 240.
• к-та усиления (U_КЭ = 5 В, I_Э = 3 мА) 5 МГц;
• ёмкость на коллекторе (U_КБ = 5 В, f = 465 кГц) 20 пФ;
• обратный ток 1мкА.

Для транзисторов данной серии интересно также рассмотреть зависимость к-та усиления от тока эмиттера. Из графика видно, что усиление транзисторов КТ503А (В, Д, Е) повышается при увеличении эмиттерного тока до величины 40 мА, после этого начинает уменьшаться. Для КТ503Б, КТ503Г эти характеристики отличаются. У этих моделей улучшение усилительных возможностей транзистора растёт до того момента, когда ток через эмиттер возрастёт до значения 20 мА. После этого к-т усиления начинает уменьшаться высокими темпами. При построении этого графика разность потенциалов К-Э равна 5 В.

Аналоги

Перечислим аналоги для транзисторов, входящего в серию КТ503:

• КТ503А: 2N4123, MPS2711.
• КТ503Б: 2N4124, BC635.
• КТ503Г: BC637.
• КТ503Д: BC546A.
• КТ503Е: 2SC2240GR, BC639.

Перед принятием решения о замене нужно сначала изучить схему, в которой будет работать транзистор и разобраться, какие параметры в данном случае наиболее важны. Также следует изучить характеристики обеих устройств и понять подходит ли он в данном конкретном случае.

Производители

В продаже можно встретить транзисторы КТ503 изготовленные несколькими фирмами (datasheet можно скачать кликнув на название). Это Белорусский завод ОАО «Интеграл», расположенный в г. Минск и Российская компания АО «ГРУППА КРЕМНИЙ ЭЛ», который находится в г. Брянск.