Характеристики транзистора КТ815Б

Рассмотрим характеристики биполярного транзистора КТ815Б, имеет n-p-n структуру, заготавливается из кремния по эпитаксиально-планарной технологии. Он может использоваться в линейных и различных ключевых схемах. Наиболее часто его можно встретить в УНЧ, также в схемах преобразователей и импульсных схемах.

Цоколевка

Цоколевку приведём для наиболее распространённых корпусов КТ815Б, это ТО-126 (отечественное называние КТ-27) и КТ-89. Первая ножка – это эмиттер, вторая – коллектор, третья – база. Кроме этого можно встретить данный транзистор в корпусе, предназначенном для поверхностного монтажа КТ-89 (согласно международной классификации DPAK). Их выпускают на минском предприятии «Интеграл». Расположение выводов показано на рисунке ниже.

КТ815Б внешний вид и распиновка

Технические характеристики

Производители, в своей документации, указывают предельно допустимые параметры своего изделия. Они важны, так как если будут превышены, то транзистор выйдет из строя. Также недопустима длительная эксплуатация, при значениях близких к максимальным.

Максимальные характеристики КТ815Б:

  • напряжение К-Э:
    • сопротивление Б-Э меньше 100 Ом Uкэ max = 50 В;
    • сопротивление Б-Э равно ∞ Uкэ max = 40 В;
  • напряжение Э-Б Uэб max = 5 В;
  • ток коллектора Iк max = 1,5 А;
  • кратковременный ток коллектора (время действия импульса меньше 10 мс) Iки max = 3 А;
  • ток базы Iб max = 0,5 А;
  • мощность (при температуре корпуса от -40 ОС до + 25 ОС):
    • с теплоотводом – 10 Вт;
    • без теплоотвода – 1 Вт;
  • максимальная температура перехода 125°С;
  • рабочая температура от — 40 до +100°С.

После максимальных идут электрические параметры прибора. Они также важны при поиске замены и конструировании новых устройств. Их тестирование производится, как и для предельных, при т-ре + 25°С, если это не предусмотрено специально для конкретного значения. Прочие условия измерения приведены в таблице.

Электрические характеристики транзистора КТ815Б (при Т = +25 оC)
Название параметра Обозн Режимы тестирования min тип мах Ед. измер.
Статический к-т усиления с ОЭ h21э Uкб=2 B, Iэ=150 мA,

Т = +25°С

40
Uкб=2 B, 150 мA,

Т = +40°С

30
Граничная частота к-та усиления с ОЭ fгр Uкэ=5 B, Iэ=300 мA 3 МГц
Граничная разность потенциалов между коллектором и эмиттером Uкэо гp Iэ=50 мA

tи=300 мкс

40 В
Разность потенциалов насыщения К-Э Uкэ нас Iк=500 мA, Iб=0,05 A 0,2 0,6 В
Разность потенциалов насыщения Б-Э Uбэ нас Iк=500 мA, Iб=50 мA 1,2 В
Обратный ток коллектора Iкбо UКБ = 40 В, Тк=-40…+25ОС 50 мкА
UКБ = 40 В, Тк=+100ОС 1000 мкА
Входное сопротивление измеренное для режима малого сигнала h11э Uкэ = 5 В, Iк=5 мА,

f=800 Гц

800 Ом
Ёмкость на коллекторном переходе ск Uкэ = 5 В, f=465 Гц 60 пФ
Ёмкость на эмиттерном переходе сэ Uэб =0,5 В 75 пФ

Аналоги

Перечислим следующие аналогичные транзисторы, на которые можно заменить КТ815Б:

BD135;

BD167;

2SA67;

BD815;

TIP29A;

BD234.

Также можно использовать отечественные КТ817Б, КТ815В,Г. Для КТ815Б существует также комплементарная пара. Это отечественный прибор – КТ814Б.

Производители

Производством транзистора занимаются два российских предприятия. Это ОАО «НПП Завод Искра» г. Ульяновск, которое входит в холдинг «Концерн ВКО Алмаз – Антей». А также АО «Кремний» г. Брянск. В Белоруссии это изделие выпускают на заводе ОА «ИНТЕГРАЛ» г. Минск.

Оцените статью
Мир Схем - портал для радиолюбителей
Добавить комментарий

Adblock detector