КТ817Б – по техническим характеристикам, является кремниевым, универсальным, мощным транзистором. Производится по меза-эпитаксиально-планарной технологии и имеет структуру n-p-n. Обычно его используют в преобразователях, УНЧ и импульсных устройствах.
Цоколевка
При выпуске КТ817Б используют два вида корпусов: КТ-27 (зарубежное название ТО-126) для дырочного монтажа и КТ-89 (DPAK или ТО-252). Общий вес транзистора не более 0,7 г. Как выглядит КТ817Б в разных корпусах, назначение ножек, размеры и самые важные технические характеристики приведены на рисунке.
Технические характеристики
Рассмотрим максимально возможные характеристики КТ817Б, так как именно на них нужно смотреть при подборе транзистора для замены и проектировании новых схем. Если во время их значения будут выше номинальных, предусмотренных производителем в характеристиках, то устройство выйдет из строя. Длительная эксплуатация при рабочих параметрах близких к предельным может уменьшить время жизни КТ817Б. Их измерение проводится при стандартной т-ре +25°С.
Максимальные характеристики КТ817Б:
- разность потенциалов К-Э Uкэ max = 45 В;
- разность потенциалов Э-Б Uэб max = 5 В;
- ток через коллектор Iк max = 3 А;
- кратковременный ток коллектора (время действия импульса меньше 20 мс) Iки max = 6 А;
- ток базы Iб max = 1 А;
- мощность (при температуре корпуса от -40 ОС до + 25 ОС)
- с теплоотводом – 25 Вт;
- без теплоотвода – 1 Вт;
- максимальная температура перехода 150°С;
- рабочая температура от -40 до +100°С.
Электрические характеристики также следует рассмотреть, так как от них зависят возможности КТ817Б и его сфера применения. Они также тестировались при температуре +25°С. Другие условия проведения измерения зависят от того, какие параметры мы тестируем. Для каждого конкретного случая они приведены в отдельной колонке таблицы.
|
Электрические х-ки транзистора КТ817Б (при Т = +25 оC) |
||||||
|
Название параметра |
Обозначение |
Режимы проведения измерений |
min |
тип |
мах |
Ед. измер. |
|
Граничное напряжение К-Э |
Uкэо гp |
Iэ=100 мA tи=300 мкс |
45 |
В |
||
|
Разность потенциалов К-Э (нас.) |
Uкэ нас |
Iк = 1 A, Iб = 0,1 A |
0,6 |
В |
||
|
Разность потенциалов Б-Э (нас.) |
Uбэ нас |
Iк = 1 A, Iб = 0,1 A |
1,5 |
В |
||
|
К-т усиления с ОЭ |
h21э |
Uкэ=2 B, Iэ=1 A, Т = от +25 до 100°С |
25 |
|||
|
Uкэ=2 B, Iэ=1 A, Т = -40°С |
15 |
|||||
|
Граничная частота к-та усиления с ОЭ |
fгр |
Uкэ=10 B, Iэ=0,25 A |
3 |
МГц |
||
|
Емкость на коллекторном переходе |
Ск |
Uкэ = 10 В, f=1 МГц |
60 |
пФ |
||
|
Емкость на эмиттерном переходе |
Сэ |
Uэб =0,5 В |
115 |
пФ |
||
|
Обратный ток коллектора |
Iкбо |
UКБ = 45 В, Тк=-40…+25ОС |
50 |
мкА |
||
|
UКБ = 40 В, Тк=+100ОС |
3000 |
мкА |
||||
Также КТ817Б имеет интересную зависимость статического коэффициента усиления от тока через эмиттер. Как видно из графика при увеличении небольшого тока она растёт, и достигает максимума при котором h21э достигает величины 250, при значении 40 мА, после чего начинает постепенно уменьшаться.
Аналоги
Наиболее полным аналогом для КТ817Б является зарубежный транзистор BD437. Для замены можно также использовать следующие транзисторы, которые немного превосходят по мощности рассматриваемый: TIP31C, BD441G, 2N5191G, BD239B, BD179G. Также можно предложить KT817B9, который является более современной версией рассматриваемого, и выпускается на белорусском предприятии ОАО «Интеграл». В связи с тем, что КТ817Б разрабатывался для использования в выходных каскадах УНЧ он имеет комплиментарную пару, это – КТ816Б, который имеет структуру p-n-p и идентичные параметры.
Производители
Самым крупным производителем КТ817Б является акционерное общество «Кремний». Также изготовлением этого транзистора занимается белорусская компания ОАО «Интеграл», расположенная в г. Минск.
