Характеристики транзистора КТ817Г

В технических характеристиках написано, что транзистор КТ817Г изготавливается на кремниевой основе по мезаэпитксиально-планарной технологии. Имеет структуру n-p-n. Чаще всего используется в схемах УНЧ, ключевых схемах, а также в операционных усилителях.

Цоколевка

Данные транзисторы бывают двух типов, для дырочного монтажа используется пластмассовый корпус с жёсткими выводами КТ27 и для навесного монтажа КТ-89. На рисунке ниже можно увидеть цоколевку для КТ817Г для каждого типа упаковки.

Здесь для КТ-27 цифрой 1 обозначен эмиттер, 2 – коллектор, 3 – база. Для КТ-89 используются другие обозначения. 1 это база, 2 – коллектор, 3 эмиттер.

Технические характеристики

Предельно допустимые параметры являются важными при выборе замены для вышедшего из строя устройства или при проектировании нового. Нужно помнить, что транзистор может выйти из строя даже при непродолжительном превышении максимальных значений. Если прибор будет работать долгое время при рабочих характеристиках равным или равным наибольшим возможным он также выйдет из строя. Для КТ817Г они равны:

• наибольшее допустимое напряжение между К-Э действующее на протяжении длительного времени ( при сопротивлении Б – Э равном бесконечности, температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 80 В;
• максимально возможное постоянное (действующее длительное время) напряжение между К-Э (при сопротивлении Б – Э равном R_БЭ ≤ 1000 Ом, температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 100 В;
• предельно допустимое постоянно действующее напряжение между Б – Э (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 5 В;
• наибольший ток через протекающий через коллектор на протяжении длительного времени (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 3 А;
• максимальный импульсный (кратковременный) ток через коллектора (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К, длительности импульса до 20 мс) – 40 А;
• предельный постоянный ток протекающий через базу (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – 1 А;
• максимальная постоянная мощность, рассеиваемая на коллекторе (при температуре окружающей среды Т_К = от 233 до 373 К) – с теплоотводом 25 Вт, без теплоотвода 1 Вт;
• наибольшая температура кристалла – 423 К;
• рабочая температура окружающей среды – от 233 до 373 К.

Электрические параметры показывают функциональные возможности изделия. В таблице расположенной ниже находятся их значения при температуре +25 ^ОС. Остальные условия, в которых тестировался транзистор, можно найти в столбце «Режимы измерения».

Параметры	Режимы измерения	Обозн.	min	max	Ед. изм
Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ	UКЭ = 2 В, IЭ= 1 A, Т = от 298 до 373 К Т = 233 К	h21Э	25 15
Граничная частота к-та передачи тока в схеме с ОЭ	UКЭ = 10 В, IЭ= 0,25 A	fгр		3	МГц
Граничное напряжение К-Э	IЭ = 100 мA	UКЭО гр		80	В
Напряжение насыщения перехода К-Э	IК = 1 A, IБ = 0,1 A	UКЭ нас		0,6	В
Напряжение насыщения перехода Б-Э	IК = 1 A, IБ = 0,1 A	UБЭ нас		1,5	В
Емкость коллекторного перехода	UКБ = 10 В, f = 1 МГц	cк		60	пФ
Емкость эмиттерного перехода	UЭБ = 0,5 В	cк		115	пФ
Обратный ток через коллектор	UКБ = 100 В Т = от 233 до 3298 К Т = 373 К	IКБО	100 3000		мкА мкА

Из КТ817Г можно добыть 0,0042 грамма золота.

Аналоги

В технической документации одного из производителей, ОАО «Интеграл», предлагается прототип КТ817Г – это зарубежный аналог транзистор BD237. Для него также имеется комплиментарная пара – КТ816. Кроме устройств предложенных изготовителем, имеются также другие зарубежные изделия, близкие по характеристикам:

• 2N5192;
• 2N6123;
• 2SC1827;
• 2SD1356;
• 2SD1408;
• 2SD526;
• 2SC1826;
• BD179;
• BD220;
• BD222;
• BD239B;
• BD441;
• BD619;
• BD937;
• TIP31C.

Производители и DataSheet

Производством транзистора КТ817Г (Datasheet по клику на название компании) занимаются два предприятия находящиеся в Белоруссии и России. Это АО «Кремний» г. Брянск и ОАО «Интеграл» г. Минск. В отечественных магазинах представлена продукция обеих этих фирм.