Характеристики транзистора КТ819

Согласно техническим характеристикам, транзисторы серии КТ819, могут использоваться в УНЧ, операционных усилителях, преобразователях, а также импульсных схемах. Они сделаны на основе кремния и имеют структуру n-p-n. Изготавливаются по меза-эпитаксиально-планарной технологии.

Цоколевка

Транзисторы КТ819 (А, Б, В, Г) выпускаются в корпусе КТ-28 (ТО-220), а 2Т819А (Б, В, Г) и КТ819АМ (БМ, ВМ и ГМ) в КТ-9(ТО-3). Масса транзисторов в пластмассовом корпусе на более 2,5 г., а в металлостеклянном не превышает 20 г. На рисунке показан внешний вид и расположение выводов.

Технические характеристики

Сначала рассмотрим предельно допустимые характеристики. В них приведены максимальные значения, превышать которые нельзя, так как транзистор выйдет из строя. Стандартная температура, при которой производились измерения равна 25°С. Вот они:

• напряжение К-Б:
• 2Т819(А) U_{КБ max} = 25 В;
• 2Т819(Б) U_{КБ max} = 40 В;
• 2Т819(В_ U_{КБ max} = 60 В;
• напряжение К-Э (R_БЭ ≤ 100 Ом, Т = Т_мин – 323 К)
• КТ819(А, АМ) U_{КЭ max} = 40 В;
• 2Т819(Б) U_{КЭ max} = 80 В;
• КТ819(Б, БМ) U_{КЭ max} = 50 В;
• КТ819(В, ВМ) U_{КЭ max} = 70 В;
• 2Т819(В) U_{КЭ max} = 60 В
• 2Т819(А), КТ819(Г, ГМ) U_{КЭ max} = 100 В.
• напряжение Б-Э U_{ЭБ max} = 5 В;
• постоянный ток через коллектор
• КТ819(А, Б, В, Г) I_{K max} = 10 А;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{K max} = 15 А.
• импульсный ток через коллектор (t_и < 10 мс. Q ≥ 100)
• КТ819(А, Б, В, Г) I_{К , и max} = 15 А;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_{К , и max} = 20 А.
• ток через базу I_{Б max} = З А;
• импульсный через ток базу (t_и < 10 мс, Q > 100) I_{Б и max} = 5 А;
• мощность (с теплоотводом при Т_к ≤ 298 К)
• КТ819(А, Б, В, Г) P_{K Т max} = 60 Вт;
• 2Т8І9(А, Б, В), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_{K Т max} = 100 Вт.
• мощность (без теплоотвода при Т_к ≤ 298 К)
• КТ819(А, Б, В, Г) P_K = 1,5 Вт;
• 2Т8І9(А, Б, В) P_K = 3 Вт;
• КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) P_K = 2 Вт.
• т-ра перехода
• 2Т8І9(А, Б, В) T_п = 423 К;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) T_п = 398 К.

Для того, чтобы понять возможности транзистора, нужно рассмотреть также и его электрические характеристики. Они так же, как и в предыдущем случае измерялись при температуре +25°С. Все остальные параметры приведены рядом с результатами тестирования.

• граничное напряжение (I_К = 0,1 А, t_И ≤ 300 мкс, Q ≥ 100)
• KT8I9(A, АМ) U_{КЭО гр} ≤ 25 В;
• КТ819(Б, БМ), 2Т819(В) U_{КЭО гр} ≤ 40 В;
• КТ819(В, ВМ), 2Т819(Б) U_{КЭО гр} ≤ 60 В;
• КТ819(Г, ГМ), 2Т819(А) U_{КЭО гр} ≤ 60 В.
• напряжение насыщения К – Э

при I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А:

• 2Т8І9(А, Б, В) U_{КЭ нас} = 1 В;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 2 В.

при I_К = 20 А, I_Б = 4 А:

• 2Т8І9(А, Б, В) U_{КЭ нас} = 5 В;

при I_К = 15 А, I_Б = 3 А:

• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{КЭ нас} = 4 В.
• напряжение насыщения база-эмиттер (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А)
• 2Т8І9(А, Б, В) U_{БЭ нас} = 1,5 В;
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) U_{БЭ нас} = 3 В.
• Статический к-т передачи тока в схеме с ОЭ (U_КБ = 5 В, I_К = 5 А),

при Т = 298 К и Т= Т_{к макс}:

• 2Т8І9(А, Б, В) h_21э = 20;
• KT8I9(A, В, AM, ВМ) h_21э = 15;
• КТ819(Б, БМ) h_21э = 20;
• КТ819(Г, ГМ) h_21э = 12.

при Т =213 К:

• 2Т8І9(А, Б, В) h_21э = 9;

при Т = 233 К

• KT8I9(A, В, AM, ВМ) h_21э = 10;
• КТ819(Б, БМ) h_21э = 15;
• КТ819(Г,(ГМ) h_21э = 7.
• частота к-та передачи в схеме с ОЭ при U_КБ=5 В, I_э = 05 А f_гр = 3 (min), 5 (typ), 12 (max) МГц;
• время выкл. (I_К = 5 А, I_Б = 0,5 А) t_вкл = 2,5 мкс;
• ёмкость на коллекторе (U_КБ=5 В) c_к = 360 (min), 600 (typ), 1000 (max) пФ;
• пробивное напряжение К-Б (Т = 213 — 298 К, I_К,= 1 мА)
• 2Т819(А) U_{КБО проб} = 100 В;
• 2Т8І9(Б) U_{КБО проб} = 80 В;
• 2T8I9(B) U_{КБО проб} = 60 В.
• Обратный ток через коллектор при (U_КБ =40 В)
• КТ819(А, Б, В, Г), КТ819(АМ, БМ, ВМ, ГМ) I_КБО = 1 мА.

Аналоги

Транзисторы серии КТ819 имеют много, но их несколько разновидностей, поэтому логично разбить все аналоги по группам. Приведём таблицу с такой разбивкой.

Транзистор	Аналоги
КТ819А	2N6288, 2N6289, BD291, TIP41
КТ819АМ	BDW51
КТ819Б	2N5490, 2N6129, BD293, BD533, BDV91, TIP41
КТ819БМ	2N6253, 2N6371, BD142, BD181, BDX13C, BDX93
КТ819В	2N5492, 2N5494, 2N6290, BD201, BD707, BD951, TIP41B,
КТ819ВМ	2N6471, BDW51B
КТ819Г	2N5496, 2N6101, 2N6293, BD537, BD712, BD953, BDX73, TIP41C
КТ819ГМ	2N3055, 2N3055E, 2SD843, BDW21C, BDX10C, BDY20

Производители

Транзисторы серии КТ819 ещё выпускаются на предприятии (кликните чтобы скачать datasheet) ОАО «Интеграл» г. Минск. Кроме этого они изготавливаются на заводах АО «Кремний», г. Брянск и «Искра» г. Ульяновск мелкими партиями.